【产品】50V/360mA 采用先进沟槽技术的N沟道增强型MOSFET PJC138K-AU,专为电池供电系统而设计

2019-12-03 PANJIT
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PANJIT（强茂）推出了N沟道增强型MOSFET PJC138K-AU ，内置ESD保护。采用SOT-323封装，其中漏-源电压最大额定值为50V，连续漏极电流最大额定值为360mA。

                                                                                   图1 封装图


PJC138K-AU特性：

RDS(ON), VGS@10V, ID@500mA<1.6Ω 

RDS(ON), VGS@4.5V, ID@200mA<2.5Ω 

RDS(ON), VGS@2.5V, ID@100mA<4.5Ω

先进的沟槽技术

专为电池供电系统、固态继电器、驱动器:继电器、显示器、存储器等设计

2kV HBM ESD—HBM保护能力

符合AEC-Q101标准

无铅，符合欧盟RoHS 2.0标准

绿色环保塑封，符合IEC 61249标准



PJC138K-AU机械参数：

外壳：SOT-323封装

端子：可焊性符合MIL-STD-750标准（方法2026）

重量约为：0.0002盎司，0.005克


PJC138K-AU最大额定值特性：


PJC138K-AU电气特性：



技术顾问：冷暖自知
授权代理商：世强先进（深圳）科技股份有限公司
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N沟道增强型MOSFET 电池驱动系统 固态继电器 驱动器 继电器 显示器 存储器 PJC138K-AU PANJIT 管状电机

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