【产品】基于“共源共栅”的650V SiC FET器件UF3C065040B3,导通电阻典型值42mΩ

2022-02-18 UnitedSiC
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UF3C065040B3UnitedSiC公司推出的一款650V-42mΩ SiC FET,这种 SiC FET 器件基于独特的“共源共栅”电路配置,其中常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 封装在一起来构成常闭型 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许对Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超结器件实现真正的“直接替代”。该产品采用D2PAK-3L 封装,该器件具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性,与推荐的RC缓冲器一起使用时,非常适合感性负载的开关,以及许多需要标准栅极驱动的应用。

                                                                                        

产品特征

● 导通电阻 RDS(on),典型值为 42mΩ

● 最高工作温度 175°C

● 出色的反向恢复特性

● 低栅极电荷

● 低固有电容

● ESD 保护,HBM2级

● 非常低的开关损耗(在典型工作条件下所需的RC缓冲器损耗可以忽略不计)


订购信息

                                                                                

典型应用

● 电动汽车充电

● 光伏逆变器

● 开关电源

● 功率因数校正模块

● 电机驱动

● 感应加热                           

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