【选型】RB168VYM100FHTR肖特基二极管助车载机械式旋转激光雷达LD反钳位设计，吸收GaN VDS关断振铃电压

时间： 2020-05-02 来源：ROHM

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为避免激光雷达激光二极管LD高频关断时，因GaN FET（氮化镓）VDS关断时产生的高压振铃波形对激光二极管LD造成伤害，降低长期使用寿命的需求，一般需要在激光二极管上并联一个肖特基二极管做电压钳位防护，进而吸收GaN VDS关断振铃电压，相关典型应用电路参考如下图1所示。

图1：激光雷达应用中肖特基二极管用于防护激光二极管LD反钳位设计典型应用电路示意图

此肖特基二极管选型因素参考如下：

1、高耐压：车载机械式旋转激光雷达VBUS母线电压实际使用一般在75V左右，为保证产品的可靠性，预留20%裕量，选择耐压为100V的肖特基二极管即可。

2、高IFSM

3、低VF

4、小尺寸封装

5、通过AEC-Q101

针对如上设计需求，推荐ROHM（罗姆）肖特基二极管RB168VYM100FHTR，采用SOD-323HE封装，其最大反向重复峰值电压VRM和最大反向电压VR额定值均为100V，最大平均正向整流电流为1A，最大工作结温达150℃，通过AEC-Q101认证，典型电性参数参考如下图2所示。

图2：ROHM（罗姆）肖特基二极管RB168VYM100FHTR典型电性参数

推荐ROHM（罗姆）肖特基二极管RB168VYM100FHTR理由如下：

1、小尺寸：采用SOD-323HE封装，封装尺寸1.4mm x 2.5mm，满足小型化设计需求；

2、超低IR：最大反向饱和漏电流低至0.3μA，热损耗更低，具有更高的可靠性；

3、低VF：正向压降VF最大值仅为0.84V，可降低所需电压的条件，有利于电路启动；

4、高IFSM：正向浪涌电流峰值IFSM高达5A，能够有效保护电路确保器件的稳定工作；

5、平台常备库存，具有良好的供货交期，可以快速支持样品和量产服务。

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闲云 Lv7. 资深专家 2020-05-14

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