【产品】具有双向阻断能力特性的双镓氮增强型场效应晶体管INN040W048A，漏极导通电阻最大值为4.8mΩ
英诺赛科推出双镓氮增强型场效应晶体管(HEMT)器件INN040W048A，器件基于先进的低压双向-氮化镓（Bi-GaN）技术，实现超低导通电阻。
特性
双向阻断能力特性
采用GaN-on-Silicon增强型HEMT技术
超低导通电阻
应用
高侧负载开关
智能手机USB端口内的过压保护
多电源系统中的开关电路
关键性能参数
表1 在工作温度Tj = 25℃条件下的关键性能参数
管脚信息
表2 管脚
表3 订购信息
最大额定值
除非另有说明，否则操作温度Tj = 25℃ 。持续在最大额定值条件下使用会损害晶体管的寿命。
表4 最大额定值
电气特征
除非另有说明，否则Tj = 25℃
表 6 静态特性
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目录- HV GaN FET LV GaN FET & Wafer
型号- INN150LA070A,INN650DA04,INN650D260A,INN650D150A,INN100W08,INN040LA015A,INN100W14,INN650D190A,INN650D080B,INN40W08,INN650N500A,INN650D350A,INN040W048A,INN650TA030A,INN650DA190A,INN650DA350A,INN650N260A,INN650DA150A,INN650DA260A,INN100W032A,INN650N150A,INN650TA080A,INN650N140A,INN650N240A
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