【产品】厚膜表贴型负载电阻SMT2010A，驻波比最大为1.25：1，额定输入功率为10W，标准阻抗为50Ω
国际领先的微波电阻性器件、信号分配产品和电缆组件产品的领导者EMC RFLABS公司推出了一款厚膜表贴型功率带状线——SMT2010A，具有EMI抑制性能好、射频性能好、散热性能优异的特点。这些带状线电阻经过优化后的驻波比（VSWR）小于1.25：1，在直流到3GHz的频率范围内都有着很好的频率特性，额定输入功率为10W，标准阻抗为50Ω，工作和存储温度范围均在-55℃到+150℃之间，符合军工级芯片温度要求，适用于多种苛刻温度环境，环境可靠性高。
由于一般射频输出功率比较大，负载容易产生发热受损的问题，这时候负载电阻的导热能力就显得尤为重要，导热能力是导热系数与物体的几何形状相结合而体现的。SMT2010A 采用的是EMC RFLABS独有的非对称专利技术，通过为本芯片增加接地面积来改善其散热能力，为解决因射频负载散热能力不好而造成的负载发热问题提供了完美的解决方案。另外导热能力在数值上可用热阻来衡量，热阻越低越好，本负载电阻就具有较低的热阻为2.50°C/W，充分体现了本产品优秀的导热能力。
SMT2010A作为厚膜表贴型负载电阻，顾名思义，该负载采用表面贴装的方式直接焊接到安装表面，且最高可耐受100℃的表面安装温度；该芯片还具有最高200℃的薄膜温度，甚至超过了所有军事/高可靠性应用要求的150°C最高薄膜温度，有着极佳的耐受能力，不易因焊接破损；本芯片根据ANSI/ASQCz1.4抽样标准，AQL=1.0，一般检验水平为II级进行质量抽样检验，可应用于移动网络、广播、高功率放大器、光电隔离器、军事、卫星通信等市场领域。
图1. SMT2010A负载电阻产品图
图2. SMT2010A外形尺寸参考图
SMT2010A厚膜表贴型负载电阻的主要特性：
•emi抑制性能、射频性能以及散热性能优异
•宽储存/工作温度：-55℃~+150℃，符合军工级芯片温度要求
•低VSWR：1.25:1（最大值）
•额定阻抗：50Ω（标称值）
•频率范围：DC~3GHz
•额定功率：10W（散热片,100°C）
（于150°C线性降额至0W）
•低热阻：2.50°C/W
•非对称专利技术
•超高薄膜温度：200℃
SMT2010A厚膜表贴型负载电阻的应用领域：
•移动网络
•广播
•高功率放大器
•光电隔离器
•军事
•卫星通信
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RF.DEVICE Lv5. 技术专家 2018-08-28厉害学习，可以申请这个的样品吗？ -
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