【应用】高性能隔离驱动芯片SID11x2K在APF中的应用,实现IGBT模块短路、直通故障保护
目前电网的电能质量(谐波、无功等)问题越来越严重,对于APF、SVG等电能质量产品的需求也越为迫切。主流的电能质量产品的拓扑电路通常为I型三电平,其开关频率高、能够满足高次谐波的滤波需求,而且体积小、重量轻,方便安装。如图1所示:
图1:I型三电平APF框图
市面上常见的50kVA APF采用的功率器件通常都是I型三电平模块,这款模块采用4个IGBT串联组成,在出现控制逻辑错误或受到EMC干扰严重时,容易出现直通或短路故障。这给其驱动电路设计带来很大的挑战,PI推出的高性能隔离驱动芯片SID11x2K可以帮助工程师完美解决上述问题。如图2所示:
图2:PI高性能隔离驱动SID11x2K
该隔离驱动芯片包含的系列型号及推荐应用如表1:
表1:SID11x2K系列型号及推荐应用
SID11x2K系列隔离驱动基于fluxlink专利技术,最高可支持峰值电流8A输出,在无需外加推挽电路的前提下可驱动600A的IGBT模块,同时其开关频率最高支持到250kHz,传输延迟时间低于260ns。集成度非常高,只需采用单电源给驱动侧供电,内部集成+15V稳压电路,最大限度减少外围器件。同时,该驱动芯片集成Vce退饱和检测功能,可以在IGBT出现短路或直通故障时,及时检测出Vce压降的变化,同时软关断IGBT,保证IGBT模块不会出现炸机故障。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由zyliuliu提供,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关推荐
【应用】驱动电流高达2.5A的光耦隔离驱动器PS9402-V-E3-AX可对SVG系统上的PWM信号进行功率放大
SVG无功补偿装置,在其控制器和高压大功率电子开关(如IGBT)之间,需要具有一定驱动能力和隔离性能的驱动芯片来实现对主控制器输出的PWM信号进行功率放大。这里结合该系统的需求,介绍了RENESAS的光耦隔离驱动器PS9402-V-E3-AX相关优势特性,供读者参考。
应用方案 发布时间 : 2023-05-24
【应用】基于TinySwitch-III系列TNY279G设计的非隔离14W LED驱动电源,效率>85%
本文讲述Power Intagrations推出的TinySwitch-III系列非隔离反激式转换器TNY279G用于14W LED照明非隔离电源:输入电压为85-265 VAC,输出电压为20 V/0.7A,采用反激式拓扑结构。设计特色 • 成本低、元件数量少 • 在20MHZ带宽下,纹波<600 mV• 输出端均具有良好的交叉稳压 • 最高环境温度达到70 ℃ 图1所示的非隔离反激式转换器设计
应用方案 发布时间 : 2020-02-28
【应用】采用LNK406EG LED驱动器IC的15.3 W隔离反激式LED驱动器方案,具有可调光和功率因数校正功能
Power Integrations推出具有一种425 mA / 36 V隔离式高功率因数(PF)可控硅可调光LED驱动器方案,满足输入电压范围185 VAC 至265 VAC。 LED驱动器IC采用 LinkSwitch-PH系列下 的LNK406EG。
应用方案 发布时间 : 2020-01-06
【经验】如何正确测试IGBT门极驱动波形?
本文以vincotech E3半桥IGBT模块(A0-VS122PA600M7-L759F70)和PI隔离驱动(SID1182K)为例,介绍在实际的IGBT驱动电路中如何正确测试门极驱动波形。
设计经验 发布时间 : 2018-12-19
【经验】采用Si8285隔离驱动器实现SiC MOS管可靠驱动和保护
在SiC MOS管出现短路或直通故障时,通过其DS间的电流值会瞬间增大到额定电流的数倍以上,此时如果不能及时关断SiC MOS管的栅极驱动电压,SiC MOS管会由于热量迅速累积而损坏。采用Silicon Labs推出的Si8285集成的Vcesat退饱和保护功能,可以实时监测SiC MOS管的Vds电压,一旦Vds电压进入退饱和状态,会立即软关断SiC MOS管,实现保护功能。
设计经验 发布时间 : 2019-02-26
【方案】100KW电动汽车电机驱动优选元器件方案
描述- 本方案采用Vincotech的E3系列IGBT模块、Power Integrations的隔离驱动、Melexis的电流传感器和Littelfuse的SIC MOSFET等器件组成的电机驱动电路,同时配备蓄电池备用辅助电源,实现大功率电机驱动安全高效、节能环保的目的。
型号- SMCJ24CA,LSIC1MO170E1000,L50QS200.V,A0-VS122PA600M7-L759F70,R7F701271EAFP#YK1,TFLEX HD300,EKXJ451ELL470ML25S,TPCM780,SGM2036-3.3YN5G/TR,SID1182KQ,SI8621BD-B-ISR,MLX91208LDC-CAL-000-SP
【方案】35kV,10MW的SVG优选元器件方案
描述- SVG多采用先进的多电平链式电路拓扑结构,以阶梯波逼近正弦波,产生谐波极小。搭建拓扑时,考虑兼容和建议设计,主拓扑多采用1200V/600A的半桥架构IGBT模块。本方案推荐的Vincotech的E3系列的1200V/600A的半桥模块(A0-VS122PA600M7-L759F70)和飞尔康的高低压隔离光纤收发器(FT05MHNR/FR05MHCR)均为兼容式封装,可实现灵活搭建SVG系统。
型号- SM712-02HTG,SID11X2,SMBJ,SMAJ,SMDJ,FT05MHNR,SMCJ,TFLEX HD700,AVP32F335,TGARD500,SMF,2SC0108T2G0-17,A0-VS122PA600M7-L759F70,FR05MHCR,SM24CANA-02HTG
【经验】教你掌握IGBT双脉冲测试的方法和意义
在使用一款IGBT时,我们通常会参考datasheet中给定的参数,但实际应用中外部参数是变化的,要实际观测上述参数,最直观的方法就是双脉冲测试法。本文采用Vincotech E3半桥IGBT模块(A0-VS122PA600M7-L759F70)和PI隔离驱动芯片(SID1182K)设计一款双脉冲测试设备。教你掌握IGBT双脉冲测试的方法和意义
设计经验 发布时间 : 2019-01-28
求一款英飞凌FF600R12ME4的驱动芯片,汽车级应用的?
