【应用】兆易创新的SPI FLASH用于GNSS定位模组上,功耗电流低至1μA
GNSS定位模组中需要存储一些定位解算信息和固件升级数据,如果主处理器内存有限就需要外挂FLASH扩展存储空间。兆易创新推出的SPI FLASH:GD25Q64C外形尺寸小、控制形式简单,可广泛应用于GNSS定位模组中。其中FLASH在模组中的应用框图可参考下面的框图。
图1 应用框图
GD25Q64C作为一款支持SPI通信的FLASH,工作电压范围是2.7~3.V,低功耗模式下功耗电流只有1μA,小电流的优势可以延长GNSS模组在纽扣电池供电的情况下的使用时间。GD25Q64C支持扇区、块和整片芯片擦除,整片芯片擦除时间只需要25秒。
芯片内部的框图如下:
图2 功能框图
GD25Q64C支持写保护功能,简单的应用控制上只需要片选、时钟、数据输入、数据输出这几个管脚。为了便于进行阻抗匹配建议在时钟,数据输入、数据输出上串上电阻和滤波电容,目的是改善数据传输过程中的振铃和过冲。关于GD25Q64C的封装信息参照下图:
图3 封装信息
以上两种封装是比较常用的而且尺寸都比较小,其中8-LEAD WSON/USON封装外中USON的封装尺寸只有4*4*0.45mm;这种小尺寸的特点特别适合在一些对尺寸有要求的模组中应用。
综上GD25Q64C应用于GNSS定位模组中有以下几个优势:
1、 芯片国产化符合当前的贸易形势。
2、 封装尺寸与管脚定义与市面上流行的一些国外的芯片兼容可平行替代。
3、 小尺寸,适合对外观尺寸有要求的模组。
4、 功耗低,适合一些用纽扣电池工作的场合。
产品在使用时建议将传输信号线上拉,并进行一个RC滤波,保证数据传输的建立时间和保持时间满足要求;RC滤波的参数要根据实际的PCB调整,一般电阻的大小是K级别,电容的大小是pF级别,只有做好匹配才能保证数据的稳定传输,不认会适得其反。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由Amy提供,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关推荐
【应用】国产GD25Q128CSIG SPI NOR Flash成功用于多路温度监测记录仪,能够连续存储10天数据
本文介绍一款多路温度监测记录仪,支持8路温度采集,可以实时将温度数据通过网络转送至云端服务器,可在终端查询历史数据。即使在网络故障的情况下,也可以在本地缓存10天以上的数据。我们选择大约128Mbit容量的存储器即可满足设计要求。经过选型比较,TF卡或NandFlash容量都比较大(GB级),用在这里有些浪费。最终我们选定兆易创新SPI NOR Flash GD25Q128CSIG。
【成功案例】兆易创新SPI NOR Flash GD25Q16CSIG用于STM32单片机远程升级工具的固件缓存
项目需要为云教学实验室开发一款可通过4G或WIFI网络远程升级STM32单片机固件的升级工具。用来缓存固件的SPI NOR Flash采用的是兆易创新的GD25Q16CSIG,容量大小为16Mbit。兆易创新对SPI NOR Flash的国产化,使GD25系列的存储芯片价格更有优势,数据可保存20年,擦写次数达到10万次,用在这个项目中非常合适。
【应用】兆易创新GD25LQ256D Flash应用于wifi6路由器,支持双四SPI速率传输高达480M
由于路由器需要存储用于运行系统的固件和路由表,此时就需要用到一颗Flash来存储运行的固件和路由表。本文主要介绍兆易创新GD25LQ256D Flash应用于wifi 6路由器,可以给路由器提供可靠的存储空间。
【选型】BOYAMICRO(博雅)快闪存储芯片选型指南
目录- 芯片性能指标和市场领域 2.7-3.6V SPI Nor Flash芯片 1.65-1.95V SPI Nor Flash芯片 1.65-3.6V SPI Nor Flash芯片
型号- BY25Q80AW,BY25Q20AL,BY25Q256AW,BY25Q64AS,BY25Q32BL,BY25Q32BS,BY25Q80AS,BY25Q64AL,BY25Q20AS,BY25Q40AS,BY25Q20AW,BY25Q40AW,BY25Q64AW,BY25D10AS,BY25Q256AL,BY25Q512MAL,BY25Q256AS,BY25Q32AL,BY25Q10AL,BY25Q16AL,BY25Q512AS,BY25Q10AS,BY25Q128AL,BY25Q512MAW,BY25D16AS,BY25Q32AS,BY25Q16AS,BY25Q512AW,BY25Q512MAS,BY25Q10AW,BY25Q32AW,BY25Q16AW,BY25D20AS,BY25Q128AS,BY25Q512AL,BY25D40AS,BY25D512AS,BY25Q128AW,BY25D80AS,BY25Q40AL,BY25Q80AL
【方案】符合欧盟G3-PLC标准调制解调模块优选元器件方案
描述- 本方案采用Renesas 的高性能处理器MCU R5F565N4ADFP、 Renesas 高性能窄带电力线通信(NB-PLC)调制调解器IC R9A06G037、Renesas 的差分线路驱动器ISL15102、外挂兆易创新的SPI flash GD25Q32CWIGR、EPSON 的24Mhz 和12Mhz 晶振,实现电力线载波信号的调制解调和信号处理。
型号- X1E000021026400,ISL15102IRZ,SGM6232YPS8G/TR,R1244N001B-TR-FE,Q24FA20H0042600,R5F565N4ADFP#30,R9A06G037GNP#AA0,SMAJ20CA,GD25Q32CWIGR
同时支持单、双和四通道功能的博雅科技SPI Nor Flash芯片,具有高度可靠性和稳定性
博雅科技自主研发设计的SPI Nor Flash芯片是市场主流的高可靠性存储器产品,广泛应用于手机、电脑主板、机顶盒、电脑主板、U盾、摄像头、物联网模块、监控设备、通讯路由、显示面板、蓝牙模组、定位模块等应用领域。
目前做一款液晶显示器产品,用了旺宏的MX25L3208EZNI-10G FLASH,世强有替代料吗?
