【产品】增强型功率晶体管，效率超高， 1.35 mm x 1.35 mm超小尺寸

时间： 2018-06-13 来源：EPC

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EPC（宜普电源转换公司）是基于增强型氮化镓的功率管理器件领先供应商，由其推出的EPC2108系列增强型功率晶体管，具有超高效率和超小尺寸，R_DS(on) 极低，典型值仅为150mΩ（V_GS = 5V、I_D=2.5A），同时，异常低的总闸极电荷也使得EPC2108系列增强型功率晶体管具有在较少工作时间中处理高转换频率的任务能力，应用在一些主要在开态时具有能量损失的装置中更具优势。EPC2108系列增强型功率晶体管最适用于高频DC-DC转换、D类音频、无线电源（高度共振和感应）等领域。

EPC2108系列增强型功率晶体管的最大额定参数：

装置	参数	条件	最大值
Q1&Q2	漏源电压V_DS	连续的	60V
	漏源电压V_DS	150℃、最高10000 5ms脉冲	72V
	漏源电流I_D	连续的（T_A=25℃、R_θJA=60℃/W）	1.7A
	漏源电流I_D	脉冲（25℃、T_PULSE = 300 µs）	5.5A
	栅源电压V_GS		6V
	栅源电压V_GS		-4V
	操作温度T_J		-40~150℃
	储存温度T_STG		-40~150℃
Q3	漏源电压V_DS	连续的	100V
	漏源电压V_DS	150℃、最高10000 5ms脉冲	120V
	漏源电流I_D	连续的（T_A=25℃、R_θJA=100℃/W）	0.5A
	漏源电流I_D	脉冲（25℃、T_PULSE = 300 µs）	0.5A
	栅源电压V_GS		6V
	操作温度T_J		-40~150℃
	储存温度T_STG		-40~150℃

EPC2108系列增强型功率晶体管的热性能参数：

参数	典型值
与机箱相连处的热阻抗R_θJC	6℃/W
与板相连处的热阻抗R_θJB	33℃/W
与环境相连处的热阻抗R_θJA	81℃/W

注意：在FR4上安装了单层2盎司的铜，并将其安装在一平方英寸铜垫上，由此测定的R_θJA

EPC2108系列增强型功率晶体管的静态参数：

装置	参数	条件	最小值	典型值	最大值
Q1&Q2	漏源电压BV_DSS	V_GS =0V、I_D=0.3mA	60V
	漏源漏电流I_DSS	V_DS =48V、V_GS =0V		0.05mA	0.25mA
	栅源正向漏电流I_GSS	V_GS =5V		0.1mA	1mA
	栅源反向漏电流I_GSS	V_GS =-4V		0.05mA	0.25mA
	栅源阈值电压V_GS（TH）	V_GS = V_DS、I_D=0.2mA	0.8V	1.6V	2.5V
	漏源导通电阻R_DS(on)	V_GS = 5V、I_D=2.5A		150mΩ	240mΩ
	漏源正向电压V_SD	I_S=0.5A、V_GS =0V		2.6V

装置	参数	条件	最小值	典型值	最大值
Q3	漏源电压BV_DSS	V_GS =0V、I_D=0.125mA	100V
	漏源漏电流I_DSS	V_DS =80V、V_GS =0V		0.02mA	0.1mA
	栅源正向漏电流I_GSS	V_GS =5V		0.1mA	1mA
	栅源正向电压降V_F	I_F=0.2mA、V_DS =0V			2.7V
	栅源阈值电压V_GS（TH）	V_GS = V_DS、I_D=0.1mA	0.8V	1.7V	2.5V
	漏源导通电阻R_DS(on)	V_GS = 5V、I_D=0.05A		2100mΩ	3300mΩ
	漏源正向电压V_SD	I_S=0.1A、V_GS =0V		2.9V

EPC2108系列增强型功率晶体管的动态参数：

装置	参数	条件	典型值	最大值
Q1	输入电容C_ISS	V_DS =30V、V_GS =0V	26pF	31pF
	反向转换电容C_RSS		0.4pF
	输出电容C_OSS		12pF	18pF
	总闸极电荷Q_G	V_DS =30V、V_GS =5V、I_D=2.5A	240pC	310pC
	漏源恢复电荷Q_RR		0pC

装置	参数	条件	典型值	最大值
Q2	输入电容C_ISS	V_DS =30V、V_GS =0V	26pF	31pF
	反向转换电容C_RSS		0.4pF
	输出电容C_OSS		16pF	24pF
	总闸极电荷Q_G	V_DS =30V、V_GS =5V、I_D=2.5A	240pC	310pC
	漏源恢复电荷Q_RR		0pC

装置	参数	条件	典型值	最大值
Q3	输入电容C_ISS	V_DS =50V、V_GS =0V	7pF	8.4pF
	反向转换电容C_RSS		0.02pF
	输出电容C_OSS		1.6pF	2.4pF
	总闸极电荷Q_G	V_DS =50V、V_GS =5V、I_D=0.05A	44pC	55pC
	漏源恢复电荷Q_RR		0pC

EPC2108系列增强型功率晶体管电路图、尺寸图、连接盘模式、推荐模版图和封装结构图：

图1 EPC2108系列增强型功率晶体管电路图

图2 EPC2108系列增强型功率晶体管尺寸图

图3 EPC2108系列增强型功率晶体管推荐连接盘模式图

图4 EPC2108系列增强型功率晶体管推荐模版图

图5 EPC2108系列增强型功率晶体管封装结构图

EPC2108系列增强型功率晶体管突出特点与优势

·超高效率

·超低R_DS(on)

·超低Q_G

·超小尺寸

EPC2108系列增强型功率晶体管应用领域

·高频DC-DC转换

·D类音频

·无线电源（高度共振和感应）

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本文由Yuesh.翻译自EPC，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

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luose Lv8. 研究员 2018-11-18

学习一下
醉卧美人膝 Lv8. 研究员 2018-11-12

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型号- EPC2302

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EPC2302–增强型功率晶体管数据表

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EPC提供以下氮化镓功率晶体管/GaN功率晶体管选型，最大耐压15V-350V，持续电流0.5A-90A，导通阻抗1.45Ω-3300mΩ，导通电荷0.044nC-19nC，峰值电流0.5A-590A。

产品型号	品类	最大耐压（V）	持续电流(A)	导通阻抗(mΩ)	导通电荷(nC)	峰值电流(A)	封装（mm)
EPC2040	Enhancement Mode Power Transistor	15V	3.4A	30mΩ	0.745nC	28A	BGA 0.85 mm*1.2mm