【元件】 EPC新推80V车规级GaN FET EPC2252，脉冲电流75A，实现更高分辨率激光雷达

时间： 2023-02-01 来源：EPC

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EPC推出80V、通过AEC-Q101认证的氮化镓场效应晶体管（GaN FET）EPC2252，为设计人员提供比硅MOSFET更小和更高效的解决方案，用于车规级激光雷达、48V/12V DC/DC转换和低电感电机驱动器。

作为增强型氮化镓FET （eGaN^®FET）和IC的全球领导者，宜普电源转换公司（EPC）进一步扩大已有现货供应的车规级氮化镓产品系列，推出80V、11mΩ、在1.5mm x 1.5mm封装内提供75A脉冲电流的EPC2252，比硅MOSFET更小和更高效，适用于自动驾驶和其他先进驾驶辅助系统应用中的车规级激光雷达、48V/12V DC/DC转换和低电感电机驱动器。

在高频工作时，氮化镓晶体管具有更低的开关损耗、更低的传导损耗、零反向恢复损耗和更低的驱动功率，可实现高效率。结合极小的占板面积，这些优势可实现最高功率密度。

氮化镓晶体管具备快速开关、亚纳秒级转换和在短于3ns时间内可生成大电流脉冲的优势，使激光雷达在自动驾驶、停泊车辆和防撞方面看得更远和分辨率更高。

EPC联合创始人兼首席执行官Alex Lidow说：“EPC2252是车规级激光雷达、低电感电机驱动器和48V DC/DC转换的理想开关。我们致力于为汽车市场扩大氮化镓产品系列，以实现高效、低成本的汽车电气化和自动驾驶。”

有兴趣用GaN解决方案替换其硅MOSFET的设计人员可使用EPC GaN Power Bench的交叉参考工具，根据您所需的特定工作条件，EPC会推荐合适的替代方案。

宜普电源转换公司（EPC）是基于增强型氮化镓（eGaN^®）的功率管理器件的领先供货商，氮化镓场效应晶体管（eGaN场效应晶体管)及集成电路的性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍，其目标应用包括直流-直流转换器、激光雷达（LiDAR）、用于电动运输、机器人和无人机的电机驱动器，以及低成本卫星等应用。此外，宜普电源转换公司继续扩大基于eGaN IC的产品系列，为客户提供进一步节省占板面积、节能及节省成本的解决方案。

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本文由圆明园驯兽师转载自EPC，原文标题为:采用新型车规级GaN FET设计更高分辨率激光雷达系统以实现更先进的自主式系统，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。

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WilberTse Lv6. 高级专家 2023-02-03

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2022-12-29 - 新产品代理服务技术支持采购服务

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2020-01-15 - 新产品代理服务技术支持采购服务

面向48V DC/DC电源转换、马达控制及激光雷达的100 V氮化镓（eGaN®）功率晶体管

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2019-03-19 - 新产品代理服务技术支持采购服务

EPC eGaN®FET/晶体管选型表

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Max RDS(on) (mΩ) @ 5 VGS

Enhancement Mode Power Transistor

选型表 - EPC 立即选型

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2022-12-21 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

将氮化镓场效应晶体管与专为硅MOSFET设计的控制器和栅极驱动器结合使用

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February 2024 - 技术文档代理服务技术支持采购服务

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商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

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2024/6/11 - 应用及方案代理服务技术支持采购服务

【经验】氮化镓场效应晶体管如何融合激光雷达技术，实现极具性价比脉冲激光驱动电路开关

激光雷达（LiDAR）是一种远距感测技术，从感测器发射光脉冲，并记录反射光线的时间，从而映射物件的位置及距离，本文介绍了氮化镓场效应晶体管如何融合激光雷达技术，实现极具性价比脉冲激光驱动电路开关，应用诸如自动驾驶汽车及驾驶辅助系统（ADAS）。

2022-06-07 - 设计经验代理服务技术支持采购服务

【元件】EPC推出首款具有最低1mΩ导通电阻的GaN FET EPC2361，采用紧凑型QFN封装（3mmx5mm）

EPC推出采用紧凑型QFN封装(3mmx5mm)的100V、1mOhm GaN FET(EPC2361)，助力DC/DC转换、快充、电机驱动和太阳能MPPT等应用实现更高的功率密度。

