【产品】高性能BCD工艺制程技术的双极锁存霍尔效应感应芯片AS1654，反向保护电压-30V

时间： 2022-07-05 来源：昂赛微电子

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昂赛微电子推出的AS1654是使用BCD工艺制程设计的工业级高性能双极锁存霍尔效应感应芯片，适用于汽车，工业设备，电动工具，家用电器，转子位置检测，直流无刷电机等等应用。此霍尔效应感应芯片集成了一个片上霍尔电压产生器，霍尔电压放大器，霍尔感应失调动态消除系统，一个施密特触发器，和一个使芯片可在电压电压2.5V至40V的范围内都可稳定工作的电压调制器。

AS1654是双极锁存霍尔效应感应芯片，当磁场密度（B）大于芯片感应点（B_OP）时，输出变为低电平，输出将保持低电平的状态直到磁场密度（B）小于芯片释放点（B_RP）时，恢复高电平。此器件提供 SIP-3L 和 SOT23-3L 两种封装形式，工作温度范围为-40°C 到 150°C，两种封装都符合 RoHS 规范。

特点

高性能 BCD 工艺制程技术

工作电压范围：2.5V to 40V

双极锁存工作

高灵敏度

高斩波频率

磁场感应点（典型值B_OP=90 高斯， B_RP=-90 高斯)

反向保护电压：-30V

小体积封装形式

符合 RoHS 规范

SIP-3L and SOT23-3L 封装

-40℃ to +150 ℃ 工作温度范围

应用

电动工具

汽车，家用电器，工业设备

转子位置检测和流量器

无刷直流电机/风机

速度测量

旋转计数

临近感测

磁性编码器

订购信息

标识信息

SIP-3L

SOT23-3L

典型应用电路

管脚排列

功能模块框图

极限参数（无特别说明，T_A=25°C）

推荐工作条件

电气特性

(除特别注明外，T_A = -40 to +150℃。典型值是在T_A = +25℃，V_CC = 2.5V to 40V条件下)

Note：

1：应力超过这个表格罗列的最大值可能导器件的永久损坏，任何时候只能有一个参数运行在最大额定值。

2：此器件在超过它的工作条件范围时不保证能正常工作。

典型输出波形

热特性

在正常工作条件下，最大芯片结温度应限制在150℃，这就对AS1654的功耗有了限定。计算最大允许功耗PD（max），并保持实际功耗小于或等于PD（max），使用下列方程：

其中，T_A 是最大的工作环境温度，R_θJA是功率耗散表中给出的热阻值。

霍尔感应位置

霍尔感应功能

南极磁场靠近芯片封装的标志面时定义为正向磁场。

如果芯片上电启动时，磁场强度处在BOP与BRP之间，那么芯片启动后输出为高电平。对SIP-3L和SOT23-3L封装，如果磁场强度大小小于 BOP，输出将变为低电平，当磁场强度大小大于 BRP时，输出将释放为高电平。

封装信息

SIP-3L:

SOT23-3L:

包装信息

SOT23-3L

SIP-3L

1.包装形式：袋装

2.最小包装：1000pcs/袋

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2023/9/4 - 昂赛微电子 - 选型指南代理服务技术支持采购服务

AS1632S工业级高性能双极锁存霍尔效应感应芯片规格书

描述- 本资料介绍了ANGSEMI公司生产的工业级高性能双极锁存霍尔效应感应芯片AS1632S。该芯片采用BiCMOS工艺，适用于多种应用场景，如汽车、工业设备、电动工具和家用电器等。芯片具有宽工作电压范围、高灵敏度和高斩波频率等特点。

型号- AS1632SXXX,AS1632SMBZ,AS1632SMBY,AS1632SWRZ,AS1632S,AS1632SWRY

25, May 2016 - 昂赛微电子 - 数据手册 - Version 1.0 代理服务技术支持采购服务

AS1940闩锁检测高性能霍尔效应传感器IC数据手册

描述- 本资料介绍了ANGSEMI公司的磁传感器集成电路（IC）AS1940。该芯片采用双极型工艺设计，适用于高性能锁存检测霍尔效应应用，如家用电器、转子位置感应和无刷直流电机等。它集成了片上霍尔电压发生器、比较器、开漏输出和施密特触发器等功能，以提供噪声抑制和开关滞后。AS1940支持3.2V至24V的工作电压范围，具有高灵敏度、小型解决方案尺寸等特点。

