碳化硅功率器件与驱动芯片整合供应商瞻芯电子（InventChip），为电源和电驱动系统提供完整的半导体解决方案
日前，上海瞻芯电子科技有限公司与世强硬创电商签订授权代理协议，世强成为其战略合作伙伴，双方将在世强硬创平台线上及线下展开深入广泛合作。瞻芯电子已在平台上线其全线产品以及相关技术资料。
瞻芯电子（InventChip）专注于碳化硅（SiC）半导体领域， 已成为中国第一家掌握6英寸SiC MOSFET和SBD工艺以及SiC MOSFET驱动芯片的公司。碳化硅是第三代半导体的主要材料之一，能实现设备的小型化，提升开关速度并能降低功耗。瞻芯电子旗下产品包括SiC功率器件、SiC驱动芯片等。其碳化硅MOSFET电压支持650V 、1200V，导通电阻 RDS（on）为50mohm、80mohm、160mohm。另外，其SiC驱动芯片采用首创的8-引脚，供电范围达35V VCC ，内部集成3.5V负压偏置，采用TTL 和CMOS 兼容电平输入。同时，瞻芯电子可提供以SiC模块为核心的功率转换解决方案。
瞻芯电子（InventChip）是一家由海归博士领衔的碳化硅（SiC）高科技芯片公司，是中国宽禁带功率半导体及应用产业联盟会员单位，荣获2019年PSIC最具发展潜力企业。其SiC MOSFET第一轮流片，为中国第一批国产6英寸碳化硅（SiC）MOSFET晶圆。 查看更多
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瞻芯电子（InventChip）碳化硅（SiC）功率器件/驱动与控制芯片选型指南
公司介绍 产品应用 产品概览 SiC Devices 产品概览 驱动与控制芯片 碳化硅（SiC）MOSFET 产品目录 碳化硅金属氧化物场效应晶体管系列产品 碳化硅（SiC）肖特基二极管产品目录 碳化硅肖特基二极管系列产品 碳化硅功率模块系列产品 栅极驱动芯片系列产品 图腾柱 PFC 控制芯片系列产品 产品可靠性测试规范
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SiC-MOSFET让汽车及工业设备更小更高效，宽耐压，开关损耗降低50%
世强硬创联合瑶芯微，爱仕特，派恩杰，瞻芯电子，中电国基南方，带来让汽车及工业设备更小更高效的SiC MOSFET系列产品，最高1700V宽耐压，开关损耗降低50%。
瞻芯电子荣获SiC行业三大奖项，全面突破新能源汽车主驱、光伏储能、充电桩等众多关键领域市场
2024年12月12日，由行家说主办的“2024碳化硅＆氮化镓产业高峰论坛”于深圳召开。瞻芯电子凭借极具竞争力的碳化硅（SiC）功率器件和驱动解决方案，全面突破新能源汽车主驱、光伏储能、充电桩等众多关键领域市场，取得出色的业绩表现，在颁奖礼上荣获三项大奖：“中国SiC IDM十强企业”、“年度影响力产品奖”、“第三代半导体应用推动突破奖”。
产品手册SiC功率半导体和IC解决方案
瞻芯电子（InventChip Technology Co., Ltd.）是一家专注于碳化硅（SiC）功率半导体和集成电路解决方案的领先供应商。公司成立于2017年，总部位于上海。IVCT致力于开发SiC功率器件、功率模块、栅极驱动器和控制器IC，提供一站式芯片解决方案。公司拥有6英寸SiC MOSFET技术，并拥有汽车级SiC晶圆厂，致力于按时、高质量地交付SiC产品，并追求持续的技术创新。产品涵盖SiC功率器件、SiC功率模块、栅极驱动器和控制器IC等。
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瞻芯电子荣获“国产功率器件-SiC行业卓越奖”和“国产模拟IC卓越奖-入围奖”
瞻芯电子推出了极具竞争力的碳化硅（SiC）功率器件、SiC专用-比邻驱动®芯片和模拟PFC控制芯片产品，赢得了良好的市场声誉和业绩表现，荣获“国产功率器件 - SiC 行业卓越奖”和“国产模拟IC卓越奖-入围奖”。
