【产品】采用PDFN5×6封装的N沟道场效应管BRCS035N10SHZC，VDS值为100V
蓝箭电子推出的N沟道场效应管BRCS035N10SHZC，采用PDFN5×6封装。具有低电阻可最大地降低导电损耗，低栅极电荷，可实现快速切换，低热阻的特征。该产品可用于电池管理，MB/NB/UMPC/VGA高频负载点同步Buck变换器，联网直流-直流电力系统，负荷开关等，其VDS值100V，ID值为168A，Tj和Tstg温度范围为-55～150℃，为无卤产品。
特征：
低电阻可最大地降低导电损耗；低栅极电荷，可实现快速切换；低热阻；无卤产品。
用途：
电池管理，MB/NB/UMPC/VGA高频负载点同步Buck变换器，联网直流-直流电力系统，负荷开关。
极限参数（Ta=25℃）
电性能参数（Ta=25℃）
外形尺寸图：
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由提灯破云转载自蓝箭电子，原文标题为:BRCS035N10SHZC，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
相关推荐
【产品】漏源电压20V的N沟道低压MOS管NTR4003N，采用SOT-23封装，导通电阻1.5Ω
SLKOR的低压MOS管NTR4003N是一种N沟道低压MOS管，适用于DC-DC转换器、电池管理和其他低压应用。该器件具有漏源电压20V、导通电阻1.5Ω和连续漏极电流560mA的特性，可在小型封装中实现高效的功率转换。
产品 发布时间 : 2023-08-26
【产品】60V/85A无卤低热阻N沟道场效应管BRCS035N06SZC，低栅极电荷可实现快速切换
蓝箭电子N沟道场效应管BRCS035N06SZC，采用PDFN5*6封装。低电阻可最大地降低导电损耗；低栅极电荷，可实现快速切换；低热阻，是一种无卤产品。VDS值为60V，ID值为85A，Tj和TSTG温度范围-55~+150°C。
产品 发布时间 : 2022-08-20
【产品】低输入电容的无卤N沟道MOS场效应管BRCS6570SC，适用于负荷开关及转换开关
蓝箭电子推出的BRCS6570SC是一款采用SOP-8塑封封装无卤N沟道MOS场效应管。具有低导通电阻，低输入电容，开关速度快的特征，适用于负荷开关，转换开关。
产品 发布时间 : 2022-04-15
安邦场效应管选型表
车规级别的场效应管，四种类别场效应管，分别是互补式，双通道，N沟道，P沟道，适用于超小型便携式电池管理，电子产品，负载切换，电源切换，接口切换，逻辑电平转换等。
|
产品型号
|
品类
|
VDS_Max (V)
|
VGS_Max (V)
|
Ciss_Typ (pF)
|
AEC-Q101 Qualified
|
VGS(th)_Max (V)
|
ID_Max (A)
|
RDS(ON)_Max @ VGS = 4.5V (mΩ)
|
RDS(ON)_Max @ VGS = 2.5V (mΩ)
|
ESD
|
Channel Type
|
RDS(ON)_Max @ VGS = 1.8V (mΩ)
|
Package
|
Tj (℃)
|
|
AS2002ET-Q1
|
场效应管
|
20V
|
±12V
|
79pF
|
AEC-Q101 Qualified
|
1V
|
0.75A
|
380mΩ
|
450mΩ
|
ESD
|
N
|
800mΩ
|
SOT-523
|
150℃
|
选型表 - 安邦 立即选型
【选型】国产N沟道MOS场效应管满足NCE3050K的替代要求，输入电容低至1015pF
扬杰科技的N MOS YJD50N03A可以替换国产新功率NCE3050K，导通阻抗比传统MOS更低。广泛应用在电池管理，PD及无线充电的低电压大电流的应用架构里。
器件选型 发布时间 : 2021-09-25
【产品】PDFN5×6封装的无卤N沟道场效应管BRCS060N04SZC，Tj温度范围-55～150℃
蓝箭电子推出的PDFN5×6封装N沟道场效应管BRCS060N04SZC，具有低电阻可最大地降低导电损耗、低栅极电荷、可实现快速切换，低热阻的特征。VDS值40V，ID值为30A，Tj和Tstg温度范围为-55～150℃，无卤。
产品 发布时间 : 2023-01-12
【产品】TO-220塑封封装N沟道场效应管BRCS3710BRA，适用于高效DC/DC转换和功率开关
蓝箭电子推出的TO-220塑封封装N沟道场效应管BRCS3710BRA，具有阻抗低，开关速度快的特征。该器件适用于高效DC/DC转换和功率开关，其VDSS值100V，ID(Tc=25℃)值为50A，Tj和Tstg温度范围为-55～150℃。
产品 发布时间 : 2023-04-01
【产品】蓝箭电子推出PDFN5×6封装N沟道场效应管BRCS060N08HZC，Tj温度范围-55～150℃
蓝箭电子推出PDFN5×6封装N沟道场效应管BRCS060N08HZC，具有低电阻可最大地降低导电损耗，低栅极电荷，可实现快速切换，低热阻的特征。其VDS值80V，ID值为85A，Tj和Tstg温度范围为-55～150℃。
产品 发布时间 : 2023-02-01
【产品】蓝箭电子推出的N沟道场效应管BRCS18N20DP，采用TO-252塑封封装，Tj温度范围为-55～150℃
蓝箭电子推出的采用TO-252塑封封装的N沟道场效应管BRCS18N20DP，具有低栅电荷,导通电阻低，快速切换应用的优化的特征。该器件适用于低压电路如：汽车电路、DC/DC转换、便携式产品的电源高效转换。
产品 发布时间 : 2023-05-02
【应用】合科泰NMOS管助力PD快充、电池管理系统、电动工具应用，具有导通内阻低、小封装、性能稳定等特点
作为一家专业的分立器件制造商，合科泰生产的二三级管、MOS管、桥堆等产品在市场上应用广泛，本期合科泰主要给大家讲解N沟道MOSFET产品HKTQ50N03与HKTQ80N03的典型应用案例。
应用方案 发布时间 : 2023-02-17
【产品】TO-220F塑封封装N沟道MOS场效应管BRCS65R190FAG，具有650V超结功率场效应管
蓝箭电子推出的TO-220F塑封封装N沟道MOS场效应管BRCS65R190FAG，具有650V超结功率场效应管，RDS(on)×Qg很低，100%雪崩测试的特征。该器件适用于开关电源、不间断电源、功率因数校正等，其VDSS值650V，ID值为20A。
产品 发布时间 : 2023-05-07
【产品】TO-220塑封封装N沟道场效应管BRCS18N20RA，具有低栅电荷、导通电阻低的特点
蓝箭电子推出的TO-220塑封封装N沟道场效应管BRCS18N20RA，具有低栅电荷，导通电阻低，快速切换应用的优化等特征。该器件适用于低压电路如：汽车电路、DC/DC转换、便携式产品的电源高效转换。
产品 发布时间 : 2023-05-09
电子商城
现货市场
服务
提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务，使用直流电源分析仪测量精度达50µV，8nA，波形发生器带宽100kHz，输出功率300W，示波器200kHz，512 kpts
实验室地址： 深圳/苏州 提交需求>
可烧录IC封装SOP/MSOP/SSOP/TSOP/TSSOP/PLCC/QFP/QFN/MLP/MLF/BGA/CSP/SOT/DFN；IC包装Tray/Tube/Tape；IC厂商不限，交期1-3天。支持IC测试（FT/SLT），管装、托盘装、卷带装包装转换，IC打印标记加工。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论