【产品】TO-252封装的无铅N沟道增强型MOSFET AP7N10K，漏源电压最大值为100V

时间： 2023-06-02 来源：铨力半导体

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铨力半导体推出一款采用TO-252封装的N沟道增强型MOSFET——AP7N10K，采用先进的沟槽技术，具有出色的漏源导通电阻和低栅极电荷特性，无铅产品，适用于PWM应用、负载开关、电源管理等应用。

特点

漏源电压V_DS=100V，连续漏极电流I_D=7A

漏源导通电阻R_DS(ON)<130mΩ@V_GS=10V（典型值105mΩ）

漏源导通电阻R_DS(ON)<185mΩ@V_GS=4.5V（典型值150mΩ）

采用先进的沟槽技术

无铅产品

具有出色的漏源导通电阻和低栅极电荷特性

应用

PWM应用

负载开关

电源管理

绝对最大额定值参数（T_a=25℃，除非特别说明）:

电气参数(T_a=25℃，除非特别说明)

注：

1、重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制

2、E_AS条件：T_J=25℃，V_DD=50V，L=0.5mH，R_G=50Ω

3、脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%

4、表面贴装在FR4板，t≤10s

封装标识及订购信息

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