【产品】漏源电压为1200V的碳化硅功率场效应晶体管KM040120-J,具有易于并联使用和导通电阻低等特性
森国科推出的漏源电压为1200V的碳化硅功率场效应晶体管KM040120-J,具有高耐压和低导通电阻等特性,是一种低反向恢复电荷的快恢复体二极管。其低开关损耗且极小的栅极震荡,易于并联使用且易于驱动,无卤素,符合RoHS标准。适用于太阳能逆变器、电动汽车电机驱动、高压直流变换器以及开关电源。
特点
●高耐压和低导通电阻
●带有单独驱动源引脚的优化封装
●高开关速度和低电容
●低反向恢复电荷的快恢复体二极管
●无卤素,符合RoHS标准
优势
●低开关损耗且极小的栅极震荡
●更高的系统效率
●降低散热要求
●提升功率密度
●提升系统开关频率
●易于并联使用且易于驱动
应用领域
●太阳能逆变器
●电动汽车电机驱动
●高压直流变换器
●开关电源
图 1
最大额定值
表 1
电气参数
表 2
封装尺寸
图 2
型号信息
表 3
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由三年不鸣转载自森国科,原文标题为:碳化硅功率场效应晶体管KM040120-J,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关推荐
【产品】漏源电压为1200V的碳化硅功率金属氧化物半导体场效应晶体管AKC1K2M030W,专为太阳能逆变器等应用而设计
瑶芯微推出的碳化硅功率金属氧化物半导体场效应晶体管AKC1K2M030W,具有高阻断电压,低导通电阻特性,专为太阳能逆变器、EV电机驱动等应用而设计。
碳化硅MOS在开关电源上的应用
碳化硅MOS是一种关键的功率半导体器件,其在开关电源中扮演着重要角色。本文将详细介绍碳化硅MOS在开关电源中的应用,从其原理、特性到具体的应用案例,以及未来的发展趋势。
BLQC75N120碳化硅功率MOSFET
描述- 该资料介绍了BLQC75N120型碳化硅功率MOSFET的特性、参数和应用。该器件采用革命性的半导体材料——碳化硅,具有低导通电阻、低电容和栅极电荷等优点,适用于开关电源、太阳能逆变器等电力电子系统。
型号- BLQC75N120,BLQC75N120-Z
YJD212080T2GH碳化硅功率MOSFET(N沟道增强型)
描述- 本资料详细介绍了YJD212080T2GH型碳化硅功率MOSFET的特性、参数和应用。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关和高频操作等特点,适用于电力因数校正、太阳能逆变器、不间断电源、电机驱动器等领域。
型号- YJD212080T2GH
CEB080M120PR4碳化硅功率MOSFET
描述- 该资料介绍了CEB080M120PR4型碳化硅功率MOSFET的特性、最大额定值、电气特性、热特性和典型性能曲线。产品具有高阻断电压、低导通电阻、高速切换、易于并联和驱动等特点,适用于太阳能逆变器、开关电源、高压直流/直流转换器、电池充电器、电机驱动器和脉冲功率应用等领域。
型号- CEB080M120PR4
YJD206520TLGH碳化硅功率MOSFET(N沟道增强型)
描述- 该资料详细介绍了YJD206520TLGH型号的碳化硅功率MOSFET的特性,包括其电气参数、机械数据、最大额定值、静态电气特性、动态电气特性、开关特性、体二极管特性、热特性、典型特性和封装尺寸。该产品适用于功率因数校正、太阳能逆变器、不间断电源、电机驱动、光伏逆变器、电动汽车和充电器等领域。
型号- YJD206520TLGH
YJD206550PGHQ碳化硅功率MOSFET(N沟道增强型)
描述- 本资料介绍了YJD206550PGHQ型碳化硅功率MOSFET的特性、应用领域和机械数据。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关等特点,适用于电力因数校正、太阳能逆变器、不间断电源、电机驱动器等领域。
型号- YJD206550PGHQ
AKCK2M016WAMH 1200V 16mOhm碳化硅功率MOSFET
描述- 本资料为AKCK2M016WAMH硅碳化物功率MOSFET的数据手册。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和低反向恢复电荷等特点,适用于电机驱动、DC/DC转换器、开关电源、太阳能逆变器等领域。
型号- AKCK2M016WAMH
YJD212060T2GHQ碳化硅功率MOSFET(N沟道增强型)
描述- 本资料介绍了YJD212060T2GHQ型碳化硅功率MOSFET的特性、参数和应用。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关等特点,适用于电力因数校正、太阳能逆变器、不间断电源、电机驱动器等领域。
型号- YJD212060T2GHQ
AKCK2M040WAMH 1200V 40mOhm碳化硅功率MOSFET规格书
描述- 本资料为AKCK2M040WAMH硅碳化物功率MOSFET的数据手册。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和低反向恢复电荷等特点,适用于电机驱动、DC/DC转换器和太阳能逆变器等领域。
型号- AKCK2M040WAMH
AKCK2M040WAMH-A 1200V 40mOhm碳化硅功率MOSFET规格书
描述- 本资料为AKCK2M040WAMH-A型硅碳化物功率MOSFET的数据手册。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和低反向恢复电荷等特点,适用于电机驱动、DC/DC转换器和太阳能逆变器等领域。
型号- AKCK2M040WAMH-A
YJD212080T2GHQ碳化硅功率MOSFET(N沟道增强型)
描述- 本资料介绍了YJD212080T2GHQ型碳化硅功率MOSFET的特性、应用领域和机械数据。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关和高频操作等特点,适用于电力因数校正、太阳能逆变器、不间断电源、电机驱动器等领域。
型号- YJD212080T2GHQ
AKCK7M1K0WMH 1700V 1000mOhm碳化硅功率MOSFET规格书
描述- 本资料为AKCK7M1K0WMH硅碳化物功率MOSFET的数据手册。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和低电容等特点,适用于电机驱动、DC/DC转换器、开关电源和太阳能逆变器等领域。
型号- AKCK7M1K0WMH
YJD206525T2GH碳化硅功率MOSFET(N沟道增强型)
描述- 本资料详细介绍了YJD206525T2GH型号碳化硅功率MOSFET的特性、参数和应用。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关和高频操作等特点,适用于电力因数校正、太阳能逆变器、不间断电源、电机驱动器等领域。
型号- YJD206525T2GH
YJD212030T2GHQ碳化硅功率MOSFET(N沟道增强型)
描述- 本资料介绍了YJD212030T2GHQ型碳化硅功率MOSFET的特性、参数和应用。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关特性,适用于电力因数校正、太阳能逆变器、不间断电源、电机驱动器等领域。
型号- YJD212030T2GHQ
电子商城
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
测试范围:扬兴晶振全系列晶体,通过对晶体回路匹配分析,调整频率、驱动功率和起振能力,解决频偏、不起振、干扰、频率错误等问题。技术专家免费分析,测完如有问题,会进一步晶振烧录/修改电路。
实验室地址: 深圳 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论