【产品】TO-252封装的无铅N沟道增强型MOSFET AP7N10K，漏源电压最大值为100V
铨力半导体推出一款采用TO-252封装的N沟道增强型MOSFET——AP7N10K，采用先进的沟槽技术，具有出色的漏源导通电阻和低栅极电荷特性，无铅产品，适用于PWM应用、负载开关、电源管理等应用。
特点
漏源电压VDS=100V，连续漏极电流ID=7A
漏源导通电阻RDS(ON)<130mΩ@VGS=10V（典型值105mΩ）
漏源导通电阻RDS(ON)<185mΩ@VGS=4.5V（典型值150mΩ）
采用先进的沟槽技术
无铅产品
具有出色的漏源导通电阻和低栅极电荷特性
应用
PWM应用
负载开关
电源管理
绝对最大额定值参数（Ta=25℃，除非特别说明）:
电气参数(Ta=25℃，除非特别说明)
注：
1、重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制
2、EAS条件：TJ=25℃，VDD=50V，L=0.5mH，RG=50Ω
3、脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%
4、表面贴装在FR4板，t≤10s
封装标识及订购信息
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|
产品型号
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品类
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Package Type
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Configuration
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MOSFET Type
|
VDS (V)
|
VGS (V)
|
Vth (V)
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=10V
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=4.5V
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=2.5V
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=1.8 V
|
ID(A) Tc=25℃
|
ID(A) Tc=100℃
|
|
AP5N10M
|
SGT Mos
|
SOT-89
|
Single
|
N
|
100
|
±20
|
1-3
|
115/145
|
130/160
|
-
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-
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5
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-
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