【产品】100V/3.0A表面安装硅互补功率晶体管，专为功率放大器和高速开关设计
CJD31C（NPN功率晶体管）和CJD32C（PNP功率晶体管）是CENTRAL半导体公司推出的表面安装硅互补功率晶体管，他们具有高电压、高电流、低功耗等特点。其采用了DPAK表面贴装封装，专为功率放大器和高速开关应用而设计。
CJD31C和CJD32C互补功率晶体管具有较高的耐压值，集电极与基极电压VCBO最大值为100V，集电极与发射极电压VCEO最大值为100V，发射极与基极电压VEBO最大值为5.0V，可保证器件能够正常工作而不被损坏。其集电极电流IC为3.0A，峰值集电极电流ICM最高可达5.0A。其具有较低的饱和压降，当IC=3.0A,IB=375mA时，集电极与发射极间饱和压降VCE(SAT)最大值均为1.2V。其还具有较低的功耗，TC=25℃时功耗为15W，TA=25℃时功耗低至1.56W，可更好的满足用户设计器件时对功耗的要求。
CJD31C和CJD32C互补功率晶体管的工作和存储结温均为-65℃~+150℃，符合汽车工业级应用对温度的要求，即使在恶劣的环境下也能够正常工作。其结壳热阻为8.33℃/W，器件散热性较好，有利于降低热损耗。
图1 CJD31C，CJD32C产品图
CJD31C,CJD32C硅互补功率晶体管产品特性：
• 集电极与基极电压VCBO最大值为100V
• 集电极与发射极电压VCEO最大值为100V
• 发射极与基极电压VEBO最大值为5.0V
• 集电极电流IC为3.0A
• 峰值集电极电流ICM为5.0A
• 功耗PD（TA=25℃）为1.56W
• IC=3.0A,IB=375mA时，集电极与发射极间饱和压降VCE(SAT)最大值均为1.2V
• 工作和存储结温均为-65℃~+150℃
• 热组ΘJC为8.33℃/W
CJD31C,CJD32C应用领域：
• 功率放大器
• 高速开关
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