研讨会 2023年度碳化硅＆氮化镓新品发布:车规及工业MOS,IGBT,光伏逆变/储能,PD快充,隔离驱动,SBD,SiC模块等
以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的第三代宽禁带半导体材料战略意义重大，正成为市场聚焦的新赛道，市场增长空间广阔。
碳化硅在射频、功率器件领域应用广泛，且具备较强的优势与应用价值，有望在新能源汽车、工业、储能、射频市场逐步完成对硅基器件的替代。当前，全球碳化硅半导体市场快速发展并已经迎来爆发期。
值此背景下，世强硬创平台举办新产品研讨会：碳化硅&氮化镓专场，专注于光伏储能，BMS，PD快充，OBC，充电桩，激光雷达，基站，电动汽车，工业控制，5G通信，设备小型化，服务器，逆变器等领域
吸引多家业界知名厂商首发最新研究成果，分享行业发展趋势
同时呈献车规/工规GaN MOSFET、IGBT、SiC MOS、SBD、MLCC、SiC模块、砷化镓LNA、隔离驱动、抛负载TVS等新品、解决方案分享与技术应用展示
助力企业工程师快速了解市场新品动态，点燃创意火花，加速研发项目进度。
时间：2023年4月27日 9:30-11:00 在线直播（重播）
演讲人：汇聚多家知名品牌产品/研发负责人、资深FAE和专家
热点新品（部分内容）
· EPC GaN FET，QFN封装，易焊接，应用于激光雷达/马达驱动
· 泰科天润SiC MOS，减薄工艺小封装，覆盖服务器/电动汽车OBC
· 强茂MPS结构SiC SBD，可广泛适用于电源供应/工业控制
· 安邦半导体符合车规抛负载标准TVS，用于充电桩/BMS
· 瞻芯电子SiC MOS，自带FRD，助力设备高效小型化设计
· 华太趋近于0的恢复损耗SiC器件，助力汽车辅驱
· 数明具备软关断及退饱和功能的隔离驱动，在大扰动环境可靠工作
· 英诺赛科高压GaN MOSFET，满足不同功率需求的PD快充设计
· SMC桑德斯国产车规级SiC二极管，用于逆变器/5G通信电源/充电桩
· 顺络用于GaN MOS噪声抑制的磁性器件和保护器件，适用高频开关
· 宇阳满足AEC-Q200车规级高QMLCC，用于基站/V2X/DCDC模块
· 西南集成砷化镓工艺高线性LNA，助力5G产品，TDD/FDD系统
参会厂牌
EPC——基于氮化镓（GaN）功率管理器件的领先供应商
国内首家第三代半导体材料碳化硅器件制造商——泰科天润(GPT)
全球领先的半导体分立器件制造商——PANJIT（强茂）
业界领先的分立器件制造商：安邦（ANBON）
中国领先的碳化硅（SiC）半导体和芯片解决方案提供商——瞻芯电子（InventChip）
国际领先的射频功放器件和功率半导体器件供应商——华太（Watech）
国内首家抗负压能力可达-40V/600ns的电机驱动（HVIC）制造商——数明半导体
英诺赛科（Innoscience）——世界领先的8英寸硅基氮化镓产业化平台
拥有完整SIC产品体系——桑德斯（SMC）
中国电感行业Top1制造商——顺络（sunlord）
专注高频/高可靠/小型化MLCC，国内龙头MLCC供应商——宇阳（EYANG）
中国模拟集成电路设计50强企业——西南集成（SWID）
报名须知
会议时间：2023年4月27日 9:30-12:00 在线直播（重播）
参会流程：点击报名 → 审核通知 → 参会提醒 → 直播参会 → 会后讲义
直播链接：报名成功后，将在会前半小时以邮件和短信方式通知您
免费报名：电子行业研发工程师、制造工程师、采购或企业高管等专业人士均可免费报名
审核通知：VIP会员免审，注册会员等待约1个工作日审核
抽奖活动：认真参与世强硬创新产品研讨会的VIP用户，还有机会参与抽奖活动
会后讲义：参会用户专享权益，用户可在直播间实时获取讲义资料链接，并于直播结束后收到讲义和视频回顾邮件
2023年世强硬创新产品研讨会全年直播排期
● 汇聚集成电路，半导体元件，功率器件，接插件，组部件，电子材料等原厂新产品新技术
● 行业：汽车电子、新能源、ICT及通信、工业自动化、物联网及消费电子、安防及智慧交通、AR&VR等市场热点
● 罗姆、瑞萨、TE、安费诺、迈来芯、芯科、EPSON、菲尼克斯、罗杰斯、爱美达、魏德米勒、尼得科、台达、圣邦微等全球600家顶尖原厂参加
