耐压650V的氮化镓开关管INN650DA260A,适用于65-120W反激架构及120-200W LLC架构

2022-02-23 充电头
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自从氮化镓器件应用到USB PD充电器以后,充电器的转换效率就提高了好几个点。氮化镓应用到充电器中,其高频优势大幅降低了开关损耗,低导阻降低了导通损耗。氮化镓的大规模应用,将传统硅半导体器件限制打破,提高充电器的开关频率,减小变压器的体积。同时氮化镓的高效优势,降低了充电器工作的温升,降低散热需求,打造出高性能小体积的充电器。

图 1

使用英诺赛科氮化镓器件的30W氮化镓充电器与使用硅器件的充电器对比,左侧为大家熟悉的五福一安,右侧同样为30W功率的USB PD充电器,中间使用氮化镓的充电器,同等功率的体积可以做到常规硅器件大概1/4的体积,并且还是折叠插脚,性能优势非常明显。


英诺赛科推出了一款高性价比氮化镓开关管,型号为INN650DA260A,这是一颗耐压650V的氮化镓高压单管,瞬态耐压750V,得益于工艺改进,相比英诺赛科之前的氮化镓器件,性能有明显的提升,适用于65-120W的反激架构,120-200W的LLC架构。


NN650DA260A支持超高开关频率,无反向恢复电荷,具有极低的栅极电荷和输出电荷,符合JEDEC标准的工业应用要求,内置ESD保护,符合RoHS、无铅、欧盟REACH法规。

图  2

NN650DA260A关键参数

表 1参数

订购信息

表 2

英诺赛科INN650DA260A采用DFN5*6封装,相比DFN8*8,体积明显减小,功率密度有较大提升。可用于开关电源、DC-DC转换、图腾柱PFC、电池快充、高能效高功率密度功率转换应用。


在半导体国产化的大时代背景下,借助USB PD普及的东风,英诺赛科InnoGaN系列产品在消费类电源大放异彩,凭借着性能和成本优势,成功获得努比亚、Lapo、飞频、REMAX、QCY等数十家知名品牌和厂商的上百款产品采用,并且均得到良好的市场反馈,其高压GaN的出货量也突破了900万颗大关,成为全球GaN功率器件出货量最大的品牌之一。


英诺赛科持续为客户推出先进的氮化镓解决方案,并与合作伙伴共同推出优秀的氮化镓应用方案,助力第三代半导体器件普及。英诺赛科是市面上唯一一家高低压产品都已经量产出货的公司,器件广泛应用于多个新兴领域,如快充、5G通信、人工智能、自动驾驶和数据中心等。在这些领域中,发挥氮化镓的优势,提高电源效率。通过高效率的电源转换,推动绿色低碳发展。

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型号- TSR16L45CT,SMCJ36CA,LSB806E50,SMDJ12A,SMDJ43CA,SMBJ51A,SMBF33CA,MUR3060CTF,SMF10CA,WRMSB30M,SMDJ13A,MMBT4401,MMBT4403,SMDJ78CA,S3M-C,S3M-B,SMDJ11A,SMF26A,ES8KSP,SMF45CA,MBR60150PT,SMCJ14CA,SMCJ78A,MUR4020CT,MURE860ACT,SMBFJ90CA,SMDJ10A,MBR10200CT,ABD-10FL,SMBF11CA,MURE860ACF,SMAFJ100CA,SMCJ100CA,TSP5S150AF,TSP3L60FL,TSP15L80SP,SMF120CA,MURE1620CTF,BZT52C8V2,SMAF13CA,SMDJ170A,SMAJ70A,SMBF68CA,SMF24A,SMDJ58A,TSP10S150D-S,TSA5L300,TSR40L200CTF,SMCJ30A,GBU310,SMAFJ6.5CA,SMBFJ15CA,TSP2L40FL,SMF58CA,SMCJ75A,SMAJ100A,SMF22A,TSR20S100CTF,D3K310,PDF1V05CB,SMDJ30CA,LSB80M,DXB8003E50,SMDJ54A,SMDJ160CA,SMF36CA,SMA8.2A,MBR40100CTF,PSD3L24C,SMAFJ30CA,MBR40100CTB,MBR10100CTB,MUR860ACT,MBR10100CTF,GBU606E50,SMCJ220CA,SMF20A,MUR1620CTR,MUR860ACF,SMBF24CA,SMBFJ28CA,MUR1620CTF,MUR1620CTB,TSP3L60AF,SMAF22CA,BAV20WS,BZX84C9V1,SMF14CA,SMBF8.2CA,MBR20100CT,ES3G-SMC,ES3G-SMB,MURE4060CTFR,WRMSB30MG,TSP10V60SP,SMB6.8A,SMBF180CA,TSR20A60CT,SMDJ51A,MURE4020CT,KBJ406,SMCJ18CA,TSR20L200CT,DXB6006E50,TSP5V100AF,TSR60L100PT,MBR30200CTB,TSP10L100BF,WRGBP210,MURE1640CTF,SMDJ120CA,TSR10L200CTF,SMAFJ17CA,SMAF200CA,TSP20A150P6,PDF1U05C,SMAFJ70CA,SMBJ90A,SMF64A,TSP15L100SP,GBU1506L,PDF2L05C,TSR10V150CT,SMBF15CA,SS26-SMB,MUR1640CT,SMCJ70A,MBR6045PTS,US1M,SMBJ5.0A,SR1045,SMB27A,TSA10V120,SMCJ100A,SMAF7.5CA,GBJ2503E50,SS24-SMB,SS24-SMA,RBU810,SMAFJ220CA,MBR30150CTF,TSA8L60,ES2J-SMB,ES2J-SMA,SMBFJ8.0CA,TSR40L60CT,LSB40M,SMDJ5.0A,SR1060,WRKBJ1510,KMB110F,TSP1L40S,SMBJ170A,SMB 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2022-09-02 -  产品 代理服务 技术支持 批量订货