型号- AS1940WRZ,AS1940MBZ,AS1940,AS1940XXX

25, May. 2021 - 昂赛微电子 - 数据手册 - Version 1.21 代理服务技术支持采购服务查看更多版本

AS1640锁存检测高性能霍尔效应传感器IC数据手册

描述- 该资料介绍了ANGSEMI公司的AS1640霍尔效应传感器IC。这款芯片采用双极型工艺设计，适用于高性能锁存检测霍尔效应应用，如家用电器、转子位置感应、无刷直流电机等。它集成了片上霍尔电压发生器、比较器、开漏输出和施密特触发器，提供噪声抑制、反向保护和稳压器功能。AS1640支持3.8V至24V的工作电压范围，具有高灵敏度、小型解决方案尺寸等特点。

型号- AS1640,AS1640WRZ,AS1640XXX,AS1640MBZ

25, March. 2015 - 昂赛微电子 - 数据手册 - Version 1.0 代理服务技术支持采购服务

AS1631工业级高性能双极锁存霍尔效应感应芯片规格书

描述- 本资料介绍了ANGSEMI公司生产的AS1631工业级高性能双极锁存霍尔效应感应芯片。该芯片采用BiCMOS工艺制程设计，适用于汽车、工业设备、电动工具、家用电器等领域。具有宽工作电压范围、高灵敏度和高斩波频率等特点。

型号- AS1631MBY,AS1631WRZ,AS1631,AS1631WRY,AS1631XXX,AS1631MBZ

25, May 2016 - 昂赛微电子 - 数据手册 - Version 1.1 代理服务技术支持采购服务

AS1640锁存检测高性能霍尔效应传感器IC

描述- 本资料介绍了ANGSEMI公司的磁传感器集成电路（AS1640），该芯片适用于高性能锁存检测霍尔效应应用，如家用电器、转子位置感应、无刷直流电机等。AS1640采用双极工艺设计，集成了片上霍尔电压发生器、比较放大器、开漏输出和施密特触发器等功能，具有高灵敏度、宽输入电压范围、反向保护和温度范围等特点。

型号- AS1640,AS1640XXX,AS1640STRZ,AS1640STRY,AS1640MBY,AS1640MBZ

25, March. 2021 - 昂赛微电子 - 数据手册 - Version 1.2 代理服务技术支持采购服务

AS1602锁存检测高性能霍尔效应传感器IC

描述- 本资料介绍了ANGSEMI公司的一款高性能磁传感器集成电路（IC）——AS1602。该产品采用双极工艺设计，适用于家用电器、转子位置感应、无刷直流电机等领域。AS1602集成了芯片内霍尔电压发生器、比较放大器、开漏输出和施密特触发器等功能，具有高灵敏度、反向保护、小尺寸封装等特点。

型号- AS1602S2RY,AS1602STRY,AS1602STRZ,AS1602MBZ,AS1602,AS1602XXX,AS1602MBY,AS1602S2RZ

25, March. 2015 - 昂赛微电子 - 数据手册 - Version 0.1 代理服务技术支持采购服务

AS1601锁存检测高性能霍尔效应传感器IC

描述- 该资料介绍了ANGSEMI公司的AS1601霍尔效应传感器IC。这款芯片采用双极型工艺设计，适用于高性能锁存检测霍尔效应应用，如电动自行车、转子位置感应和无刷直流电机等。它集成了片上霍尔电压发生器、比较放大器、开漏输出和施密特触发器等功能，以提供噪声抑制的切换滞后效果。此外，还具备内置滤波器和保护电路，以确保输出电压在安全水平并防止传感器损坏。

型号- AS1601XXX,AS1601MBZ,AS1601

25, March. 2015 - 昂赛微电子 - 数据手册 - Version 1.0 代理服务技术支持采购服务

AS1638工业级高性能双极锁存霍尔效应感应芯片规格书

描述- 该资料介绍了ANGSEMI公司生产的AS1638型号工业级高性能双极锁存霍尔效应感应芯片。该芯片采用BCD工艺制程，适用于汽车、工业设备、电动工具、家用电器等领域，具有高灵敏度、宽工作电压范围等特点。

型号- AS1638WRY,AS1638WRZ,AS1638MBY,AS1638MBZ,AS1638XXX,AS1638

25,May 2016 - 昂赛微电子 - 数据手册 - Version 1.0 代理服务技术支持采购服务

AS1600锁存检测高性能霍尔效应传感器IC

描述- 该资料介绍了ANGSEMI公司的AS1600霍尔效应传感器IC。这款芯片采用双极型工艺设计，适用于高性能锁存检测霍尔效应应用，如电动自行车、转子位置感应和无刷直流电机等。它集成了片上霍尔电压发生器、比较放大器、开漏输出和施密特触发器等功能，支持3.5V至60V的工作电压范围，具有高磁灵敏度、小型解决方案尺寸等特点。

型号- AS1600,AS1600XXX,AS1600MBZ

25, March. 2015 - 昂赛微电子 - 数据手册 - Version 0.1 代理服务技术支持采购服务