【产品】ROHM N沟道功率MOSFET-R6018VNX，内置高速二极管，适用于开关应用
ROHM旗下的N沟道功率MOSFET-R6018VNX，作为第四代PrestoMOS™内置快速恢复二极管SJMOS。其漏源电压为650V（Tj max），导通电阻最大值为204mΩ（VGS = 15V, ID = 4A），脉冲漏极电流为±54A，耗散功率（Tc=25℃）为61W。采用TO-220FM封装形式，可用于开关应用。
图1 R6018VNX的实物图、封装形式和电路结构示意图
R6018VNX的特性：
1) 快速反向恢复时间 (trr)
2) 低导通电阻
3) 开关速度快
4) 驱动电路简单
5) 无铅电镀； 符合RoHS标准
6) 无卤塑封
R6018VNX的应用：
开关应用
R6018VNX的最大额定值参数（Ta=25℃）：
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