【产品】低导通损耗N沟道功率MOSFET BL3N150，反向传输电容典型值低至4.7pF，连续漏极电流3A
BL3N150是上海贝岭推出的一款增强型N沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET技术，降低了导通损耗，改善了开关性能，提高了雪崩能量，适用于开关电源、高速开关和通用应用场合。
产品外观和示意图
特点：
快速开关
低反向传输电容
100% 雪崩测试
改进的dv/dt能力
产品符合RoHS标准
应用：
高频开关电源
绝对额定值参数（TC=25℃，除非另有说明）：
主要电气特性（TC=25℃，除非另有说明）：
订购信息：
注1：脉冲宽度受限于最大结温
注2：IDS=2.5A，VDD=50V，开始结温TJ=25℃
注3：ISD=3A，di/dt≤100A/us，VDD≤BVDS，开始结温TJ=25℃
注4：脉冲宽度tp≤300µs，δ≤2%
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