如何利用耗尽型MOSFET实现电流调节器

2024-10-09 方舟微
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电流镜型电流调节器

电流调节器(CurrentRegulator)一般采用电流镜(CurrentMirror)等比例地“复制”IC中的基准电流IREF,从而实现恒流输出,如图1(a)所示。由于需要IC来产生基准电流IREF,并且IC本身又需要稳定的电源电压VDD,其电路较为复杂,具有较高的系统成本。电流镜型电流调节器的输出电压范围VOUT

其中VDS为输出级MOS管漏极-源极之间的电压差。由于VDD一般不高于18V,电流镜型电流调节器的输出电压范围较窄,大大限制了其应用。


由此可见,电流镜型电流调节器具有如下优缺点
(1)电流精度高;
(2)输出电压范围较窄;
(3)电路结构复杂,成本较高。


耗尽型MOS管电流调节器
采用耗尽型MOSFET,可以非常简便地实现电流调节器电路,如图1(c)所示。在饱和工作区,耗尽型MOS管的漏-源电流ID

其中k为跨导系数,为一常数。
栅-源零偏时(VGS=0V)的漏-源饱和电流IDSS

在图1(c)的电流调节器电路中,

由式(3)和(4)可以得出

由式(5)可以看出,ID由饱和电流IDSS、关断电压VGS(OFF)和可调电阻R共同决定。对于某一给定型号的耗尽型MOS器件,饱和电流IDSS和关断电压VGS(OFF)均是确定的。以方舟微DMZ6005E为例,其饱和电流IDSS的最小值为20mA,VGS(OFF)位于-3.3V~-1.5V之间,典型值为-2.0V。因此,当选定耗尽型MOS管后,电流ID由电阻R唯一确定。

由式(5)可以得出

由于不可避免的工艺波动,器件参数IDSS和VGS(OFF)在批次到批次(LottoLot)之间存在一定的变化。因此,电路设计者需要根据式(6),以及IDSS和VGS(OFF)的取值范围,确定电阻R的可调范围。在电路配置完成后,通过微调电阻R的值,即可得到所期望的恒定电流。

表1耗尽型MOS管DMZ6005E的参数

例如,要实现ID=5mA,根据表1可以计算出R的取值范围。

因此,选取500Ω的可调电阻可满足要求。

由图2可以看出,耗尽型MOS管电流调节器只要进入了饱和工作区,即可输出稳定的恒流。只要输入电压不超过MOS管的击穿电压BVDSX,该电路均能够正常地工作。由此可见,耗尽型MOS管电流调节器具有极宽的电压输入输出范围

耗尽型MOS管电流调节器具有极好的瞬态特性。由于耗尽型MOS管的漏-源电容CDS较小(~pF量级),该电路具有极快的响应速度。MOS管栅-源之间跨接的电阻R起到了负反馈作用,有效地抑制了输入电压变化对输出电流的影响。假设VIN突然增大导致ID增大,则VGS=-ID*R将变得更负,产生负反馈,迫使ID变小,最终ID维持不变。如图3所示,输入电压VIN存在较大幅度的波动,但输出电流却能保持稳定的5mA输出。


综上所述,耗尽型MOS管电流调节器具有如下优缺点
(1)电流精度高;
(2)输出电压范围极宽,拓展了其应用范围;
(3)输入电压范围极宽,可以直接联接到整流后的市电;
(4)不需要参考电流IREF,省去了IC,电路结构简单,系统成本低;
(5)需要调节电阻R以得到所期望的恒定电流。

典型应用


采用ARK(方舟微)公司的耗尽型MOS管DMZ6005E,可以构建17mA的电流调节器,用于驱动串联式LED电路,如图4所示。220V的市电通过桥堆整流和电容C滤波后,得到约200 ~300V的电压VIN。VIN具有较大的纹波,但这并不影响恒定的17mA电流输出,因为耗尽型MOS管电流调节器具有极好的瞬态响应特性。 


此外,耗尽型MOS管电流调节器还可以广泛应用于电流基准、电压基准、偏置电路以及电流驱动电路。

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