【产品】德欧泰克集成H型桥的N/P沟道功率MOSFET DI006H03SQ,耗散功率1.5W

2022-10-19 Diotec
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DIOTEC(德欧泰克)推出型号为N/P沟道功率MOSFET DI006H03SQ,且集成H型桥,采用SO-8外壳封装。该器件剖面低,封装高度低,可节省空间,且其具有低导通电阻,开关速度快,低栅极电荷等产品特性。


当TA=25℃时,最大额定参数方面,N沟道MOSFET通道,其漏源电压为30V(VGS=0V,短接),持续栅源电压为±20V;P沟道MOSFET通道,其漏源电压为-30V(VGS=0V,短接),持续栅源电压为±20V。器件耗散功率为1.5W。


在VGS=10V,ID=5A测试条件下,漏源导通电阻典型值为19mΩ,最大值为25mΩ,器件工作结温和存储温度范围均宽至-55℃~+150℃,产品适用于DC/DC转换器,电源,直流驱动器,同步整流器以及商业、工业应用等领域。


器件封装图如下所示:


主要特征

  • H型桥中的N/P-MOSFET

  • 低剖面,封装高度低,可节省空间

  • 低导通电阻

  • 开关速度快

  • 低栅极电荷

  • 符合RoHS、REACH标准,以及Conflict Minerals的管理规定


典型应用

  • DC/DC转换器

  • 电源

  • 直流驱动器

  • 同步整流器

  • 商业级应用/工业级应用


机械参数

  • 编带和卷盘包装:4000/13”

  • 重量约0.1g

  • 外壳材料的阻燃等级:UL 94V-0

  • 焊接和装配条件:260℃/10s,MSL(湿度敏感等级)=3级


最大额定值(TA=25℃,除非另外特殊标注)

1、详细信息请查阅官方网站或数据手册开头

2、TA=25℃,除非另有特殊说明

3、脉冲宽度:参考SOA图

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
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  • 小云帆 Lv7. 资深专家 2022-11-09
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  • jishizhong Lv9 2022-11-07
    学习了
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  • 志成 Lv7. 资深专家 2022-10-29
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产品型号
品类
Type
Package
Drain Source Voltage VDS[V]
Drain Current ID[A]
Junction Temperature Tjmax[℃]
Polarity pol
Power Dissipation Ptot [W]
Peak Drain Current IDM [A]
Threshold Voltage VGSth[V]
On-Resistance RDSon[Ω]
On-Resistance ID[A]
On-Resistance VGS[V]
Turn-OnTime ton[ns]
Turn-Off Time toff[ns]
2N7000
MOSFETs
Wire-lead
TO-92
60
0.2
150
N
0.35
0.5
0.8
5
1
10
10
10

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产品型号
品类
Type
Package
Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM[V]
Maximum Average Forward Rectified Current IFAV[A]
Junction Temperature Tjmax [℃]
Peak Forward Surge Current IFSM[A]
Forward Voltage VF[V]
Forward Voltage IF[A]
Leakage Current IR[A]
Leakage Current VR[V]
ABS10
Single Phase Bridge Rectifiers
SMD
SO-DIL ABS 4mm
1000
0.8
150
27
1.1
0.8
5
1000

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M7

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品牌:DIOTEC

品类:肖特基二极管

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最小起订量: 1 提交需求>

笔电热管/高功率热管/平头热管定制

可来图定制热管最薄打扁厚度0.35±0.05mm;笔电D8热管打扁厚度1.0mm,可解40W热量;高功率D10热管可解60W热量。

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