【产品】20V/6A N沟道增强型功率MOSFET RU206B，可用于负载开关和PWM应用

时间： 2022-04-13 来源：锐骏半导体

代理服务

技术支持

现货查询

批量订货

锐骏半导体推出一款SOT23封装的N沟道增强型功率MOSFET——RU206B，采用超高密度单元设计，漏源电压最大额定值为20V，连续漏极电流最大额定值为6A（T_A=25℃），具有低导通电阻特性，可靠、坚固，可用于负载开关和PWM应用。

产品封装及内部电路图

产品特点

20V/6A

R_DS(ON)=20mΩ（典型值）@V_GS=4.5V

R_DS(ON)=26mΩ（典型值）@V_GS=2.5V

低导通电阻

超高密度单元设计

可靠、坚固

无铅、绿色环保器件，满足RoHS标准

应用

负载开关

PWM应用

最大额定参数(T_A=25℃，除非特别说明)

订购信息

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由董慧翻译自锐骏半导体，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

全部评论（0）

暂无评论

【产品】采用SOT23-3封装的N沟道增强型功率MOSFET RU207C，可用于电源管理应用

锐骏半导体推出一款SOT23-3封装的N沟道增强型功率MOSFET——RU207C，采用超高密度单元设计，漏源电压最大额定值为20V，连续漏极电流最大额定值为6A（TA=25℃），具有低导通电阻特性，可靠、坚固，可用于电源管理应用。

2022-04-18 - 产品代理服务技术支持现货查询批量订货

【产品】60V/200A N沟道增强型功率MOSFET RU6199R，可用于汽车，SMPS的高效同步等领域

RU6199R是锐骏半导体推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，该产品可靠、坚固、无铅环保，可应用于汽车，SMPS的高效同步、高速电源等。

2022-04-08 - 产品代理服务技术支持现货查询批量订货

【产品】采用PDFN5060封装的N沟道增强型功率MOSFET RU3089M，漏源电压为30V

锐骏半导体推出采用PDFN5060封装的N沟道增强型功率MOSFET RU3089M，漏源电压为30V，TC=25℃时，连续漏极电流为90A（VGS=10V）。该器件无铅和绿色环保，适用于DC/DC转换器、负载开关和同步整流。

2022-09-14 - 产品代理服务技术支持现货查询批量订货

锐骏半导体MOSFET选型表

锐骏半导体提供以下参数的MODFET：Channel:P/N+P/Dual+P/Dual-P; ESD Diode :N/Y;VDSS:-40~85V;VTH:-3~5V;IDS:-70~230A

产品型号	品类	Channel	ESD Diode (Y/N)	VDSS(V)	VTH(V)	IDS(A)@TA=25℃ (A)	RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-4.5V (mΩ)	RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-2.5V (mΩ)	Package
RU207C	MOSFET	N	N	20	0.5-1.1	6	10	15	SOT23-3

选型表 - 锐骏半导体立即选型

AM50N06 MOSFET 60V 50A N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

型号- AM50N06,AM50N06PJ8R,AM50N06PJ8VR

OCT 2024 - AIT - 数据手册 - REV1.0 代理服务技术支持现货查询批量订货

【产品】30V/81A的N沟道增强型功率MOSFET RM80N30DF，采用DFN5X6-8L封装

RM80N30DF是丽正国际推出的一款采用DFN5X6-8L封装的N沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，适用于负载开关或PWM应用。

2019-11-22 - 新产品代理服务技术支持现货查询批量订货

RM3416 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

型号- RM3416

2019-02/15 - 丽正国际 - 数据手册 - REV:A 代理服务技术支持现货查询批量订货

【产品】30V，N沟道增强型功率MOSFET AM3400A，适合高效率、高开关频率的应用

AiT推出的AM3400A是N沟道增强型功率MOSFET，采用沟槽DMOS技术，在25°C的环境温度下，AM3400A可以承受的极限漏源电压为30V，极限栅源电压为±12V，极限漏极连续电流为6.2A，非常适合高效率、高开关频率的应用。

2019-07-27 - 新产品代理服务技术支持现货查询批量订货

RMD2060S6 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

型号- RMD2060S6

2023-06 - 丽正国际 - 数据手册 - REV:O 代理服务技术支持现货查询批量订货

RM3404 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

型号- RM3404

2017-10/15 - 丽正国际 - 数据手册 - REV:O 代理服务技术支持现货查询批量订货

JMTG062N04D JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

型号- JMT,JMTG062N04D

2023/4/24 - 捷捷微电 - 数据手册 - Version：1.2 代理服务技术支持现货查询批量订货查看更多版本

RM2312 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

型号- RM2312V,RM2312

2019-02/15 - 丽正国际 - 数据手册 - REV:B 代理服务技术支持现货查询批量订货

60N18 N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

型号- 60N18

2020 - 富满电子 - 数据手册 - Version 1.0 代理服务技术支持现货查询批量订货

【产品】30V/5.8A N沟道增强型功率MOSFET RM3400A，采用SOT-23-3L封装

丽正国际推出的RM3400A是一款N沟道增强型功率MOSFET，使用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS（ON）以及极低栅极的电荷，并且可在低至2.5V的栅极电压下运行，适合用作电池保护或其他开关应用。在环境温度为25°C时，RM3400A漏源电压最大额定值为30V，栅源电压最大额定值为±12V，漏极连续电流最大额定值为5.8A。