【元件】 EPC新推80V车规级GaN FET EPC2252，脉冲电流75A，实现更高分辨率激光雷达
EPC推出80V、通过AEC-Q101认证的氮化镓场效应晶体管（GaN FET）EPC2252，为设计人员提供比硅MOSFET更小和更高效的解决方案，用于车规级激光雷达、48V/12V DC/DC转换和低电感电机驱动器。
作为增强型氮化镓FET （eGaN®FET）和IC的全球领导者，宜普电源转换公司（EPC）进一步扩大已有现货供应的车规级氮化镓产品系列，推出80V、11mΩ、在1.5mm x 1.5mm封装内提供75A脉冲电流的EPC2252，比硅MOSFET更小和更高效，适用于自动驾驶和其他先进驾驶辅助系统应用中的车规级激光雷达、48V/12V DC/DC转换和低电感电机驱动器。
在高频工作时，氮化镓晶体管具有更低的开关损耗、更低的传导损耗、零反向恢复损耗和更低的驱动功率，可实现高效率。结合极小的占板面积，这些优势可实现最高功率密度。
氮化镓晶体管具备快速开关、亚纳秒级转换和在短于3ns时间内可生成大电流脉冲的优势，使激光雷达在自动驾驶、停泊车辆和防撞方面看得更远和分辨率更高。
EPC联合创始人兼首席执行官Alex Lidow说：“EPC2252是车规级激光雷达、低电感电机驱动器和48V DC/DC转换的理想开关。我们致力于为汽车市场扩大氮化镓产品系列，以实现高效、低成本的汽车电气化和自动驾驶。”
有兴趣用GaN解决方案替换其硅MOSFET的设计人员可使用EPC GaN Power Bench的交叉参考工具，根据您所需的特定工作条件，EPC会推荐合适的替代方案。
宜普电源转换公司（EPC）是基于增强型氮化镓（eGaN®）的功率管理器件的领先供货商，氮化镓场效应晶体管（eGaN场效应晶体管)及集成电路的性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍，其目标应用包括直流-直流转换器、激光雷达（LiDAR）、用于电动运输、机器人和无人机的电机驱动器，以及低成本卫星等应用。此外，宜普电源转换公司继续扩大基于eGaN IC的产品系列，为客户提供进一步节省占板面积、节能及节省成本的解决方案。
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