【产品】50V/360mA 采用先进沟槽技术的N沟道增强型MOSFET PJC138K-AU,专为电池供电系统而设计
PANJIT（强茂）推出了N沟道增强型MOSFET PJC138K-AU ，内置ESD保护。采用SOT-323封装，其中漏-源电压最大额定值为50V，连续漏极电流最大额定值为360mA。
图1 封装图
PJC138K-AU特性：
RDS(ON), VGS@10V, ID@500mA<1.6Ω
RDS(ON), VGS@4.5V, ID@200mA<2.5Ω
RDS(ON), VGS@2.5V, ID@100mA<4.5Ω
先进的沟槽技术
专为电池供电系统、固态继电器、驱动器:继电器、显示器、存储器等设计
2kV HBM ESD—HBM保护能力
符合AEC-Q101标准
无铅，符合欧盟RoHS 2.0标准
绿色环保塑封，符合IEC 61249标准
PJC138K-AU机械参数：
外壳：SOT-323封装
端子：可焊性符合MIL-STD-750标准（方法2026）
重量约为：0.0002盎司，0.005克
PJC138K-AU最大额定值特性：
PJC138K-AU电气特性：
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