钰泰半导体同步整流芯片ETA80033,内置5mΩ同步整流管,被意象40W 1A1C氮化镓充电器采用

充电头网拿到了意象的一款40W双口氮化镓充电器,通过拆解了解到,意象这款40W氮化镓充电器采用茂睿芯MK2788氮化镓合封芯片搭配钰泰ETA80033同步整流芯片组成开关电源,两款芯片均为内部集成开关管,外围元件精简。

2024-10-25 -  应用方案 代理服务 技术支持 批量订货

DK8607AD集成双氮化镓功率管的有源钳位反激电源管理芯片

描述- DK8607AD是一款集成双氮化镓功率管的有源钳位反激电源管理芯片,适用于高功率密度快速充电器和适配器等应用。该芯片通过漏感能量实现ZVS和ZCS,提高电源效率,降低功率管应力,并具备完善的保护功能。

型号- DK8607AD

2024/4/19  - 东科半导体  - 数据手册  - 版本 1.3 代理服务 技术支持 批量订货 查看更多版本

东科推出合封氮化镓全链路解决方案,覆盖QR、ACF、AHB等多种拓扑架构

合封氮化镓芯片的优势在于其将控制器、驱动器和功率管集成在一个芯片内部,这样可以降低寄生参数在高频下带来的干扰,减少元件数量,从而简化电路设计,提高电路的稳定性和可靠性。此外,合封氮化镓芯片的体积更小、功率密度更高,这使得它在电源设计中具有更高的空间利用率。

2024-02-08 -  应用方案 代理服务 技术支持 批量订货
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品牌:聚能创芯

品类:氮化镓MOS

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品牌:英诺赛科

品类:transistor

价格:¥5.5200

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品牌:英诺赛科

品类:GaN FET

价格:¥10.8000

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品牌:英诺赛科

品类:GaN FET

价格:¥3.7500

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品牌:英诺赛科

品类:GaN FET

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品牌:英诺赛科

品类:GaN Enhancement-mode Power Transistor

价格:¥2.7480

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品牌:英诺赛科

品类:GaN Enhancement-mode Power Transistor

价格:¥9.3000

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品牌:英诺赛科

品类:GaN Enhancement-mode Power Transistor

价格:¥2.5500

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品牌:英诺赛科

品类:E-Mode GaN FET

价格:¥3.5595

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品牌:英诺赛科

品类:E-Mode GaN FET

价格:¥3.5595

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品牌:英诺赛科

品类:E-Mode GaN FET

价格:¥4.7460

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PD/QC快充测试

满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要;并可查看被测开关电源支持协议,诱导多种充电协议输出,结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。

实验室地址: 深圳 提交需求>

高频变压器定制

可定制平板变压器、主变压器的开关频率2MHz以内、输入电压1400V以内、输出电压1400V以内,50%以上的产品采用自动化生产,最快3天提供样品、7天交货。

最小起订量: 3000 提交需求>

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