【产品】封装为TO-263的N沟道MOSFET器件,具有低栅极电荷和出色的 RDS(on)特性

2022-02-18 杜因特
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杜因特(Doingter)致力于功率半导体的开发、生产和销售。其推出的封装为TO-263的N沟道MOSFET器件BH4R5TG采用先进的SGT技术和设计,具有低栅极电荷和出色的 RDS(on)特性,可用于多种应用中。该器件的漏源电压为100V,栅源电压为±20V,在TC=25℃时的连续漏极电流为100A;工作和存储结温范围为-55℃~+150℃,结到壳的热阻值为0.94°C/W;具有低栅极电荷特性,产品的实物图和等效电路图下。

产品特点

• VDS=100V,ID=100A,RDS(ON)<4.5mΩ@VGS=10V

• 低栅极电荷

• 提供绿色环保器件

• 采用先进的高单元密度沟槽技术实现超低的漏源导通电阻

• TO-263封装保证良好的散热特性


绝对最大额定值(Tc=25℃,除非另外说明)


体二极管特性


产品订购信息


授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
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选型指南  -  杜因特  - 2020/12/9 PDF 中文 下载

杜因特MOS选型表

杜因特提供以下技术参数的MOSFET选型,耐压范围20V-900V,具有极低的导通电阻,封装规格突破16种,可根据客户需要定制低中高压及不同封装参数产品

产品型号
品类
VDSS(V)(MIN)
ID(A) at 25℃
VGS(V)(MAX)
Ciss(pF)(TYP)
RDS(ON)(MΩ)at 4.5V(TYP)
RDS(ON)(MΩ)at 4.5V(MAX)
DB010NG
MOSFET
20V
30A
12V
990pF
8MΩ
10MΩ

选型表  -  杜因特 立即选型

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