【选型】辰达行解析MOSFET在BMS的应用案例及选型


电池管理系统是一种能够对电池进行监控和管理的电子装备,是电池与用户之间的纽带。通过对电压、电流、温度以及SOC等数据采集,计算进而控制电池的充放电过程,主要就是为了能够提高电池的利用率,防止电池出现过度充电和过度放电。
BMS
充电状态
BAT+/BAT-接充电器,正常状态,给电池充电,当电池的电压超过4.3V时,充电控制端X1由高电平转为低电平,从而使充电控制MOS管Q1关断,充电回路被切断,即进入过电压保护,当电池通过负载放电,(注意,此时虽然Q1关断,但由于体二极管D1的存在,放电回路是仍然存在)使电池电压低于4.1V时,充电控制端X1将输出高电平,使充电控制MOS管Q1回到导通状态。
图 1
BMS
放电状态
BAT+/BAT-接负载,电池放电,当电池电压低于2.9V时,放电控制端X1由高电平转为低电平,从而使放电控制MOS管Q2关断,放电回路被切断,即进入欠电压保护,电路也会进入“省点”低功耗模式,如果对电池充电,(同样,由于Q2体二极管D2的存在,此时充电回路也是存在的),当电池电压高于2.9V时,放电控制端X1将输出高电平,使放电控制MOS管Q2回到导通状态。
图 2
MOSFET在BMS中的选型
●MOS对锂电池板的保护作用非常大,它可以检测过充电,检测过放电,检测充电时过电电流,检测放电时过电电流,检测短路时过电电流。所以MOS管的质量如何关系到锂电池板的“生死”。
●由于锂电池的电压采用串联方式获得,电池的多少决定电压的高低,因此MOS的选用,和电池的个数相关。如13串为1组的电池电压13*3.7=48.1V,即为48V的电池。
●锂电池的电流(容量)采用并联的方式获得,12组48V4200mAH的电池并联,得到48V50AH容量的电池。
原理:电流(串联电路电流相等,并联电路 I总=I₁+I₂+In)
电压(并联电路电压相等,串联电路 U总=U₁+U₂+Un)
●确定电池组的电压,通常按20%余量选择MOS的电压,因锂电池的应用场合对温度要求较高,因此MOS电流的选型上,大多考虑MOS的内阻要非常低,除了选择大电流低内阻的MOS产品外,设计时也会采用多个MOS并联的方式,进一步减小MOS的导通内阻。
原理:电阻(串联电路中R总=R₁+R₂+Rn,并联电路中R总=R/n)
产品推荐
图 3
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由三年不鸣转载自MDD辰达半导体公众号,原文标题为:MOSFET在BMS的应用案例,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关推荐
新能源汽车电池 “爆雷” 怎么破?选对BMS的MOS管是关键
本文讲讲新能源汽车电池管理系统(BMS)里的超关键 “小角色”——MOS 管,到底是如何影响电池安全,以及怎样通过MOS管来避免电池爆炸。
【选型】新洁能开发出具有良好的抗电流冲击能力的产品,满足电池管理系统的安全及可靠需求
电池管理系统 (BMS) 是一种电子控制电路,可监控并调节电池的充放电,并对整个系统进行调节。随着高功率密度的锂电池在日常生活中日益普及,随之配套的锂电池管理系统技术BMS也运营而生。BMS用于控制锂电池的充放电情况,控制充放电回路工作在适当的条件下,并且在锂电池面临失控的时候及时切断锂电池的通路,保证电池的安全性。
【选型】国产小封装低压P沟道MOS管RU20P7C助力BMS控制回路设计,耐压20V符合客户需求
与客户了解到,目前实际的BMS控制回路项目应用条件需要12V以上、电流1A左右、Vgs的耐压能力需要大于12V。根据以上客户需求,推荐锐骏半导体的P沟道MOS管的RU20P7C。封装为SOT-23、VGS为16V、耐压为20V基本可以满足客户需求。
【经验】BMS应用笔记:详解功率MOS管
由于锂电池的特性,在应用过程中需要对其充放电过程进行保护,避免因过充过放或过热造成电池的损坏,保证电池安全的工作。本文虹美功率半导体将介绍功率MOS管在BMS系统中的常见失效类型,以及如何预防改善。
全面解析BMS电池管理系统的定义、功能及其在现代科技中的关键作用
电池管理系统是一种电子系统,专门负责监控和管理可充电电池的运行状态。迈巨微电子凭借其在电池管理系统(BMS)领域的深厚技术积累和创新能力,已经成为全球市场的重要参与者。无论是在新能源汽车、两轮出行、电动工具,还是在工业储能、家用储能和机器人等领域,都展现出了卓越的技术优势。本文全面解析了BMS电池管理系统的定义、功能及其在现代科技中的关键作用。
如何分辨P型还是N型MOS管
