【产品】额定连续漏极电流为1A的N沟道MOSFET TMA11N70H，具有快速开关能力
无锡紫光微推出的N沟道MOSFET TMA11N70H，在TC=25℃时，其漏-源电压(VGS=0V)为700V，连续漏极电流为11A，耗散功率(TC=25℃)为70W，应用于开关电源、不间断电源、功率因数校正。
特点
快速开关
100%雪崩测试
改进的dv/dt能力
应用
开关电源(SMPS)
不间断电源(UPS)
功率因数校正(FPC)
注释
1.重复额定值：脉冲宽度受最大结温度限制
2.IAS=9A, VDD=50V, RG = 25Ω, 开始结温TJ = 25°C
3.脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤1%
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