【产品】国产Cu-Clip封装的SGT工艺MOSFET CJAC100SN08U，RDS低至3.0mΩ
长晶科技的SGT工艺MOSFET CJAC100SN08U，漏源级击穿电压为80V，连续漏极电流为100A，不含卤素，符合RoHS标准。该产品采用先进的Cu-Clip封装工艺，封装形式为PDFNWB5×6-8L。相较于普通封装工艺的贴片封装，Cu-Clip封装工艺具有更好的导电性与散热性，且厚度仅为1mm。SGT工艺MOSFET，具有较低的RDS（on），同时具有优秀的动态特性参数，可用于BMS、BLDC、PD充电器，电源模块开关以及同步整流等应用。
CJAC100SN08U的脉冲漏极峰值电流为300A，过流能力出色。器件的最高结温为150℃，存储温度范围-55~150℃。器件的结壳热阻的典型值为1.25℃/W。Tj=25℃下，MOSFET的RDS（on）典型值为3.0mΩ@VGS=10V；阈值电压典型值为2.8V；Rg典型值为2.5Ω；Ciss结电容典型值为3780PF；Qg典型值为60nC。
特点：
•低RDS（on）
•低Ciss
•低热阻
•出色的动态特性
•高浪涌过流能力
优势：
•优秀的散热能力
•超低栅极电荷
•低反向传输电容
•快速开关切换能力
•更强的耐雪崩能量冲击能力
应用：
•开关电源（SMPS）
•PD充电器
•BMS
•LED照明电源
•BLDC
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用户79742629 Lv7. 资深专家 2021-10-28学习 -
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stiutk Lv8. 研究员 2021-10-27学习 -
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zwjiang Lv9. 科学家 2021-10-27学习学习
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产品型号
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品类
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Status
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Type
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ESD(Yes/No)
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VDS(V)
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VGS(V)
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ID(A)
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VGS(TH)(V)
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RDS(mΩ)@VGS(10V Typ)
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RDS(mΩ)@VGS(10V Max)
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RDS(mΩ)@VGS（4.5V Typ）
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RDS(mΩ)@VGS（4.5V Max）
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Package
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2N7000_TO-92
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Trench MOS
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Active
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Single-N
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Trench
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No
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60
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0.2
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0.8~3
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5000
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6000
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TO-92
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选型表 - 长晶科技 立即选型
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