【产品】具有双向阻断能力特性的双镓氮增强型场效应晶体管INN040W048A，漏极导通电阻最大值为4.8mΩ

时间： 2022-11-23 来源：英诺赛科

技术问答

英诺赛科推出双镓氮增强型场效应晶体管(HEMT)器件INN040W048A，器件基于先进的低压双向-氮化镓（Bi-GaN）技术，实现超低导通电阻。

特性

双向阻断能力特性
采用GaN-on-Silicon增强型HEMT技术
超低导通电阻

应用

高侧负载开关
智能手机USB端口内的过压保护
多电源系统中的开关电路

关键性能参数

表1 在工作温度Tj = 25℃条件下的关键性能参数

管脚信息

表2 管脚

表3 订购信息

最大额定值

除非另有说明，否则操作温度T_j= 25℃ 。持续在最大额定值条件下使用会损害晶体管的寿命。

表4 最大额定值

电气特征

除非另有说明，否则T_j = 25℃

表 6 静态特性

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