【产品】增强型功率晶体管，效率超高， 1.35 mm x 1.35 mm超小尺寸
EPC（宜普电源转换公司）是基于增强型氮化镓的功率管理器件领先供应商，由其推出的EPC2108系列增强型功率晶体管，具有超高效率和超小尺寸，RDS(on) 极低，典型值仅为150mΩ（VGS = 5V、ID=2.5A），同时，异常低的总闸极电荷也使得EPC2108系列增强型功率晶体管具有在较少工作时间中处理高转换频率的任务能力，应用在一些主要在开态时具有能量损失的装置中更具优势。EPC2108系列增强型功率晶体管最适用于高频DC-DC转换、D类音频、无线电源（高度共振和感应）等领域。
EPC2108系列增强型功率晶体管的最大额定参数：
| 装置 | 参数 | 条件 | 最大值 |
| Q1&Q2 | 漏源电压VDS | 连续的 | 60V |
| 150℃、最高10000 5ms脉冲 | 72V | ||
| 漏源电流ID | 连续的（TA=25℃、RθJA=60℃/W） | 1.7A | |
| 脉冲（25℃、TPULSE = 300 µs） | 5.5A | ||
| 栅源电压VGS | 6V | ||
| -4V | |||
| 操作温度TJ | -40~150℃ | ||
| 储存温度TSTG | -40~150℃ | ||
| Q3 | 漏源电压VDS | 连续的 | 100V |
| 150℃、最高10000 5ms脉冲 | 120V | ||
| 漏源电流ID | 连续的（TA=25℃、RθJA=100℃/W） | 0.5A | |
| 脉冲（25℃、TPULSE = 300 µs） | 0.5A | ||
| 栅源电压VGS | 6V | ||
| 操作温度TJ | -40~150℃ | ||
| 储存温度TSTG | -40~150℃ |
EPC2108系列增强型功率晶体管的热性能参数：
| 参数 | 典型值 |
| 与机箱相连处的热阻抗RθJC | 6℃/W |
| 与板相连处的热阻抗RθJB | 33℃/W |
| 与环境相连处的热阻抗RθJA | 81℃/W |
注意：在FR4上安装了单层2盎司的铜，并将其安装在一平方英寸铜垫上，由此测定的RθJA
EPC2108系列增强型功率晶体管的静态参数：
| 装置 | 参数 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
| Q1&Q2 | 漏源电压BVDSS | VGS =0V、ID=0.3mA | 60V | ||
| 漏源漏电流IDSS | VDS =48V、VGS =0V | 0.05mA | 0.25mA | ||
| 栅源正向漏电流IGSS | VGS =5V | 0.1mA | 1mA | ||
| 栅源反向漏电流IGSS | VGS =-4V | 0.05mA | 0.25mA | ||
| 栅源阈值电压VGS（TH） | VGS = VDS、ID=0.2mA | 0.8V | 1.6V | 2.5V | |
| 漏源导通电阻RDS(on) | VGS = 5V、ID=2.5A | 150mΩ | 240mΩ | ||
| 漏源正向电压VSD | IS=0.5A、VGS =0V | 2.6V |
| 装置 | 参数 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
| Q3 | 漏源电压BVDSS | VGS =0V、ID=0.125mA | 100V | ||
| 漏源漏电流IDSS | VDS =80V、VGS =0V | 0.02mA | 0.1mA | ||
| 栅源正向漏电流IGSS | VGS =5V | 0.1mA | 1mA | ||
| 栅源正向电压降VF | IF=0.2mA、VDS =0V | 2.7V | |||
| 栅源阈值电压VGS（TH） | VGS = VDS、ID=0.1mA | 0.8V | 1.7V | 2.5V | |
| 漏源导通电阻RDS(on) | VGS = 5V、ID=0.05A | 2100mΩ | 3300mΩ | ||
| 漏源正向电压VSD | IS=0.1A、VGS =0V | 2.9V |
EPC2108系列增强型功率晶体管的动态参数：
| 装置 | 参数 | 条件 | 典型值 | 最大值 |
| Q1 | 输入电容CISS | VDS =30V、VGS =0V | 26pF | 31pF |
| 反向转换电容CRSS | 0.4pF | |||
| 输出电容COSS | 12pF | 18pF | ||
| 总闸极电荷QG | VDS =30V、VGS =5V、ID=2.5A | 240pC | 310pC | |
| 漏源恢复电荷QRR | 0pC |
| 装置 | 参数 | 条件 | 典型值 | 最大值 |
| Q2 | 输入电容CISS | VDS =30V、VGS =0V | 26pF | 31pF |
| 反向转换电容CRSS | 0.4pF | |||
| 输出电容COSS | 16pF | 24pF | ||
| 总闸极电荷QG | VDS =30V、VGS =5V、ID=2.5A | 240pC | 310pC | |
| 漏源恢复电荷QRR | 0pC |
| 装置 | 参数 | 条件 | 典型值 | 最大值 |
| Q3 | 输入电容CISS | VDS =50V、VGS =0V | 7pF | 8.4pF |
| 反向转换电容CRSS | 0.02pF | |||
| 输出电容COSS | 1.6pF | 2.4pF | ||
| 总闸极电荷QG | VDS =50V、VGS =5V、ID=0.05A | 44pC | 55pC | |
| 漏源恢复电荷QRR | 0pC |
EPC2108系列增强型功率晶体管电路图、尺寸图、连接盘模式、推荐模版图和封装结构图：
图1 EPC2108系列增强型功率晶体管电路图
图2 EPC2108系列增强型功率晶体管尺寸图
图3 EPC2108系列增强型功率晶体管推荐连接盘模式图
图4 EPC2108系列增强型功率晶体管推荐模版图
图5 EPC2108系列增强型功率晶体管封装结构图
EPC2108系列增强型功率晶体管突出特点与优势
·超高效率
·超低RDS(on)
·超低QG
·超小尺寸
EPC2108系列增强型功率晶体管应用领域
·高频DC-DC转换
·D类音频
·无线电源（高度共振和感应）
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产品型号
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品类
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最大耐压（V）
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持续电流(A)
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导通阻抗(mΩ)
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导通电荷(nC)
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峰值电流(A)
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封装（mm)
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EPC2040
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Enhancement Mode Power Transistor
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15V
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3.4A
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30mΩ
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0.745nC
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28A
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