【产品】额定连续漏极电流为1A的N沟道MOSFET TMA11N70H，具有快速开关能力

时间： 2023-02-28 来源：无锡紫光微

代理服务

技术支持

采购服务

无锡紫光微推出的N沟道MOSFET TMA11N70H，在TC=25℃时，其漏-源电压(V_GS=0V)为700V，连续漏极电流为11A，耗散功率(TC=25℃)为70W，应用于开关电源、不间断电源、功率因数校正。

特点

快速开关

100%雪崩测试

改进的dv/dt能力

应用

开关电源(SMPS)

不间断电源(UPS)

功率因数校正(FPC)

注释

1.重复额定值：脉冲宽度受最大结温度限制

2.I_AS=9A, V_DD=50V, R_G = 25Ω, 开始结温T_J= 25°C

3.脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤1%

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由萧萧落木翻译自无锡紫光微，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

平台合作

提交评论

全部评论（0）

暂无评论

【产品】500V N沟道MOSFET —TMA25N50HF，具有负温度系数，采用TO-220F封装

TMA25N50HF是无锡紫光微电子推出的一款采用TO-220F封装的N沟道MOSFET，漏源电压最大额定值为500V，漏极连续电流最大额定值为25A，耗散功率最大173W。和双极晶体管相比，这种器件开关速度快和开关损耗小，具有输入阻抗高、驱动功率低，频率特性好的特点。

2022-05-31 - 产品代理服务技术支持采购服务

【产品】500V 5A的N沟道功率MOSFET SFX5N50系列，适用于PFC、SMPS、UPS等领域

HI-SEMICON推出的500V 5A N沟道功率MOSFET SFX5N50系列采用先进技术制造，适用于需要高功率密度和出色效率的应用中，如功率因数校正(PFC) 、开关模式电源(SMPS) 、不间断电源(UPS)、LED照明电源等领域。

2023-05-31 - 产品代理服务技术支持采购服务

【产品】长晶科技推出的N沟道场效应晶体管CJAB40SN10，使用SGT技术，用于UPS、SMPS等领域

CJAB40SN10由长晶科技推出的N沟道场效应晶体管，其封装形式为PDFNWB3.3×3.3-8L。使用SGT技术，提供出色的静态导通电阻和低栅电荷。V(BR)DSS=100V，ID=40A。该产品主要应用于不间断电源、硬开关电路、高频电路和SMPS等领域。

2023-05-12 - 产品代理服务技术支持采购服务

【产品】650V N沟道MOSFETT TMA/C/D/R/U7N65HG，开关速度快

无锡紫光微电子的5款N沟道MOSFET：TMA7N65HG、TMC7N65HG、TMD7N65HG、TMR7N65HG、TMU7N65HG是VDMOSFET（即垂直双扩散场效应晶体管），具有更小的开关损耗和更快的开关速度，输入阻抗高，驱动功率小，频率特性好，并且具有负的温度系数。

2020-08-01 - 新产品代理服务技术支持采购服务

【产品】900V N沟道MOSFET TMA3N90H、TMU3N90H，100%雪崩测试

无锡紫光微电子有限公司是由紫光同芯微电子有限公司投资的一家高新技术企业，是一家专注于先进半导体功率器件和集成电路的设计研发、芯片加工、封装测试及产品销售的集成电路设计企业。无锡紫光微推出了TMA3N90H和TMU3N90H的VD MOSFET。分别采用TO-220F和TO-251的封装方式。

2019-10-25 - 新产品代理服务技术支持采购服务

TMA18N50H 500V N沟道MOSFET

本资料介绍了Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd生产的TMA18N50H 500V N-Channel MOSFET。该器件是一种垂直电流流过的高压双扩散VDMOSFET，具有电压控制特性。其主要特点包括高输入阻抗、低驱动功率、良好的频率特性以及负温度系数。资料中提供了该器件的绝对最大额定值、电气特性、典型特性以及封装信息。

无锡紫光微 - VDMOSFET,DOUBLE-DIFFUSION DEVICE,N-CHANNEL MOSFET,N沟道贴片MOS管,双扩散装置,TMA18N50H,开关模式电源,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,UPS,SMPS,SWITCH MODE POWER SUPPLY

