【产品】诚芯微推出双N沟道增强型功率MOSFET 4884，支持表面贴装，具有高功率和大电流处理能力

时间： 2023-06-06 来源：诚芯微

技术问答

诚芯微推出的型号为4884的双N沟道增强型功率MOSFET，器件采用先进的沟槽工艺技术，具有优异的漏源导通电阻R_DS(ON)和低栅极电荷特性，该系列器件适用于负载开关或PWM应用等领域。

器件特征

R_DS(ON)<22mΩ@VGS=4.5V
R_DS(ON)<15mΩ@VGS=10V
器件具有高功率和高电流处理能力
器件符合无铅认证标准
器件支持表面贴装

器件应用领域

PWM应用
负载开关
电源管理应用

绝对最大额定值（T_A=25℃，除非另有标注）

Note：

1.脉冲测试条件：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%；

2.R_θJA是结到外壳和外壳到环境热阻的总和，其中外壳热基准定义为漏极引脚的焊料贴装表面；

R_θJC由设计保证，而R_θCA由客户的PCB板设计决定；

R_θJA如下所示，用于静止空气中工作在FR-4阻燃等级板材的单器件。

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