【选型】探讨13001三极管不可用8050三极管代换的原因

时间： 2021-09-07 来源：合科泰半导体

技术问答

有客户询问到用8050三极管来替换13001三极管。很多客户对元器件不够了解，随意替换肯定会出问题的，今天合科泰半导体就为您详细介绍一下！

首先要了解的就是13001三极管的具体参数和用途：
13001是小功率高压高速开关三极管，最典型应用就是荧光灯电子镇流器。TO-92封装图及管脚排列说明：

封装TO-92的13001主要参数：

集电极-基极最高耐压VCBO=500V
集电极-发射极最高耐压VCEO=400V
发射极-基极最高耐压VEBO=9V
集电极电流IC=0.3A
耗散功率PC=7W
结温 Tj=150℃
贮藏温度 TSTG=-5〜150℃
直流放大系数HFE=8〜40

还有一种13001是硅NPN型小功率开关三极管，主要应用于节能灯电子镇流器、手机充电器等开关电源电路。具有击穿电压高、反向漏电流小、开关速度快、饱和压降低、高温性能好等特点。TO-251封装的管脚图和引脚排列：

1脚：基极； 2脚：集电极； 3脚：发射极

TO-251封装13001 的主要参数：

集电极最大耗散功率PCM=1.2W(Tamb=25℃)
集电极最大允许电流ICM=0.2A
集电极-基极反向击穿电压BVCBO=600V
集电极-发射极反向击穿电压BVCEO=400V
发射极-基极反向击穿电压BVEBO=7V
结温 Tj=150℃
贮藏温度 TSTG=-5〜150℃
直流放大系数HFE=8〜40

了解完13001，咋们再看看8050三极管的参数：

只需要看集电极-发射极反向击穿电压这一个参数就可以知道，13001和8050不是同一个系列的三极管，完全谈不上替换。

如果要替换13001，只要满足是同一系列三极管，参数相差不多，或者13001系列的其他型号，比如13002、13003等参数大于13001的三极管。

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型号- 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

选型指南 - 合科泰电子 - 2021 EDITION PDF 中文下载

合科泰电子（HKT）成立于1992年，是一家专业从事半导体模拟芯片和分立器件研发生产的的高新技术企业，旗下产品包括电源管理、桥堆、二极管、三极管、MOSFET等。合科泰电子采用欧盟生产标准，在电路设计、半导体器件及工艺设计、可靠性设计、器件模型提取等方面积累了众多核心技术，并获得国家发明专利，实用新型专利等多项资质。

二极管肖特基二极管整流二极管稳压二极管整流桥开关二极管 TVS二极管快恢复二极管特快恢复二极管超快恢复二极管三极管普通三极管达林顿三极管 MOS管低压MOS管高压MOS管稳压电路三端稳压电路

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型号- MB2XS,HKTD120N04,HKTE120N10,GBPC35X,HKTT350N10,MM1Z XXL,HKTQ150N03,HKTG50N03,ABS210,BZT52CXXS系列,HKTE120N15,HKTG48N10,BZT52CXX,AO34XX,KBPC15X,BZT52CXX系列,MBXS,2N7002KT,MM1Z XX,GBU4X,2N7002K,HKTD5N20,GBP2X,HKTQ60N02,HKTD4N50,HKTG120N04,HKTD20N06,HKTT350N08,BZX84CXXW系列,SMBJXXXCA,AO43XX,HKTD5N50,6206系列,1117系列,DB30XS,BZX84CXX系列,HKT4054,HKT4056,HKTE110N20,SMAJXXXA,HKTD2N60,HKTE130N12,HKTQ80N03,HKTG90N03,HT73系列,ABS10,HT75系列,BSS138W,GBPC25X,SMBJXXXA,HT71系列,HT71,2SK3018W,HT73,SMAJXXXCA,HT75,HKTQ2317,HKTD50N03,GBU35X,BZX84CXXW,BZX84CXX,1117,HKTG40C40,MM1Z XX系列,DB20XS,6206,HKTD7N65,HKTQ40N40,GBJ50X,BZT52CXXS,MM1Z XXL系列,GBJ10X,SI23XX,HKTG150N03,SMCJXXXA,AO46XX,HKTD70N04,HKTE100N10,AO9926A,AO48XX,HKTD15N10,HKTE180N08,AO88XX,SMCJXXXCA,HKTD80N06,DW01,HKTQ30N03,HKTQ30P03,FL8205,HKTD4N65,DB10XS,HKTD80N03,HKTQ65N03

