【产品】30V/20A双N沟道高级功率MOSFET RU30D20M3,适用于开关应用系统

2022-05-14 锐骏半导体
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锐骏半导体推出RU30D20M3型号的双N沟道高级功率MOSFET,漏源电压30V,漏电流最大可达20A,温度范围-55~150℃,经过100%雪崩测试,无铅器件,符合RoHS要求,适用于开关应用系统,服务器的板载电源,同步整流应用场合。

产品特点:

• 30V/20A,

RDS (ON) =8.5mΩ(Typ.)@VGS=10V 

RDS (ON) =11.5mΩ(Typ.)@VGS=4.5V 

• 采用锐骏半导体先进的TrenchTM技术

• 优秀的QgxRDs(on)产品(FOM)

• 可靠且耐用

• 100%雪崩测试

•无铅器件,符合RoHS要求


产品应用:

开关应用系统

服务器的板载电源

同步整流应用场合


绝对最大额定值:


电气特性(TC=25℃,除非另有说明):

注:

①脉冲宽度受安全工作区限制。

②根据最大允许结温计算出的连续电流。

③安装在1平方英寸铜板上时,t≤10s

④受 TJmax 限制,IAS=13A,VDD=24V,RG=50Ω,TJ=25℃

⑤脉冲测试;脉冲宽度≤300µs,占空比≤2%。

⑥设计保证,不经过生产测试



授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。

实验室地址: 西安 提交需求>

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提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务,使用直流电源分析仪测量精度达50µV,8nA,波形发生器带宽100kHz,输出功率300W,示波器200kHz,512 kpts

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