【产品】高速8/4Kx18位同步双端口RAM IDT709359/49，访问速度6.5/7.5/9ns

时间： 2020-06-22 来源：IDT（Renesas收购）

技术问答

IDT（RENESAS收购）推出的IDT709359，IDT709349是高速8 / 4K x 18位同步双端口RAM。存储器阵列利用双端口存储器单元，允许同时访问来自两个端口的任何地址。控制、数据和地址输入寄存器提供最少的建立时间和保持时间。通过这种方法提供的时序范围，允许系统设计具有非常短的周期。

通过输入数据寄存器，器件已针对具有突发的单向或双向数据流应用进行了优化。由CE0和CE1控制的自动掉电功能允许每个端口的片上电路进入非常低的待机功耗模式。这些器件使用高性能CMOS技术制造，典型工作功耗仅为925mW。

图1 功能模块框图

图2 管脚图

同步双端口RAM IDT709359/IDT709349特点

◆双端口存储单元，允许同时读取同一存储位置

◆高速访问

–商业级：6.5 / 7.5 / 9ns（max.）

–工业级：7.5ns（max.）

◆低功耗

– IDT709359 / 49L

工作状态：925mW（典型值）

待机状态：2.5mW（典型值）

◆通过/FT / PIPE引脚选择端口直通或流水线输出模式

◆计数器启用和重置功能

◆双芯片允许扩展，无需额外的逻辑控制

◆两个端口完全同步工作

– 3.5ns时钟建立时间，所有控制，数据和地址输入保持时间为0ns

–数据输入，地址和控制寄存器

–在流水线输出模式下以6.5ns的快速时钟输出数据

–具有快速自定时写入

–100MHz流水线输出模式，周期10ns

◆单独的高字节和低字节控制，适用于总线复用

◆兼容TTL电平，单电源5V（±10％）供电

◆工业级温度范围（–40°C至+ 85°C），适用于83 MHz

◆100引脚TQFP封装

◆绿色环保器件可选，请参阅订购信息

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