【产品】三款50V/0.1A双路增强型硅晶体管，高增益、低噪声的最佳之选

时间： 2018-12-26 来源：Central Semiconductor

技术问答

Central Semiconductor （简称Central）公司是美国中央半导体公司，半导体产硅晶体管品处于世界领先水平，其运营团队提供最高水平的技术支持，出色的销售支持和优质的服务。Central公司推出的硅晶体管—— CMLT5078E，CMLT5087E和CMLT5088E，是增强型硅晶体管，采用节省空间的SOT-563封装，适用于高增益、低噪声的应用场合。其产品实物图如图1所示。

图1.CMLT5078E、CMLT5087E、CMLT5088E硅晶体管的产品实物图

CMLT5078E、CMLT5087E、CMLT5088E硅晶体管的集电极-基极电压V_CBO为50V，集电极-发射极电压V_CEO为50V，发射极-基极电压V_EBO为5.0V。另外，CMLT5078E、CMLT5087E、CMLT5088E硅晶体管的热阻Θ_JA为357°C/W，工作和存储结温的范围均为-65 °C~+150 °C，具有耐高/低温的能力，适应性能强，这提高了其在各个电路设计中的可靠性。其产品的封装尺寸、引脚说明图如图2所示。

图2.CMLT5078E、CMLT5087E、CMLT5088E硅晶体管的封装尺寸、引脚说明图

另外，CMLT5078E、CMLT5087E、CMLT5088E硅晶体管的特征频率最小值f_T为100MHz（V_CE=5.0V, I_C=500μA, f=20MHz），当I_C=10mA, I_B=1.0mA时， NPN晶体管集电极-发射极间饱和压降V_CE(SAT)典型值为45mV，而PNP晶体管集电极-发射极间饱和压降V_CE(SAT)典型值为50mV。极间电容C_ob最大值为4.0pF（V_CB=5.0V, I_E=0, f=1.0MHz）。产品具有很好的频率特性，充放电时间短，开关损耗低。

CMLT5078E、CMLT5087E、CMLT5088E硅晶体管的主要特点：

• 集电极-基极电压V_CBO为50V

• 集电极-发射极电压V_CEO为50V

• 发射极-基极电压V_EBO为5.0V

• 其耗散功率P_D最高为350mW（T_A=25℃）

• 集电极连续电流I_C为100mA

• 工作及存储结温范围为-65°C~+150°C

• 结壳热阻Θ_JA为357°C/W

• 采用SOT-563封装

CMLT5078E、CMLT5087E、CMLT5088E硅晶体管的典型应用：

• 高增益、低噪声的应用场合

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全部评论（1）

A总 Lv6. 高级专家 2018-12-26

学习了 ☺

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