【产品】60V/60A N沟道MOSFET N0606N，通态电阻低于12.9mΩ

时间： 2020-05-12 来源：Renesas

N0606N是瑞萨电子推出的一款N沟道MOSFET，其漏源电压可至60V，漏极电流±60A，可应用于高电流场合。具有低通态电阻（R_DS(ON)最高不超过12.9mΩ@V_GS=10V，I_D=30A）、低输入电容C_iss典型值只有2170pF@V_DS=25V，符合RoHS标准。采用TO-220AB封装，等效电路如下图所示：

图1 等效电路图

参数表格如下图所示：

图2 参数表格

尺寸图如下所示：

图3 尺寸图

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