推荐兆易创新(Gigadevice)GD25Q32CWIG,是低功耗SPI NOR Flash产品,其主要参数:容量32Mbit,工作电压2.7V~3.6V,具有低功耗,典型待机电流1uA,编程/擦写次数≥100,000,数据保存周期长达20年。此外,GD25Q32CWIG具有三种工作温度,分别为-40℃~85℃,-40℃~105℃,-40℃~125℃,WSON8 (6x5mm)封装。具体参数见数据手册:https://www.sekorm.com/doc/1163328.html
【产品】容量为4G bit的GD5F4GQ4xC 系列SPI(串行外设接口)NAND Flash闪存
兆易创新(Gigadevice)公司新推出的 GD5F4GQ4xC 系列SPI(串行外设接口)NAND闪存为嵌入式系统提供了超高性价比的高容量非易失性存储器存储解决方案,基于业界标准的NAND闪存内核。
支持1.8、2.5、3.0V和宽压电源供电的SPI NOR Flash,内存架构灵活,数据可保留20年
兆易创新SPI NOR Flash提供高性能和安全特性,可满足当今应用多样化设计需求,具有:支持1.8V、2.5V、3.0V和宽压电源供电;提供单通道、双通道、四通道SPI工作模式;四通道SPI数据吞吐量高达532Mb/s,优于许多异步并行闪存等优势。
【应用】兆易创新Flash GD25Q64CWIGR成功用于GNSS定位模组
GNSS定位模组中有时需要外挂一个FLASH用于固件信息的备份和定位数据的保存,兆易创新推出的一款SPI接口的FLASH——GD25Q64CWIGR,尺寸小、控制形式简单,SPI接口仅需6个信号便可实现控制器和存储器之间的通信,减少了设计的复杂性,也缩小了电路板面积,降低了功耗和系统总成本。
【经验】以GD5F4GQ6XEXXG系列为例,详解兆易创新SPI NAND Flash存储器结构
SPI NAND flash方案的优势是主控内可以不需要带有传统NAND的控制器,只需要有SPI的接口。并且FLASH内置ECC,这样就省掉主控去做硬件或软件ECC的功能。本文以GD5F4GQ6XEXXG系列为例详解兆易SPI NAND FLASH的内部结构。
【应用】兆易创新SPI Serial Flash GD25Q256DYIGR成功用于主控为ITE9856的楼宇室内终端
笔者设计开发的这款楼宇室内终端,采用联阳半导体ITE9856做为主控,设备支持图片播放和语音,系统整体空间要求较大,需要用到不小于16MB的flash做为存储器。兆易创新SPI Serial Flash GD25Q256DYIGR存储空间具有32MB完全满足设计需求。同时该芯片可以PIN-TO-PIN替换WINBOND的W25Q256FVIG,但作为国产芯片价格更优优势。
【产品】兆易创新GD5F全系列SPI NAND Flash通过AEC-Q100车规级认证,全面进入汽车应用领域
兆易创新旗下全国产化38nm SPI NAND Flash——GD5F全系列已通过AEC-Q100车规级认证。包含 GD5F1GQ5/GD5F2GQ5/GD5F4GQ6产品,覆盖1Gb~4Gb容量,全面进入汽车应用领域,加速助力汽车应用的国产化。
【经验】可替代W25N01GV的GD5F1GQ4 SPI Nand Flash用于UPS监控数据存储中的设计注意事项
这些年随着半导体工业的快速发展,存储器件的容量和工业得到了快速提升,NAND flash就是存储器设计和工艺发展的结果。现在新型的处理器几乎都具备了与SPI nand falsh接口的能力,这又进一步促进了nand flash的高速发展。本文介绍了国产兆易创新的1Gbit nand flash GD5F1GQ4在UPS监控中的数据存储中的设计注意事项。
兆易创新(GD)SPI NOR Flash 在TWS耳机上应用,静态电流低至1uA,容量有512Kbit-512Mbit
北京兆易创新(简称GD)推出一系列SPI NOR Flash,电压有1.8V系列,静态电流低至1uA,容量有512Kbit-512Mbit,小封装有WLCSP、USON等,非常适用于低功耗、小体积应用。目前很多TWS厂家已经在采用GD方案。
电子商城
现货市场
服务
可定制显示屏的尺寸0.96”~15.6”,分辨率80*160~3840*2160,TN/IPS视角,支持RGB、MCU、SPI、MIPI、LVDS、HDMI接口,配套定制玻璃、背光、FPCA/PCBA。
最小起订量: 1000 提交需求>
可烧录IC封装SOP/MSOP/SSOP/TSOP/TSSOP/PLCC/QFP/QFN/MLP/MLF/BGA/CSP/SOT/DFN;IC包装Tray/Tube/Tape;IC厂商不限,交期1-3天。支持IC测试(FT/SLT),管装、托盘装、卷带装包装转换,IC打印标记加工。
最小起订量: 1pcs 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论