在驱动器方面,推荐PI品牌的SID1182KQ,可以参考文章:【经验】教你验证SID1182K隔离驱动芯片能否驱动600A/1200V IGBT模块。在IGBT方面,推荐Vincotech E3模块A0-VS122PA600M7-L759F70,规格为1200V/600A,可Pin To Pin兼容FF600R12ME4半桥 IGBT功率模块,同时相比FF600R12ME4可降低5~10%设计成本。
技术问答 发布时间 : 2019-01-16
【经验】教你验证SID1182K隔离驱动芯片能否驱动600A/1200V IGBT模块
IGBT驱动电路设计的优劣、驱动参数设置是否合理,关系到IGBT能否长期稳定的工作。本文我们就以Vincotech的IGBT模块(A0-VS122PA600M7-L759F70)和PI隔离驱动芯片(SID1182K)为例,验证SID1182K能否驱动600A/1200V IGBT模块。
设计经验 发布时间 : 2019-01-02
【方案】10kV,2MW的SVG优选器件方案
描述- SVG多采用先进的多电平链式电路拓扑结构,以阶梯波逼近正弦波,产生谐波极小。搭建拓扑选泽核心器件IGBT时,需考虑高压大电流特性,损耗小,具备NTC测温电阻(可直接检测IGBT内部温度),过温保护精确以及应用灵活的特性。基于性能和应用灵活性,IGBT模块多采用半桥架构。
型号- SI86XX,A0-VP122PA450M7-L758F70,SID11X2,SMBJ,SMAJ,SMDJ,FT05MHNR,SMCJ,TFLEX HD700,TGARD500,SMF
力特的IGBT驱动有能驱动1700的管子的吗?能通用吗,驱动其他品牌?
可以直接驱动1700V的IGBT的隔离驱动芯片,推荐PI的SID1183K,最高峰值驱动电流可达8A,相关技术资料下载链接:https://www.sekorm.com/doc/61546.html。
技术问答 发布时间 : 2018-10-29
新能源汽车电机控制器中IGBT,芯片,电容未来的技术发展趋势?
新能源汽车电机控制器,未来会朝着高功率密度、低损耗、高效率的方向发展。对于具体的器件应用: 1)IGBT使用最新一代晶圆,采用先进的的封装工艺,实现更低的开关和导通损耗。代表产品为Vincotech的E3系列模块; 2)电驱控制器高度集成,功率密度高。需要使用耐高温、纹波承受能力强的薄膜电容,代表产品为WIMA DC-LINK MKP 4系列; 3)IGBT驱动芯片需要集成饱和压降检测、软关断功能,且需要较强的驱动能力。代表产品为PI的Idriver系列。 相关资料可以在世强官网或者APP搜索。
技术问答 发布时间 : 2017-03-21
【方案】低成本4kW双轴伺服驱动优选元器件方案
描述- 本方案采用 Vincotech 公司的 flowPACK0 封装六管模块、Renesas 公司的 IGBT 单管制动、 Renesas 公司的隔离驱动及相关器件,相比于 PIM 模块方案,在满足产品性能前提下,将产品的成本降低到合理的范围,提升产品竞争力。
型号- TNY280,2SK2225-80-E,0505025.MX52LEP,SI838,SGM2036-ADJYC5G/TR,TOP268,SMBJ18CA,V23990-P865-F49-PM,D45XT80,SI8261,PS9402,SGM601,SI8931,SI8921,R7S910035,RJH60F5DPQ-A0,SMT-R0068-1.0,SI894,TFLEX HD700
用在APF项目上Pin To Pin替代TLP350,要求欠压锁定电压为12V,有没有合适的电容隔离驱动型号推荐?
推荐Silicon Labs电容隔离驱动SI8261BCC-C-IP,欠压锁定电压为12V,为DIP8贴片封装,可以Pin To Pin替换TLP350,可以满足要求,具体选型资料参看 如下链接:https://www.sekorm.com/doc/42032.html。
技术问答 发布时间 : 2018-09-03
电子商城
现货市场
服务
提供电机的输出反电势波形测试、驱动芯片输入/输出波形测试服务,帮助您根据具体应用场景来选择适合的电机驱动芯片型号,确保电机驱动芯片能够与其他系统组件协同工作达到最佳效果。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
实验室地址: 成都 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz,插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量: 1pcs 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论