2024-02-29 - 产品代理服务技术支持采购服务

EPC GaN FET助力DC/DC转换器实现功率密度和效率基准

EPC GaN FET与Analog Devices驱动器和控制器相结合，为客户简化氮化镓基设计、提高其效率、降低散热成本、助力计算、工业和消费类应用的DC/DC转换器实现最高功率密度。

2024-02-29 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

【选型】EPC氮化镓场效应晶体管用于多线激光雷达，具备小封装，开关频率可达100MHz

某用户想研制一款多线激光雷达，主要应用于交通领域，想找一款效应晶体管用来驱动激光器，经过评估我们推荐了EPC氮化镓场效应晶体管EPC2221，它具备小封装，尺寸仅为1.35x1.35mm，开关频率可达100MHz。

2023-02-14 - 器件选型代理服务技术支持采购服务

EPC GaN FET可在数纳秒内驱动激光二极管，实现75~231A脉冲电流

宜普电源转换公司（EPC）推出三款激光驱动器电路板，这些板采用了符合AEC-Q101认证标准、快速转换的GaN FET以实现具备卓越性能的激光雷达系统。EPC推出三款评估板，分别是EPC9179、EPC9181和EPC9180，它采用75A、125A、231A脉冲电流激光驱动器和通过车规级AEC-Q101认证的EPC GaN FET-EPC2252、EPC2204A和EPC2218A。

2024-01-16 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓技术适用于多种应用，包括汽车、激光雷达、DC/DC转换器、马达驱动器、医疗应用、D类音频放大器、LED照明和无线充电等。此外，eGaN FET还通过了AEC-Q101车规级认证，确保了器件的可靠性和安全性。

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2023/11/29 - 应用及方案代理服务技术支持采购服务查看更多版本

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术，旨在提供更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本。与硅MOSFET相比，eGaN FET具有更低的阻抗、更低的导通损耗、更小的电容和更低的开关损耗。文章还强调了eGaN FET在汽车、激光雷达、DC/DC转换器、马达驱动器、医疗应用、D类音频放大器、LED照明、无线充电和太阳能应用等领域的应用优势。此外，文章还提到了eGaN FET的可靠性、成本效益和全面设计支持。

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2023/10/6 - 应用及方案代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓技术使能了全新的功能，如更低的阻抗、更低的导通损耗、更小的电容和更低的开关损耗。此外，氮化镓器件通过AEC-Q101车规级认证，具有可靠性、安全性和耐辐射性。eGaN FET广泛应用于汽车、激光雷达、马达驱动器、医疗应用、D类音频放大器、LED照明和无线充电等领域。

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2023/9/26 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓技术使能了全新的功能，如更低的阻抗、更低的导通损耗、更小的电容和更低的开关损耗。此外，氮化镓器件通过AEC-Q101车规级认证，具有可靠性、安全性和耐辐射性。eGaN FET广泛应用于汽车、激光雷达、DC/DC转换器、马达驱动器、医疗应用、D类音频放大器、LED照明和无线充电等领域。

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2023/9/11 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN® FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓技术使能全新功能，如更低的阻抗、更低的导通损耗、更小的电容和更低的开关损耗。此外，氮化镓器件通过AEC-Q101车规级认证，具有可靠性、安全性和耐辐射性。eGaN® FET技术适用于多种应用，包括汽车、激光雷达、DC/DC转换器、马达驱动器、医疗应用、D类音频放大器、LED照明和无线充电等。

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2023/7/12 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓器件在开关应用中表现出卓越的性能，具有更低的阻抗、导通损耗和开关损耗，以及更小的电容。此外，eGaN FET技术具有成本效益，适用于多种应用，包括汽车、射频放大器、负载点转换器、DC/DC转换器、马达驱动器、医疗应用、无线充电和D类音频放大器等。

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2022/9/7 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，一种基于氮化镓的功率晶体管技术。该技术与传统硅MOSFET相比，具有更快开关速度、更小型化和更高效率等优点。文中详细阐述了eGaN FET在降低阻抗、导通损耗、开关损耗和电容方面的优势，以及其在不同功率和电压条件下的高效工作能力。此外，还提到了eGaN FET的应用领域，包括汽车、射频放大器、负载点转换器、DC/DC转换器、马达驱动器、医疗应用、无线充电和D类音频放大器等。

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2022/3/2 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务