如何利用耗尽型MOSFET实现电流调节器
电流镜型电流调节器
电流调节器（CurrentRegulator）一般采用电流镜（CurrentMirror）等比例地“复制”IC中的基准电流IREF，从而实现恒流输出，如图1(a)所示。由于需要IC来产生基准电流IREF，并且IC本身又需要稳定的电源电压VDD，其电路较为复杂，具有较高的系统成本。电流镜型电流调节器的输出电压范围VOUT为
其中VDS为输出级MOS管漏极-源极之间的电压差。由于VDD一般不高于18V，电流镜型电流调节器的输出电压范围较窄，大大限制了其应用。
由此可见，电流镜型电流调节器具有如下优缺点
(1)电流精度高；
(2)输出电压范围较窄；
(3)电路结构复杂，成本较高。
耗尽型MOS管电流调节器
采用耗尽型MOSFET，可以非常简便地实现电流调节器电路，如图1(c)所示。在饱和工作区，耗尽型MOS管的漏-源电流ID为
其中k为跨导系数，为一常数。
栅-源零偏时（VGS=0V）的漏-源饱和电流IDSS为
在图1(c)的电流调节器电路中，
由式（3）和（4）可以得出
由式（5）可以看出，ID由饱和电流IDSS、关断电压VGS(OFF)和可调电阻R共同决定。对于某一给定型号的耗尽型MOS器件，饱和电流IDSS和关断电压VGS(OFF)均是确定的。以方舟微的DMZ6005E为例，其饱和电流IDSS的最小值为20mA，VGS(OFF)位于-3.3V～-1.5V之间，典型值为-2.0V。因此，当选定耗尽型MOS管后，电流ID由电阻R唯一确定。
由式（5）可以得出
由于不可避免的工艺波动，器件参数IDSS和VGS(OFF)在批次到批次（LottoLot）之间存在一定的变化。因此，电路设计者需要根据式（6），以及IDSS和VGS(OFF)的取值范围，确定电阻R的可调范围。在电路配置完成后，通过微调电阻R的值，即可得到所期望的恒定电流。
表1耗尽型MOS管DMZ6005E的参数
例如，要实现ID=5mA，根据表1可以计算出R的取值范围。
因此，选取500Ω的可调电阻可满足要求。
由图2可以看出，耗尽型MOS管电流调节器只要进入了饱和工作区，即可输出稳定的恒流。只要输入电压不超过MOS管的击穿电压BVDSX，该电路均能够正常地工作。由此可见，耗尽型MOS管电流调节器具有极宽的电压输入输出范围
耗尽型MOS管电流调节器具有极好的瞬态特性。由于耗尽型MOS管的漏-源电容CDS较小(～pF量级)，该电路具有极快的响应速度。MOS管栅-源之间跨接的电阻R起到了负反馈作用，有效地抑制了输入电压变化对输出电流的影响。假设VIN突然增大导致ID增大，则VGS=-ID*R将变得更负，产生负反馈，迫使ID变小，最终ID维持不变。如图3所示，输入电压VIN存在较大幅度的波动，但输出电流却能保持稳定的5mA输出。
综上所述，耗尽型MOS管电流调节器具有如下优缺点
(1)电流精度高；
(2)输出电压范围极宽，拓展了其应用范围；
(3)输入电压范围极宽，可以直接联接到整流后的市电；
(4)不需要参考电流IREF，省去了IC，电路结构简单，系统成本低；
(5)需要调节电阻R以得到所期望的恒定电流。
典型应用
采用ARK（方舟微）公司的耗尽型MOS管DMZ6005E，可以构建17mA的电流调节器，用于驱动串联式LED电路，如图４所示。220V的市电通过桥堆整流和电容Ｃ滤波后，得到约200 ～300V的电压VIN。VIN具有较大的纹波，但这并不影响恒定的17mA电流输出，因为耗尽型MOS管电流调节器具有极好的瞬态响应特性。
此外，耗尽型MOS管电流调节器还可以广泛应用于电流基准、电压基准、偏置电路以及电流驱动电路。
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方舟微耗尽型MOSFET选型表
方舟微提供以下耗尽型MOSFET选型：BVDSS (V)：60-1200，ID (A)：0.01-16，RDSON(Ω) Max.：0.064-1000，提供SOT-223/SOT-89/SOP-8等多种封装，带ESD防护功能。
|
产品型号
|
品类
|
BVDSS (V)
|
RDSON(Ω) Typ.
|
ID (A)
|
VGS (V)
|
Package
|
|
DMZ1511NE
|
耗尽型MOSFET
|
150
|
10~25
|
0.1
|
-3.3~-1.5
|
SOT-23
|
选型表 - 方舟微 立即选型
方舟微耗尽型MOSFET在工业传感器、智能变送器中的应用
近年来，耗尽型MOSFET日益受到重视，广泛应用于固态继电器、“常开”开关、线形运放、恒流源、恒压源和开关电源等，涵盖了家用电器、消费电子、工业控制、汽车电子、电信设施和航空航天等领域。可以选用方舟微DMX1027和DMS4022E耗尽型MOSFET。
应用方案 发布时间 : 2024-01-27
方舟微（ARK）耗尽型MOSFET/增强型MOSFET/电流调节器选型指南
描述- 成都方舟微电子有限公司成立于2008年，是国内唯一专注耗尽型MOSFET设计的公司。专业从事功率器件的研发、制造与销售,并提供电源管理、电路保护解决方案，ARK可根据客户需求,提供高端定制开发。公司专注于技术创新和应用创新，是以应用为导向不断提升技术水平的行业领军者。以市场需求带动创新研发，以技术发展引导应用升级，是ARK一贯宗旨。产品以集成控制的方式提供具有出众的功率处理和电源管理能力，自主研发的耗尽型MOSFET、SiCFET、PHOTOMOS继电器、IC集成功率器件等系列产品大量用于快充、LED、工业控制、电动汽车、通信电路、物联网、光伏、服务器电源和充电桩等领域。
型号- AKP10M60R,DMD4523E,FTP0P1N15G,DMD12C60EA,AKZ35V15R,DMZ32C15EA,DMD02R50A,DMD8515E,DMZ11C60EA,DMX1072,DMZ61C60EA,AKM120N040T4A,DMX4022E,DMZ25R13EA,DMZ12C15A,DJDO1R120A,DMX25R10EA,DMS04R60A,DMZ25R10EA,DMX11C60EA,FTS10N15G,DMZ1511E,DMS6014E,DMS8550E,DMX5530E,FTZ30P35G,DMX42C10A,AKZ25V15R,DMB16C20A,FTS01N15G,FTF15C35G,AKZ16V15R,DMZ85200E,DMS42C10A,DMX22C40A,FTZ15N35G,DMS22C40A,FTE02P15G,DMZ1520E
耗尽型MOSFET与JFET的比较
JFET的全称分为结型场效应晶体管，MOSFET的全称为金属氧化物半导体场效应晶体管。耗尽型MOSFET与JFET均属于电压控制型场效应晶体管（FET），场效应晶体管通过电场来控制导电沟道的电导率。应用场景包括RF技术、电路开关、功率控制以及放大电路。
技术探讨 发布时间 : 2023-12-08
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
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