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 941
本文由neil提供，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关研发服务和供应服务
正在努力加载……相关推荐
功率器件国产化率仅为 22%，汽车和工业领域的需求旺盛
功率半导体器件，也称为电力电子器件，主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面大功率的电子器件。新能源汽车是功率器件增量需求主要来源。国产替代需求强烈。功率器件国产化率仅为 22%，高端产品国产化率更低。要重视国内厂商的产品品类从低端向高端切换，产品下游应用领域优化以及晶圆产线的升级节奏。
【视频】蓉矽高可靠性SiC功率器件在光储充与新能源汽车上的应用
型号- NCD30S40TTD,NC1M120C12HT,NC1M120C12W,NC1D120C10AT,NCD30S20TTD,NC1D120C20KT,NC1D120C30KT,NC1M120C40HT,NC1M120C75HT
瞻芯电子荣获SiC行业三大奖项，全面突破新能源汽车主驱、光伏储能、充电桩等众多关键领域市场
2024年12月12日，由行家说主办的“2024碳化硅＆氮化镓产业高峰论坛”于深圳召开。瞻芯电子凭借极具竞争力的碳化硅（SiC）功率器件和驱动解决方案，全面突破新能源汽车主驱、光伏储能、充电桩等众多关键领域市场，取得出色的业绩表现，在颁奖礼上荣获三项大奖：“中国SiC IDM十强企业”、“年度影响力产品奖”、“第三代半导体应用推动突破奖”。
【产品】1200V/100A七管封装功率IGBT模块，采用英飞凌第四代IGBT芯片技术
flow7PACK 2是Vincotech推出的一款具有优异电磁兼容性能，采用低电感flow 2封装的功率模块。
华太（Watech）功率器件产品选型指南
目录- 功率器件介绍和产品系列 功率器件
型号- HDW30S120B,HDP06S065A,HDW30S065A,HMZ040S120A,HMZ080S120A,HKW40N120FHEA,HDD04S065A,HMW080S120A,HKW40N120FHRA,HKZ75N65SHRA,HKW75N65SHRA,HMW1KS170A,HDW20S120A,HDD06S065A,HDW20S120B,HDW12S170A,HDW20S065B,HKZ75N65SHEA,HMBF1KS170A,HMW040S120A,HDF10S065A,HKW75N65SHEA,HDD10S120A,HDW40S120A,HDW40S120B
储能/BMS/电动车 SGT MOS光伏储能 IGBT单管
型号- HMS330N10,HMS320N04D,HMS310N85,HMS80N25,HMS120N85K,HMS135N10,HMS320N04G,HMS120N10G,HMS260N10D,HMS320N04,HMS80N10K,HMS120N10D,HMS120N10K,HMS80N10G,HMS320N04LL,HMS135N85D,HMS160N10,HMS100N85D,HMS100N85G,HMS100N20,HMS135N85,HMS100N85K,HMS80N10,HMS80N10D,HMS120N85D,HMS80N85K,HMS80N85G,HMS120N85G,HM75N120FT3,HMS100N15,HMS120N85,HMS310N85D,HMS260N10LL,HMS135N10K,HMS85N10,HMS80N85,HMS80N85D,HMS160N10D,HMS80N25D,HMG160N65FT3,HMS85N10K,HMS100N15D,HMS330N10LL,HMS85N10G,HMS120N10,HMS85N10D,HMS100N85,HMS135N85K,HMS135N85G,HMS260N10,HMS330N06LL,HMS310N85LL,HMS330N10D,HMS330N06,HMS135N10G,HMS135N10D,HMS100N20D,HMS330N06D
【元件】新洁能650V Gen.7 IGBT “V”系列产品，非常适合光伏逆变、储能、UPS等应用
