【应用】国产超结MOS管TPA80R750C助力蓄电池充电器辅源设计，RDson低至660mΩ

时间： 2022-02-24 来源：世强

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在蓄电池充电器的设计过程中，需要通过一套辅助电源来给控制电路和驱动电路供电，而100W以内的辅助电源设计大多数工程师比较青睐单管反激拓扑方案，具有输入电压范围宽，电路简单，且控制方法简单，采用电路型控制最佳。

图1 辅助电源反激式电路框图

本文重点介绍国产无锡紫光微800V超级结功率MOSFET，助力单管反激式辅助电源设计，电池充电器中一般会有一套辅助电来给控制电路和驱动电路供电，如上图1为方案原理框图，主电路采用反激式拓扑，PWM控制芯片驱动初级MOS 管TPA80R750C 导通与关断，输入电容Cin 储存的能量通过主变压器T1 传输到次级并经输出二极管D1与输出电容Cout 整流滤波后得到直流输出电压从而给电池充电配合充电管理芯片使用。

TPA80R750C的封装尺寸

国产紫光微800V超级结功率MOSFET管 TPA80R750C助力充电器辅助电源设计，具有几下几点优势:

1、最高耐压为800V，VDS＞1.5V(310V)，具有足够的耐压余量空间，防止MOS管关断时产生的电压尖峰而损坏；

2、静态漏源导通电阻低至660mΩ，低的Rds利于降低导通损耗，减小系统功率损耗，有利于提高效率；

3、总栅极电荷Qg典型值为26.5nC，开关损耗低，效率高，具有更好的开关特性；

4、漏极持续电流为8A@100℃，针对100以内辅助电源设计较高的的电流余量，Id大于2（Po/Vin）；

5、最大功耗值为31.3W（TC=25℃），工作结温和存储温度为-55℃~+150℃，适应广泛的工业温度范围；

6、采用的是TO-220F塑封封装，节省了绝缘散热材料，降低成本，提供系统可靠性；

7、国产器件，大批量出货，具有样品快速支持，供货交期、产品价格均有很好的保障；

综上所述，使用国产国产紫光微800V超结MOS管,可提高电源效率，降低成本，从综合成本和性能优势来看相比其他进口的MOSFET具有更高的性价比。

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