【产品】高密度单元设计的60V/5A N沟道增强型功率MOSFET RM6005AR，可提供优良的低导通电阻
丽正国际（RECTRON）一直致力于二极管、晶体管、整流器等相关产品的研发生产，具备成套的专项技术。
RM6005AR是丽正国际推出的一款采用SOT-223-3L封装的N沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，广泛适用于多种应用。
在TA=25°C时，RM6005AR可以承受的漏源电压最大额定值为60V，栅源电压最大额定值为±20V，漏极连续电流最大额定值为5A，漏极脉冲电流最大额定值为24A，最大功率耗散为2W，结温和储存温度范围为-55~150℃，结至环境热阻典型值为62.5℃/W。
产品特性
•VDS =60V,ID =5A
RDS(ON) <35mΩ @ VGS=10V
RDS(ON) <45mΩ @ VGS=4.5V
•高密度单元设计，可实现超低RDS(ON)
•雪崩电压和电流具有完美表现
•高EAS，具有良好的稳定性和一致性
•优良的封装，良好的散热性能
•特殊工艺技术可实现高ESD能力
应用领域
电源切换应用
硬开关和高频电路
不间断电源
无卤素应用
P/N后缀V表示AEC-Q101认证，例如：RM6005ARV
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品牌：丽正国际
品类：N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
价格：￥0.1576
现货： 5,000
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