【产品】采用DFN1006-3L-A塑封的N沟道MOSFET CJBB3134K，可在低逻辑电平栅极驱动器上运行

时间： 2020-11-23 来源：长晶科技

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长晶科技推出的CJBB3134K是DFN1006-3L-A塑封的N沟道MOSFET，可在低逻辑电平栅极驱动器上运行，栅极具有ESD保护。具有无铅产品可选，可用于负载/电源开关，接口开关，超小型便携式电子产品电池管理等领域。此外，器件的工作结温和存储温度范围宽至-55~150°C，能够在不同温度环境下工作。

CJBB3134K漏源电压最大额定值为20V；栅源电压最大额定值为±12V。器件的连续漏极电流最大额定值为0.75A（使用最小推荐焊盘尺寸，表面贴装在FR4板上）；脉冲漏极电流 (tp=10us)可达1.8A, 耗散功率最大额定值仅为100mW（使用最小推荐焊盘尺寸，表面贴装在FR4板上）。具有低导通电阻，采用脉冲测试（脉冲宽度≤300µs，占空比≤0.5%），V_GS =4.5V, I_D =150mA条件下的漏源导通电阻最大值仅为500mΩ；V_GS =2.5V, I_D =150mA条件下的漏源导通电阻最大值仅为700mΩ。

图1 产品外观和等值电路

优势与特性

无铅产品可选

表面贴片封装

N沟道开关，低漏源导通电阻R_DS（on）

在低逻辑电平栅极驱动器上运行

栅极具有ESD保护

应用领域

负载/电源开关

接口开关

超小型便携式电子产品的电池管理

逻辑电平转换

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CJBB3134K_DFN1006-3L-A、B1040A1_DFN1006-2L, ESDBL7V0A1_DFN1006-2L, ESDBM7V0A1_DFN1006-2L 工程变更通知 (CJBB3134K_DFN1006-3L-A、B1040A1_DFN1006-2L, ESDBL7V0A1_DFN1006-2L, ESDBM7V0A1_DFN1006-2L Process Change Notice (PCN)）(EO202407015)

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