【产品】国产N沟道碳化硅MOSFET ASC60N1200MT3，广泛应用于太阳能逆变器等领域
ASC60N1200MT3是爱仕特推出的一款N沟道碳化硅MOSFET。其采用全新技术，与硅相比，可提供卓越的开关性能和更高的可靠性。其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸，也确保了该产品具有低电容和栅极电荷。该器件采用TO-247封装，符合ROHS标准，无卤素，且易于并联，驱动简单。
绝对最大额定值(Tc=25°C)方面，其漏源电压为1200V，Tc=25°C时的漏极电流（连续）为60A，漏极电流（脉冲）高达100A，耗散功率（Tc=25°C）为325W。TJ=25°C条件下，其静态漏源导通电阻的典型值仅为45mΩ（VGS=20V，ID=20A）。该器件可用于电动汽车电机驱动、高压DC/DC转换器、开关模式电源、太阳能逆变器、电动汽车充电领域，其产品外形及内部电路如下图所示。
特点：
•低电容高速开关
•高阻断电压，低RDS(on)
•易于并联，驱动简单
•符合ROHS标准，无卤素
应用：
•电动汽车电机驱动
•高压DC/DC转换器
•开关模式电源
•太阳能逆变器
•电动汽车充电
订购信息：
绝对最大额定值(Tc=25°C)
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产品型号
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品类
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Package
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Voltage（V）
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RON(mohm)
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Temperature Range(℃)
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Status
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ASC8N650MT3
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SiC Chips
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TO-247-3
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650V
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320mohm
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-40~175℃
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Development
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选型表 - 爱仕特 立即选型
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可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
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