【经验】以SCS310AP和SCS210AG为例说明第三代和第二代碳化硅肖特基二极管的性能区别

研讨会2024功率器件新技术研讨会

描述- 11月21日在线直播，带来低导通电阻的功率MOS、集成驱动的GaN IC、IGBT新技术、用于电机驱动/BMS/移动储能的SGT MOS、高压车规SiC功率MOS、国产车规IGBT模块等功率器件新产品新技术，点击了解报名

议题- 降低20%导通电阻的功率MOS  |  集成驱动的GaN IC  |  沟槽栅场截止型IGBT新技术  |  适用于电机驱动/BMS/移动储能等应用SGT MOSFET  |  1700V SiC功率MOS  |  国产50A IPM模块  |  高可靠国产车规IGBT模块  |  ROHM——专注功率，电源和模拟技术的全球知名半导体厂商  |  EPC——基于氮化镓（GaN）功率管理器件的领先供应商  |  致力于功率器件和智能传感器技术的专业半导体厂商——瑶芯微（ALKAIDSEMI）  |  中国半导体功率器件十强企业：扬杰科技（YANGJIE）  |  致力于成为双碳时代功率半导体中国领跑者——阿基米德半导体（Archimedes）  |  中国领先的碳化硅（SiC）半导体和芯片解决方案提供商——瞻芯电子（InventChip）  |  专业从事电源管理、电机驱动、微控制器、传感器的集成电路和系统方案的设计与开发——华润微电子（CRM ICBG ）  |  Kyocera（京瓷）——全球领先的材料与电子元件制造商  |  Shindengen（新电元）——“桥王”，整流桥全球份额占比约40%  |  中国半导体功率器件十强的主板上市企业——新洁能（NCEPOWER）  |  国内首家抗负压能力可达-40V/600ns的电机驱动（HVIC）制造商——数明半导体  |  国内领先的半导体分立器件整合制造商 (IDM) —— 捷捷微电(JieJie Microelectronics）  |  国产一站式电路保护解决方案专家——硕凯（SOCAY）  | 

碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET等碳化硅功率器件用于变频空调等白色家电，具备更高的效率、开关频率

碳化硅技术带来了更高的效率，可以减少空调散热器的尺寸和热管理的成本。同时，更高的开关频率可以降低磁性元件的成本和尺寸，实现更高的功率密度。此外，低电磁干扰特性则可以降低电磁干扰滤波器的成本并解决电磁干扰的研发成本。

【应用】碳化硅肖特基二极管用于PFC电路，有效减少开关损耗进一步提高效率

在电源PFC电路中使用碳化硅肖特基二极管有很多好处，基本半导体在本文中进行了论证。首先电源效率得到了显著提高，在其他条件不变时，只需更换二极管就能减小损耗；同时，由于不再需要考虑软开关或无损吸收技术，电源的开发周期进一步缩短，元件数量减少，电路结构也进一步简化；更重要的是它减小了对周围电路的电磁干扰，提高了电源的可靠性，使产品具有更强的竞争力。

时科Q-SSC20120-T碳化硅肖特基二极管全应用解析：光伏逆变器、开关电源和新能源汽车充电桩

碳化硅肖特基二极管（SiC Schottky Diode）在现代电子设备中扮演着重要角色，尤其在高功率、高频和高温应用中表现尤为突出。本文中小编将带你探讨时科Q-SSC20120-T碳化硅肖特基二极管在实际中的典型应用，包括光伏逆变器、开关电源和新能源汽车充电桩。

【产品】国产低反向漏电流的碳化硅肖特基二极管DD06500010J，适用于工业电源、数据中心

顶诺微推出的碳化硅肖特基二极管DD06500010J，重复反向峰值电压和冲击反向峰值电压均为650V，有低正向偏压（VF）、 正温度系数、 零正/反向恢复电流等特性，可应用于工业电源和开关电源等领域。

时科碳化硅肖特基二极管Q-SSC20120-T，光伏逆变器、开关电源和新能源汽车充电桩的最佳选择

在电子设备的设计和应用中，选择合适的碳化硅肖特基二极管是确保电路性能和可靠性的关键步骤。时科的碳化硅肖特基二极管又有什么优势呢？本文中时科小编将详细介绍Q-SSC20120-T碳化硅肖特基二极管及其性能优势，帮助工程师朋友更好地了解这款产品的卓越之处。

【元件】1200V/10A的国产碳化硅肖特基二极管KS10120-B，采用TO-252-2L封装

森国科推出的碳化硅肖特基二极管KS10120-B，VRRM为1200V，IF为10A，QC为71nC，具有高效率、零开关损耗、易于并联使用，可减小散热器，具有零反向恢复电流和零正向恢复电压、高工作频率等特点，采用TO-252-2L封装，适用于开关电源、功率因数校正等应用。

【产品】碳化硅肖特基二极管KS20120-R2，具有零开关损耗，适用于工业电源、不间断电源等领域

森国科推出的碳化硅肖特基二极管KS20120-R2，VRRM为1200V，该产品的工作频率高，具有零反向恢复电流和零正向恢复电压以及不受温度影响的开关特性。产品为单极器件，零开关损耗，易于并联使用，可应用于工业电源、不间断电源等领域。

碳化硅肖特基二极管的优势及应用

肖特基二极管，又称热载流子二极管，通过金属和半导体接触(肖特基接触)形成肖特基势垒，实现整流。与普通PN结二极管相比，肖特基二极管的反向恢复惯性非常低。因此，肖特基二极管适用于高频整流或高速开关。碳化硅（SiC）是一种高性能的半导体材料，基于SiC的肖特基二极管（SiC Schottky Diode）具有更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性，可以在电力电子技术领域打破硅的极限。

【应用】碳化硅肖特基二极管G5S12020PM极大降低充电桩电源模块开关损耗，正向不重复峰值电流IFSM高达240A

某客户在开发一款40kW的直流充电桩电源模块，海外市场高端机型，平台类产品。PFC整流电路部分需求一款SIC肖特基二极管。本文推荐泰科天润碳化硅肖特基二极管G5S12020PM用于充电桩电源模块，正向不重复峰值电流IFSM高达240A。

【产品】650V/10A的碳化硅肖特基二极管B1D10065H和B1D10065F

基本半导体的碳化硅肖特基二极管（SiC肖特基二极管）B1D10065H和B1D10065F，反向重复峰值电压为650V，连续正向电流为10A（Tc=155℃时），总电容电荷典型值为29nC，可用于开关电源（SMPS），不间断电源和电机驱动器等应用。

【产品】碳化硅肖特基二极管KS04065-Q，具有高效率、零开关损耗，易于并联使用

森国科推出的碳化硅肖特基二极管KS04065-Q，开关损耗为零，具有零反向恢复电流、零正向恢复电压以及不受温度影响的开关特性。产品采用SMBF封装，有利于减小散热器，易于并联使用，可应用于开关电源、功率因数校正等产品。