【产品】800V!助力小型化大功率设计的耐高压MOSFET

2017-05-15 世强
MOSFET,PFC,电力电子功率器件,电力电子功率模块 MOSFET,PFC,电力电子功率器件,电力电子功率模块 MOSFET,PFC,电力电子功率器件,电力电子功率模块 MOSFET,PFC,电力电子功率器件,电力电子功率模块

Central推出的大功率N沟道MOSFET具有耐高压、开关速度快的优点,可广泛用于PFC、照明以及功率逆变器的设计。其中800V高压MOSFET产品包括CDM3-800CDM2205-800FP以及CDM2208-800FP


Central推出的800V高压MOSFET的漏极-源极电压最高可达800V,其连续漏极电流可达8A,适合大功率设计。同时,该系列MOSFET具有低导通阻抗,最小导通阻抗仅1.42Ω,减小了自身功率耗散,应用中发热更低,且其栅极总电荷最低仅3.7nC,在高速开关应用中,具有更低的损耗,实现更高的效率。此外,该系列MOSFET的阈值电压最低2.0V,更容易驱动,并简化了设计。


该系列MOSFET产品工作结温范围为-55~+150℃。封装方面,CDM3-800采用DPAK封装,CDM2205-800FP和CDM2208-800FP采用TO-220FP封装,相比于同类产品体积更小,可实现更高功率密度,适合小型化设计

CDM3-800,CDM2205-800FP,CDM2208-800FP的特点:
漏极-源极电压可达800V
连续漏极电流

-- 3A(CDM3-800)

-- 5A(CDM2205-800FP)

-- 8A(CDM2208-800FP)
导通阻抗最小1.42Ω
阈值电压最低2.0V
栅极总电荷最低3.7nC
工作结温范围-55~+150℃
封装

-- DPAK(CDM3-800),

-- TO-220FP(CDM2205-800FP,CDM2208-800FP)


CDM3-800,CDM2205-800FP,CDM2208-800FP的应用:
PFC
固态照明
替代能源逆变器


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  • 小小的 Lv6. 高级专家 2018-11-11
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  • ZZG Lv7. 资深专家 2017-10-12
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