耐压650V的氮化镓开关管INN650DA260A,适用于65-120W反激架构及120-200W LLC架构

2022-02-23 充电头
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自从氮化镓器件应用到USB PD充电器以后,充电器的转换效率就提高了好几个点。氮化镓应用到充电器中,其高频优势大幅降低了开关损耗,低导阻降低了导通损耗。氮化镓的大规模应用,将传统硅半导体器件限制打破,提高充电器的开关频率,减小变压器的体积。同时氮化镓的高效优势,降低了充电器工作的温升,降低散热需求,打造出高性能小体积的充电器。

图 1

使用英诺赛科氮化镓器件的30W氮化镓充电器与使用硅器件的充电器对比,左侧为大家熟悉的五福一安,右侧同样为30W功率的USB PD充电器,中间使用氮化镓的充电器,同等功率的体积可以做到常规硅器件大概1/4的体积,并且还是折叠插脚,性能优势非常明显。


英诺赛科推出了一款高性价比氮化镓开关管,型号为INN650DA260A,这是一颗耐压650V的氮化镓高压单管,瞬态耐压750V,得益于工艺改进,相比英诺赛科之前的氮化镓器件,性能有明显的提升,适用于65-120W的反激架构,120-200W的LLC架构。


NN650DA260A支持超高开关频率,无反向恢复电荷,具有极低的栅极电荷和输出电荷,符合JEDEC标准的工业应用要求,内置ESD保护,符合RoHS、无铅、欧盟REACH法规。

图  2

NN650DA260A关键参数

表 1参数

订购信息

表 2

英诺赛科INN650DA260A采用DFN5*6封装,相比DFN8*8,体积明显减小,功率密度有较大提升。可用于开关电源、DC-DC转换、图腾柱PFC、电池快充、高能效高功率密度功率转换应用。


在半导体国产化的大时代背景下,借助USB PD普及的东风,英诺赛科InnoGaN系列产品在消费类电源大放异彩,凭借着性能和成本优势,成功获得努比亚、Lapo、飞频、REMAX、QCY等数十家知名品牌和厂商的上百款产品采用,并且均得到良好的市场反馈,其高压GaN的出货量也突破了900万颗大关,成为全球GaN功率器件出货量最大的品牌之一。


英诺赛科持续为客户推出先进的氮化镓解决方案,并与合作伙伴共同推出优秀的氮化镓应用方案,助力第三代半导体器件普及。英诺赛科是市面上唯一一家高低压产品都已经量产出货的公司,器件广泛应用于多个新兴领域,如快充、5G通信、人工智能、自动驾驶和数据中心等。在这些领域中,发挥氮化镓的优势,提高电源效率。通过高效率的电源转换,推动绿色低碳发展。

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品牌:英诺赛科

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品类:E-Mode GaN FET

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品牌:英诺赛科

品类:E-Mode GaN FET

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满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要;并可查看被测开关电源支持协议,诱导多种充电协议输出,结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。

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