【产品】20V/6A N沟道增强型功率MOSFET RU206B，可用于负载开关和PWM应用
锐骏半导体推出一款SOT23封装的N沟道增强型功率MOSFET——RU206B，采用超高密度单元设计，漏源电压最大额定值为20V，连续漏极电流最大额定值为6A（TA=25℃），具有低导通电阻特性，可靠、坚固，可用于负载开关和PWM应用。
产品封装及内部电路图
产品特点
20V/6A
RDS(ON)=20mΩ（典型值）@VGS=4.5V
RDS(ON)=26mΩ（典型值）@VGS=2.5V
低导通电阻
超高密度单元设计
可靠、坚固
无铅、绿色环保器件，满足RoHS标准
应用
负载开关
PWM应用
最大额定参数(TA=25℃，除非特别说明)
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