【应用】小尺寸功率MOSFET为以太网供电提供60V/50V的电压, 280mA的电流
近年来，作为通过以太网电缆输电的IEEE工业标准，以太网供电(PoE)技术的发展势头十分强劲。这一新兴技术通过传输以太网数据的CAT-5电缆进行供电，可以简化用电设备(PD)的安装和部署。这些设备包括无线接入点、监控摄像机、VoIP电话和网络接入点等。传输数据信号的同时，POE技术还能为此类设备本身提供直流供电的技术。PoE设备包括电源输出设备PSE和电源接受设备PD。PoE技术允许通过低成本的以太网电缆在PSE和PD之间管理和传输功率，从而避免了造价高昂的交流插座安装和电力电缆铺设工作。在适当的场合采用外部组件 (例如：功率MOSFET 和检测电阻器) 以降低电源通路中的电阻。
图1：以太网供电（POE）拓扑图
目前，IEEE 802.3af PoE标准允许设计师通过以太网电缆为用电设备（PD）提供高达12.95W的电力，同时符合安全特低电压(SELV)要求。根据IEEE 802.3af标准，对以太网用电端设备和供电端系统所需要的功耗是15.4W。最近通过修订的IEEE标准802.3atTM针对2类电路(Cat5E或更好的线缆)将功率电平增加到了30W。直流和瞬态电流限值性能及典型电流限值如表1所示。为了提升PoE的效率，选择一款好的MOSFET是十分重要的。
表1：场效应管电流承载需求
Central推出的CMLDM7002A/CMLDM8002A分别采用双N通道/双P通道增强模式，为以太网供电提供60V/50V的电压, 280mA的电流。新型功率MOSFET采用了新一代半导体技术，在效率等级、功率密度和可靠性等方面都达到了新的水平，能够承受因以太网电缆折断等短路故障而耗散的电力，直到供电设备控制器检测到故障并关机为止。这两款MOSFET管在这种故障状态下会以20nS的极短时间快速关断，即使在高达-65°C到150°C的工作温度下仍能实现。
CMLDM7002A/CMLDM8002A均采用SOT563封装，尺寸更小巧，热特性强。Central分立半导体解决方案，能最大限度地降低总传导损耗，节省空间。比相同水平的MOSFET导通电阻低、高速开关性能要强。同时，降低的单位面积导通电阻，可最大限度减少导通和开关损耗，极大地帮助工程师提高了PoE的整体能效。
CMLDM8002A特性及相关参数:
• 双芯片器件技术
• 具有低RDS（ON）和低VDS（上）
• 具有低阈值电压
• 具有快速切换
• 具有兼容逻辑电平
• 小型的SOT - 563封装
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