【元件】瞻芯电子推出2000V SiC MOSFET和SBD，助力高压光伏逆变器系统
为满足光伏、储能和电网等领域对更高耐压等级功率器件需要，瞻芯电子开发2000V碳化硅（SiC）MOSFET和SBD工艺平台。首批2款产品通过严格可靠性认证，并正式推向市场。目前已有客户导入新产品测试，进入整机验证阶段。
瞻芯电子提出新能源汽车恒流预充固态继电器方案，体积大幅降低70%以上，性能优异，成本更低
瞻芯电子提出了一种新颖的高压预充方案，采用恒流控制的buck电路，可将后级母线电容快速充到电池电压。该方案采用碳化硅（SiC）MOSFET和碳化硅（SiC）SBD组成恒流充电回路，整个预充过程电流恒定，既降低了对于功率器件的要求，同时也大大提高了预充速度，而且不需要电阻，即可让后级电容充到母线电压。
【元件】瞻芯电子推出车规级1200V 60A SiC SBD产品，最高工作结温175℃，助力高效大功率应用
为了满足高效、大功率变换系统应用需要，瞻芯电子开发了4款1200V 60A SiC肖特基二极管（SBD）产品，其中TO247-2封装器件产品IV2D12060T2Z满足车规级可靠性标准（AEC-Q101），工作结温高达175℃，可承受10ms高达300A浪涌电流冲击，正向电压（Vf）为正温度系数，有利于二极管并联应用时电流平衡，且在高温下能保持稳定运行，保障了系统高效和可靠。
【应用】采用开环LLC＋电流源PFC方案实现全碳化硅高功率密度充电桩模块设计
国产碳化硅领先品牌瞻芯电子采用SiC MOSFET、SiC SBD和SiC MOSFET驱动芯片开发了全碳化硅的充电桩模块包括PFC和DCDC的原型设计。该参考设计的功率密度比业界主流的充电桩模块提升50%，揭示了碳化硅功率器件在高功率密度、高性能充电桩模块领域的巨大优势和潜力。
瞻芯电子解读特斯拉Model Y电动汽车Gen-4 主驱逆变器的设计改进和创新
特斯拉Model 3 电动汽车主驱逆变器率先应用碳化硅(SiC) MOSFET，开启了EV动力总成设计的新篇章。本文将比较Model Y和Model 3车型，并列举在主驱逆变器上的主要设计改进和创新。
瞻芯电子参与编制SiC MOSFET可靠性和动态开关测试标准，助推行业技术共识
为了让测试足够精准和稳定，需要定量的技术规范和测试方法。瞻芯电子结合长期的测试开发经验，参与编制了《SiC MOSFETs动态开关损耗测试方法》标准，以助推行业形成广泛的技术共识，实现有效的溯源和评比。
瞻芯电子七周年庆：创新驱动，碳化硅（SiC）技术改变未来
2024年7月17日，瞻芯电子迎来了成立7年周年的重要时刻。在过去的一年里，瞻芯电子顺利完成了股份改制，转型为股份有限公司，持续提升经营管理能力。公司还荣获了国家级专精特新“小巨人”企业等多项荣誉，彰显了其在行业内的卓越地位。同时，瞻芯电子在浙江义乌的碳化硅（SiC）晶圆厂的运营管理水平得到显著提升，通过了严格的IATF16949汽车质量管理认证，晶圆产线良率不断提高，流片周期进一步缩短。
瞻芯电子紧凑型IVCR1412比邻驱动芯片助力多管并联均流，集成负压和抗米勒效应，消除栅极电阻开关更快
在大功率变换系统中，多管并联能提升电流承载能力，增加输出功率，常用于电机驱动、电动汽车、电力传输等场景。但多管并联均流是一大挑战，这影响了系统中器件的温度分布，进而影响系统可靠性，最终成为限制系统功率和效率的瓶颈。为了实现多管并联均流，瞻芯电子基于SiC MOSFET和SiC专用·比邻驱动™IVCR1412芯片开展了均流研究，在不同均流驱动方案和不同条件下，测试影响均流的因子，以提供均流方案建议。
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