【产品】高密度单元设计的60V/5A N沟道增强型功率MOSFET RM6005AR，可提供优良的低导通电阻

时间： 2019-11-17 来源：丽正国际

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RM6005AR是丽正国际推出的一款采用SOT-223-3L封装的N沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻R_DS(ON)、低栅极电荷，广泛适用于多种应用。

在T_A=25°C时，RM6005AR可以承受的漏源电压最大额定值为60V，栅源电压最大额定值为±20V，漏极连续电流最大额定值为5A，漏极脉冲电流最大额定值为24A，最大功率耗散为2W，结温和储存温度范围为-55~150℃，结至环境热阻典型值为62.5℃/W。

产品特性
•V_DS =60V,I_D =5A

R_DS(ON) <35mΩ @ V_GS=10V

R_DS(ON) <45mΩ @ V_GS=4.5V

•高密度单元设计，可实现超低R_DS(ON)

•雪崩电压和电流具有完美表现

•高E_AS，具有良好的稳定性和一致性

•优良的封装，良好的散热性能

•特殊工艺技术可实现高ESD能力

应用领域

电源切换应用
硬开关和高频电路
不间断电源
无卤素应用
P/N后缀V表示AEC-Q101认证，例如：RM6005ARV

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