【应用】HM4485E型MOSFET用于新能源汽车DC-DC变换器中，VDS为-35V，ID为-25V
简述
随着国家大力鼓励和支持低碳出行，绿色出行，越来越多的人们选择新能源汽车作为代步工具。不同于传统燃油车的三大件,即发动机，底盘，变速箱；新能源汽车更关注三电系统，即电池，电机和电控，由于新能源车以电力作为主要输入能源，车上用电设备繁多，相互之间电压也有所区别，这时，一套设计优良的DC-DC变换器就显得尤为重要，而MOSFET作为DC-DC变换器的关键元件之一也凸显其重要位置。
挑战
客户作为业内知名的新能源汽车DC-DC变换器制造商，一直以产品稳定，质量可靠，功耗低著称。最近，客户正在研发新的DC-DC变换器产品，除了需要进一步提升产品的稳定性和可靠性，还需要重点关注功耗，做为关键器件的MOSFET的选型显得极其重要。如何选择到一款功耗低，宽结温区间，产品质量可靠的产品是摆在研发人员面前的一道难题。
解决方案
了解到客户的需求后，虹美功率半导体技术团队与客户积极沟通，帮助客户寻求解决方案，经过反复评估，最终推荐型号为HM4485E的MOSFET。
HM4485E对应的VDS =-35V，在VGS=-10V 情况下，RDS(ON)<7.2mΩ。通常，DC-DC变换器在进行电压转换时，会有部分功率损耗。客户上一代DC-DC变换器由于选择的MOSFET对应的RDS值过大，导致很大一部分功率消耗在变换器本身上，这对部分本身续航较低的新能源车型造成了一定的困扰，而HM4485E可以完全符合要求，经客户验证，装配有HM4485E型MOSFET的新一代DC-DC变换器产品相较上一代产品，功耗减低30%以上。
HM4485E对应的结温和存储温度为-55℃-150℃，一般的DC-DC变换器工作温度和新能源汽车相应系统工作温度相同，作为关键元器件的MOSFET也需要满足同样的工作温度范围，而一旦超过结温上限，MOSFET就会损坏。客户在上一代产品中处于成本考虑，选择了结温上限较小的MOSFET，投放市场后一段时间，经常接到MOSFET因超温损坏的投诉，这不仅带来了繁重的返工与维修，给产品质量也带来了负面影响，选用HM4485E型的MOSFET恰好可以帮助客户解决此问题。
大部分MOSFET可以采用贴片形式组装，在生产过程中难免会因为各种各样的问题导致元器件被静电击穿，而HM4485E自带有ESD保护特性，极大的降低了因人员ESD防护不到位或者机器设备ESD防护措施失效而导致的静电击穿风险，进一步提升了产品的品质和可靠性。
成果与收益
虹美功率半导体MOSFET HM4485E具有功耗低，宽结温区间，产品质量可靠，带ESD保护等特点，完全满足客户新的DC-DC变换器的设计需求，极大地提升了DC-DC变换器的可靠性和稳定性，增强了客户产品的市场竞争力。
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阿尼古 Lv8. 研究员 2023-07-13感谢分享 -
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zdr69909057 Lv8. 研究员 2023-06-26学习下 -
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Timm Lv9. 科学家 2023-06-20学习 -
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邀星53174287 Lv7. 资深专家 2023-06-20学习
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