【产品】500V 5A的N沟道功率MOSFET SFX5N50系列,适用于PFC、SMPS、UPS等领域
HI-SEMICON推出的500V 5A N沟道增强型功率场效应晶体管SFX5N50系列(SFF5N50/SFD5N50/SFK5N50)采用先进技术制造,适用于需要高功率密度和出色效率的应用中,如功率因数校正(PFC) 、开关模式电源(SMPS) 、不间断电源(UPS)、LED照明电源等领域。
内部电路图和封装图
特点
ID=5A , VDS=500V
RDS(ON)
典型值: 1.1Ω@VGS=10V ID=2.5A
最大值: 1.4Ω
应用
功率因数校正(PFC)
开关模式电源(SMPS)
不间断电源(UPS)
LED照明电源
订购信息
极限参数(TJ=25°C除非另有说明)
热特性
电气特性
漏-源间体内反并联二极管参数和特性
注释
脉冲宽度受最大结温限制
L=10mH, VDD=100V, VG=10V, RG=25Ω, 起始TJ=25℃
脉冲测试:脉冲宽度≤300μs, 占空比≤2%
基本上与工作温度无关
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由PlusLee翻译自HI-SEMICON,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】500V/5A的N沟道增强型功率MOSFET SFF5N50TS/SFD5N50TS,采用平面条形VDMOS技术
SFF5N50TS/SFD5N50TS是Hi-Semicon推出的采用其专有的平面条形VDMOS技术生产的N沟道增强型功率场效应晶体管,分别采用TO-220F-3L和TO-252-2L封装,适用于功率因数校正、开关电源、不间断电源及LED照明电源等应用。
产品 发布时间 : 2023-05-31
【产品】500V/3A的N沟道增强型MOSFET SFX3N50,采用TO-220F-3L和TO-252-2L封装
SFF3N50/SFD3N50是Hi-Semicon推出的采用其专有的平面条形VDMOS技术生产的N沟道增强型功率场效应晶体管,分别采用TO-220F-3L和TO-252-2L封装,适用于功率因数校正、开关电源、不间断电源及LED照明电源等应用。
产品 发布时间 : 2023-05-16
【产品】85V 135A N沟道功率MOSFET SGX855R0T,导通电阻最大5.5mΩ
HI-SEMICON推出的85V 135A N沟道功率MOSFET SGX855R0T采用先进的屏蔽栅极沟槽(SGT)技术制造,具有极低的导通电阻,特别适用于需要高功率密度和出色效率的应用中。
产品 发布时间 : 2023-03-03
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务,使用直流电源分析仪测量精度达50µV,8nA,波形发生器带宽100kHz,输出功率300W,示波器200kHz,512 kpts
实验室地址: 深圳/苏州 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论