【产品】3x5mm的增强型GaN FET INN060W070A适用于同步整流,最大漏-源电压达60V

2022-11-17 英诺赛科
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英诺赛科推出60V增强型GaN FET  INN060W070A ,器件采用WLCSP封装,尺寸为3mm x5mm。具有超高开关频率、超低漏-源导通电阻和零反向恢复损耗等特性,可应用于同步整流,D类音频,包络线跟踪电源,高频DC-DC转换器等领域。


2、产品特点

  • 超高开关频率

  • 超低漏-源导通电阻RDS (on)

  • 快速可控的上升和下降时间

  • 零反向恢复损耗


3、应用

  • 同步整流

  • D类音频

  • 包络线跟踪电源

  • 高频DC-DC转换器


4、关键性能参数

5、管脚信息


6、最大额定值

Tj = 25℃(另有规定除外)器件持续在最大额定值使用会降低晶体管的寿命。


7、热特性


8、电气特性

Tj = 25 °C(另有规定除外)


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