MDD的MOS管(场效应晶体管)是现代电子电路中常用的半导体器件,按导电类型分为P型MOS管和N型MOS管。这两种类型的MOS管在结构和工作原理上有所不同,因此了解并掌握如何分辨P型与N型MOS管至关重要。
MOS管和三极管的电源开关电路,NPN与PMOS管组合并非唯一CP
NPN和PMOS组合比较常见,NPN三极管用于控制基极电流,PMOS管用于控制高电压或高功率负载。其中NPN三极管用于低电压和低功率控制信号,而PMOS管用于高电压和高功率负载。PNP和NMOS,这种组合适用于需要负电压供电的应用,其中PNP三极管用于负电压供电,而NMOS管用于控制信号。在一些特殊应用中,如负电源电路和功率逆变器中会经常使用。
深鸿盛PDFN5*6 CLIP封装的30V/0.5mΩ超低内阻低压MOS,适用于无人机、BMS等领域 |视频
HI-SEMICON的PDFN5*6CLIP封装工艺30V 0.5mΩ超低内阻低压MOS管,具有以下优势:超低内阻,低导通损耗;低寄生量,低开通损耗;PDFN5X6贴片式CLIP封装,有效降低占板率,提供良好的散热通道;电路波动不易损坏。
小体积大能量!合科泰MOS管HKTG48N10在电源、电机、逆变器等上广泛应用
本期介绍的采用PDFN5X6封装的MOS管产品HKTG48N10,耐压能力表现出色,可用于电源、电机和LED等应用。HKTG48N10是一款高性能、低功耗和稳定的MOS产品,客户在选择元器件时候,主要选择合适的N沟道MOS管,了解产品耐压耐流能力,还有产品的工作温度,应用环境和场景等,设计出更好更稳定的电路。
【应用】内部集成MOS的降压DC-DC EG1198用于BMS,宽电压输入10至120V,外围电路简单
车辆的其他系统在需要使用电池包供电时,需要进行降压,推荐屹晶微电子EG1198降压DC-DC用于电动车BMS一级降压。支持范围10V至120V的宽电压输入,最大输出电流达1.5A, 外围电路结构简单,集成功率MOS管、多种保护功能。
合科泰生产的MOS管HKTG150N03,采用双面散热技术,显著提高了散热效率
合科泰生产的MOS管HKTG150N03产品具有良好的电气性能,它采用N沟道制作,它的导通电阻非常低,漏源导通电阻0.003欧姆,能承受的最大漏源电压达30V,高耐压性使得它在较高的电压下稳定工作。轻巧实用。开关速度快,可以减少电路中的开关损耗,提高电路工作效率,适合于很多高速的开关电路。
详解NMOS管的工作机制和应用领域
MOS管可以分为PMOS管和NMOS管。NMOS三极管具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,被广泛应用于大规模和超大规模集成电路中。本期合科泰电子介绍几款经典NMOS管产品,它在电机控制、电源、逆变器和负载开关等产品上广泛应用。
MOS管在电池管理系统(BMS)应用中的MDD选型指南
随着电动汽车(EV)、储能系统及可穿戴设备的快速发展,电池管理系统(BMS)在确保电池安全、延长电池寿命、提高能效等方面发挥着至关重要的作用。半导体电子元器件中MOS管(场效应管)是BMS中不可或缺的核心元件之一,广泛应用于电池充放电控制、电池保护、电压平衡以及温度管理等功能中。如何选择合适的MOS管成为BMS设计中的关键任务。
MDD关于在MOS管在电池管理系统(BMS)中应用的解析
随着电动汽车(EV)、可再生能源存储和便携式半导体电子设备的快速发展,电池管理系统(BMS)在保障电池安全、延长使用寿命和提高效率方面的作用变得越来越重要。MOS管(场效应管)作为一种重要的半导体器件,在BMS中具有不可替代的作用,尤其是在电池充放电管理、电池保护和温度控制等方面。
MOS管GS极失效的常见问题分析
MOS管广泛应用于现代电子电路中,尤其在开关电源、功率放大和数字逻辑电路中占据重要地位。MOS管的栅极(Gate)和源极(Source)间的GS极是控制器件开关的关键,但也最容易因各种因素失效。辰达半导体将与您一起探讨MOS管GS极失效的常见问题及其应对策略,以提高电路的可靠性和稳定性。
电子商城
现货市场
服务

定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m,厚度2mm-100mm,单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量: 1片 提交需求>

可定制单位/双位/三位/四位LED数码管的尺寸/位数/发光颜色等性能参数,每段亮度0.8~30mcd,主波长470~640nm,电压2~10.2V。
最小起订量: 1000 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论