【产品】30V/20A双N沟道高级功率MOSFET RU30D20M3，适用于开关应用系统

时间： 2022-05-14 来源：锐骏半导体

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锐骏半导体推出RU30D20M3型号的双N沟道高级功率MOSFET，漏源电压30V，漏电流最大可达20A，温度范围-55~150℃，经过100%雪崩测试，无铅器件，符合RoHS要求，适用于开关应用系统，服务器的板载电源，同步整流应用场合。

产品特点：

• 30V/20A，

R_{DS (ON)}=8.5mΩ(Typ.)@V_GS=10V

R_{DS (ON)} =11.5mΩ(Typ.)@V_GS=4.5V

• 采用锐骏半导体先进的Trench^TM技术

• 优秀的Q_gxR_Ds(on)产品(FOM)

• 可靠且耐用

• 100%雪崩测试

•无铅器件，符合RoHS要求

产品应用：

开关应用系统

服务器的板载电源

同步整流应用场合

绝对最大额定值:

电气特性（T_C=25℃，除非另有说明）：

注：

①脉冲宽度受安全工作区限制。

②根据最大允许结温计算出的连续电流。

③安装在1平方英寸铜板上时，t≤10s

④受 TJmax 限制，I_AS=13A，V_DD=24V，R_G=50Ω，T_J=25℃

⑤脉冲测试；脉冲宽度≤300µs，占空比≤2%。

⑥设计保证，不经过生产测试

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产品型号	品类	Channel	ESD Diode (Y/N)	VDSS(V)	VTH(V)	IDS(A)@TA=25℃ (A)	RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-4.5V (mΩ)	RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-2.5V (mΩ)	Package
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产品型号	品类	Channel	ESD Diode (Y/N)	VDSS(V)	VTH(V)	IDS(A)@TA=25℃ (A)	RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-4.5V (mΩ)	RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-2.5V (mΩ)	Package
RU207C	MOSFET	N	N	20	0.5-1.1	6	10	15	SOT23-3