2022/3/3 - 数据手册 - V1.0 代理服务技术支持采购服务

【产品】650V N沟道MOSFETT TMA/C/P/R12N65HG，单脉冲雪崩能量为352mJ

无锡紫光微电子的4款N沟道MOSFET：TMA12N65HG,TMC12N65HG,TMP12N65HG,TMR12N65HG 是VDMOSFET（即垂直双扩散场效应晶体管），具有更小的开关损耗和更快的开关速度，输入阻抗高，驱动功率小，频率特性好，并且具有负的温度系数。

2020-09-28 - 新产品代理服务技术支持采购服务

【产品】500V/15A的N沟道MOSFET TMA15N50H，采用TO-220F封装

无锡紫光微推出的TMA15N50H是1款500V的N沟道MOSFET，漏源电压最大额定值为500V，栅源电压最大额定值为±30V，脉冲漏极电流最大额定值为60A，重复雪崩能量最大额定值为54mJ，采用TO-220F封装。产品符合RoHS标准，可应用于开关电源(SMPS)，不间断电源(UPS)，功率因数校正(PFC)等领域。

2019-11-09 - 新产品代理服务技术支持采购服务

SL90N20P 220V N沟道MOSFET

本资料介绍了SL90N20P型220V N-Channel MOSFET的特性及应用。该器件具有快速开关、100%雪崩测试和改进的dv/dt能力，适用于开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）和功率因数校正（PFC）等领域。

SLKOR - N-CHANNEL MOSFET,N沟道贴片MOS管,SL90N20P,全氟化碳,开关模式电源,功率因素矫正,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,POWER FACTOR CORRECTION,不间断电源,UPS,SMPS,PFC,SWITCH MODE POWER SUPPLY

2023/2/21 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

【产品】漏源电压200V的N沟道MOSFET，漏极电流40A，RDS仅为50mΩ

无锡紫光微电子推出的TMA40N20HG是一款N沟道MOSFET，其漏源电压200V，采用专有的新平面技术以及快速恢复体二极管，该MOSFET的RDS（ON）在VGS = 10V时典型值仅为50mΩ，其低栅极电荷可将开关损耗降至最低。产品主要应用于DC-DC转换器、UPS用DC-AC逆变器、开关电源和电机控制等领域。

2020-11-23 - 新产品代理服务技术支持采购服务

【产品】650V N沟道MOSFET TMA/TMC/TMD/TMP/TMU6N65HG，脉冲漏极电流达24A

无锡紫光微电子有限公司是由紫光同芯微电子有限公司投资的一家高新技术企业，是一家专注于先进半导体功率器件和集成电路的设计研发、芯片加工、封装测试及产品销售的集成电路设计企业。无锡紫光微推出了TMA6N65HG，TMC6N65HG，TMD6N65HG，TMP6N65HG和TMU6N65HG的VD MOSFET。封装方式分别为TO-220F，TO-262，TO-252，TO-220和TO-251。

2019-10-27 - 新产品代理服务技术支持采购服务

2KK5113 N沟道MOSFET

本资料介绍了型号为2KK5113的N沟道MOSFET的特性。该器件具有低导通电阻、高耐压和良好的EMI性能，适用于开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）和功率因数校正（PFC）等领域。

科信 - MOSFET,N-CHANNEL MOSFET,N沟道贴片MOS管,2KK5113,开关模式电源,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,UPS,SMPS,SWITCH MODE POWER SUPPLY

2023/11/13 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

【产品】漏源电压500V，漏极电流25A的N沟道MOSFET，具有3种封装形式，采用VDMOSFET技术

TMA25N50HG、TMV25N50HG、TMW25N50HG是三款无锡紫光微电子推出的500V N沟道MOSFET，其漏源电压均为500V，漏极持续电流25A（TC=25ºC），耗散功率最大208W，工作结温-55~+150℃，具有三种封装TO-220F，TO-3PN和TO-247可供选择，采用VDMOSFET技术。可应用于开关模式电源、不间断电源、功率因数校正等领域。

2020-12-12 - 新产品代理服务技术支持采购服务