【产品】N沟道+P沟道MOSFET CJ3439KDW，采用SOT-363表面贴片塑料封装，栅极带有ESD保护
长晶科技推出的CJ3439KDW是一款N沟道+P沟道MOSFET。产品采用SOT-363表面贴片塑料封装，单个器件集成N沟道CJ3134K和P沟道CJ3139K。低逻辑电平就可以驱动MOSFET的栅极工作，且栅极带有ESD保护，可用于负载/电源开关，接口开关，超小型便携式电子设备的电池管理和逻辑电平转换等领域。
在CJ3439KDW内部电路中：N沟道MOSFET的漏源电压为20V，栅源电压典型值为±12V，连续漏极电流为0.75A，脉冲漏极电流为1.8A；P沟道MOSFET的漏源电压为-20V；栅源电压典型值为±12V；连续漏极电流为-0.66A，脉冲漏极电流为-1.2A。
CJ3439KDW的结温可达150°C；存储温度范围为-55~+150°C，能够在不同温度环境下工作。MOSFET的结至环境热阻为833°C/W，能够承受260°C/10s的焊接温度和时间。
图1 产品外观和等值电路
特性
表面贴装封装
低漏源导通电阻RDS（on）
低逻辑电平就可以驱动栅极工作
栅极带有ESD保护
在单个封装中集成独立的N沟道CJ3134K和P沟道 CJ3139K
应用领域
负载/电源开关
接口开关
超小型便携式电子设备的电池管理
逻辑电平转换
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产品型号
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品类
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Status
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Type
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Process
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ESD(Yes/No)
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VDS(V)
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VGS(V)
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ID(A)
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VGS(TH)(V)
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RDS(mΩ)@VGS(10V Typ)
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RDS(mΩ)@VGS(10V Max)
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RDS(mΩ)@VGS（4.5V Typ）
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RDS(mΩ)@VGS（4.5V Max）
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Package
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2N7000_TO-92
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Trench MOS
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Active
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Single-N
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Trench
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No
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60
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TO-92
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