【产品】德欧泰克集成H型桥的N/P沟道功率MOSFET DI006H03SQ，耗散功率1.5W
DIOTEC（德欧泰克）推出型号为N/P沟道功率MOSFET DI006H03SQ，且集成H型桥，采用SO-8外壳封装。该器件剖面低，封装高度低，可节省空间，且其具有低导通电阻，开关速度快，低栅极电荷等产品特性。
当TA=25℃时，最大额定参数方面，N沟道MOSFET通道，其漏源电压为30V（VGS=0V，短接），持续栅源电压为±20V；P沟道MOSFET通道，其漏源电压为-30V（VGS=0V，短接），持续栅源电压为±20V。器件耗散功率为1.5W。
在VGS=10V，ID=5A测试条件下，漏源导通电阻典型值为19mΩ，最大值为25mΩ，器件工作结温和存储温度范围均宽至-55℃~+150℃，产品适用于DC/DC转换器，电源，直流驱动器，同步整流器以及商业、工业应用等领域。
器件封装图如下所示：
主要特征
H型桥中的N/P-MOSFET
低剖面，封装高度低，可节省空间
低导通电阻
开关速度快
低栅极电荷
符合RoHS、REACH标准，以及Conflict Minerals的管理规定
典型应用
DC/DC转换器
电源
直流驱动器
同步整流器
商业级应用/工业级应用
机械参数
编带和卷盘包装：4000/13”
重量约0.1g
外壳材料的阻燃等级：UL 94V-0
焊接和装配条件：260℃/10s，MSL（湿度敏感等级）=3级
最大额定值（TA=25℃，除非另外特殊标注）
1、详细信息请查阅官方网站或数据手册开头
2、TA=25℃，除非另有特殊说明
3、脉冲宽度：参考SOA图
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产品型号
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品类
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Package
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Configuration
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Type
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ESD
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VDS(V)
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Vgs Max(V)
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ID at 25℃(A)Max.
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VGS(th)(V)-Typ.
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Rds(on)Vgs=10V
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Rds(on)Vgs=10V,(mΩ)Max.
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Rds(on) Vgs=4.5V,(mΩ)Typ.
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Rds(on)Vgs=4.5V,(mΩ)Max.
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Ciss (pF)Typ.
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Coss (pF)Typ.
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Crss (pF)Typ.
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WMB70P02TS
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Trench P Channel Power MOSFET
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PDFN5*6-8L
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Single
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P
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NO
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-20
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±12
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-70
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-0.65
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3.1
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4.1
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3.5
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4.8
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4599
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668
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577
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产品型号
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品类
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Type
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Package
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Drain Source Voltage VDS[V]
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Drain Current ID[A]
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Junction Temperature Tjmax[℃]
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Polarity pol
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Power Dissipation Ptot [W]
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Peak Drain Current IDM [A]
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Threshold Voltage VGSth[V]
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On-Resistance RDSon[Ω]
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On-Resistance ID[A]
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On-Resistance VGS[V]
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Turn-OnTime ton[ns]
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Turn-Off Time toff[ns]
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2N7000
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MOSFETs
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Wire-lead
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TO-92
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60
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0.2
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150
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N
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0.35
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0.5
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0.8
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
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