NCE新洁能650V Gen.7系列IGBT产品，基于微沟槽场截止技术，可大幅提高器件的元胞结构密度。本文要介绍的“V”系列产品具有较大的饱和电流和良好的导通损耗/开关损耗折中特性，非常适合光伏逆变、储能、UPS等应用。
华太电子推出650V和1200V超结IGBT系列产品，已在光伏、储能等领域大批量使用
华太电子研发出650V和1200V超结1GBT系列产品。相较传统沟槽型IGBT,SUPER JUNCTION IGBT充分利用超结的优势，可有效提升器件的正向导通特性及开关特性。目前超结1GBT已在光伏、储能等领域开始大批量使用。
中国新能源汽车几何式发展，瑞之辰布局SiC市场
近年来，中国新能源汽车市场发展迅猛。根据中汽协数据显示，2023年，中国新能源汽车销量达到了949.5万辆，同比增长37.9%。预计2024年，中国新能源汽车销量可能将达到1200-1300万辆，并占据全球新能源汽车总销量的约60%。新能源汽车的迅猛发展，倒推车规级碳化硅SiC功率器件的需求也呈井喷式增长。深圳瑞之辰率先察觉这一趋势，早已布局SiC（碳化硅）领域，正发力推动行业高质量发展。
不带铜底板IGBT功率模块的散热设计
不带铜底板的IGBT模块已经成为模块封装发展的一个趋势，本文通过大量仿真及实验数据，介绍了Vincotech公司推出的预涂高性能导热硅脂服务对模块散热的改善效果。
【IC】数明半导体SiLM5350隔离驱动器，SiC驱动优选方案稳定高效助力工业与汽车应用
为了让SiC器件在这些大功率、高电压、高开关速度的应用中发挥出全部的特性，其驱动器的选择也至关重要。数明半导体的SiLM5350作为一款单通道30V、10A带米勒钳位的隔离驱动器，具有强大的驱动能力，能够高效、稳定地驱动SiC（碳化硅）等新型半导体器件，确保功率器件在各种复杂环境下高效的运行。
HKQ150N65S2HEK 650V 150A高速IGBT
描述- 本资料为WATECH Electronics公司生产的HKQ150N65S2HEK型650V 150A高速IGBT（集成FRD）的产品数据手册。该产品具有超低开关损耗、内部集成快速及软恢复反并联FRD等特点，适用于工业电源、太阳能逆变器、储能逆变器、不间断电源、电动汽车直流充电器以及焊接等领域。
型号- HKQ150N65S2HEK
新能源汽车的最强大脑“IGBT”都用在了哪儿？
IGBT是绝缘栅双极晶体管的简称，是一种三端半导体开关器件，可用于多种电子设备中的高效快速开关。IGBT主要用于放大器，用于通过脉冲宽度调制 (PWM) 切换/处理复杂的波形。在新能源汽车上应用于电池管理系统、电机控制系统、电动空调控制系统、充电系统等。在传统汽车领域也有广泛应用。
捷捷微电（JieJie Microelectronics）IGBT/SIC功率器件选型指南
型号- JJE75N120HAL,JJM80N120ADC,JJE6N65STP,JJE40N120SEP,JJE75N65HEL1,JJM25N120ADC,JJA20N65SC,JJE10N65SCP,JJM40N120ADC,JJE60N65HEL1,JJA20N65SE,JJE40N120HEL,JJE75N65HCL,JJE75N65HEL,JJE40N65HEP,JJE50N65HEP,JJA20N65SS,JJE10N65SSP,JJE60N65HEL,JJE40N65HEL,JJE50N65HEL
HP15R12W1 PIM IGBT功率模块初步数据表
描述- 本资料为HP15R12W1 PIM IGBT功率模块的初步规格书，介绍了该模块的产品特性、应用领域和典型性能参数。主要包括低开关损耗、低VCE(sat)损耗、低电感设计等特点，适用于工业应用、太阳能组串逆变器、储能逆变器和UPS系统等领域。
型号- HP15R12W1
电子商城
现货市场
服务
可定制变压器电压最高4.5KV，高频30MHz；支持平面变压器、平板变压器、OBC变压器、DCDC变压器、PLC信号变压器、3D电源、电流变压器、反激变压器、直流直流变压器、车载充电器变压器、门极驱动变压器等产品定制。
最小起订量： 100000 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
查看全部1条回复