商品及供应商介绍 - 合科泰电子 - 2024/5/30 PDF 中文下载

合科泰电子NPN晶体管选型表

合科泰电子提供以下参数选型：集电极基极电压VCBO(V)：20~900V、集电极-发射极电压VCEO(V)：12~800V、集电极电流Ic(mA)：20~6000mA、放大倍数（最小）HFE（MIN）：10~10K、放大倍数（最大）HFE（MAX）：40~3200、耗散功率PD(mW)：100~2000mW等

产品型号	品类	封装形式	沟道类型	集电极基极电压VCBO(V)	集电极-发射极电压VCEO(V)	发射极-基极电压VEBO(V)	集电极电流Ic(mA)	放大倍数（最小）HFE（MIN）	放大倍数（最大）HFE（MAX）	耗散功率PD(mW)
2SC1162	NPN晶体管	TO-126	NPN	35	35	5	2500	60	320	750

选型表 - 合科泰电子立即选型

合科泰电子PNP晶体管选型表

合科泰电子提供以下参数选型：集电极基极电压VCBO(V)：-400~-20V，集电极-发射极电压VCEO(V)：-400~-20V，集电极电流Ic(mA)：-6000~50mA，放大倍数（最小）HFE（MIN）：10~1000，放大倍数（最大）HFE（MAX）：50~1000，耗散功率PD(mW)：150~2000mW等

产品型号	品类	封装形式	沟道类型	集电极基极电压VCBO(V)	集电极-发射极电压VCEO(V)	发射极-基极电压VEBO(V)	集电极电流Ic(mA)	放大倍数（最小）HFE（MIN）	放大倍数（最大）HFE（MAX）	耗散功率PD(mW)
2SA1015	PNP晶体管	SOT-23	PNP	-50	-50	-5	-150	130	400	200

选型表 - 合科泰电子立即选型

分享手机充电器FCC认证的关键信息

手机充电器在美国市场销售前需要通过FCC认证，即美国联邦通信委员会（FederalCommunicationsCommission,FCC）的认证。本文全球通检测来与大家分享关于手机充电器FCC认证的一些关键信息。

设计经验发布时间 : 2024-08-25

【经验】临界导通模式PFC控制器EG6562和高压LLC谐振控制器EG6599用在桌面级手机充电器上的三点注意事项

近年来，随着手机市场的日渐火热，相关配件也层出不穷，为了给手机提供更快、更好的充电效果，提高手机续航能力，支持多个手机同时快充的桌面级手机充电器应运而生。在设计这些充电器的电源部分时，人们常常会采用EG6562+EG6599的经典PFC+LLC电路以提高稳定性，本文针对临界导通模式PFC控制器EG6562和高压LLC谐振控制器EG6599电路进行分析，助力充电器设计。

设计经验发布时间 : 2023-06-21

合科泰电子二极管SD103AWS，可用于通信电源、智能插座照明等领域

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产品发布时间 : 2024-07-24

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合科泰电子提供P沟道MOSFET以下参数选型，漏源电压-60V~-8V，连续漏极电流-60A~-0.13A

产品型号	品类	封装形式	沟道类型	漏源电压 VDS(V)	栅源电压 VGS±(V)	连续漏极电流 ID(A)	漏源导通电阻 RDS(ON)(Ω)	栅极阈值电压(最小) VGS(th)(V)	棚极阈值电压(最大) VGS(th)(V)	耗散功率 PD(mW)
9435	P沟道MOSFET	S0P-8	p	-30	-20	-5	0.053	-1	-3	2500

选型表 - 合科泰电子立即选型

合科泰电子 N沟道 MOSFET选型表

合科泰电子提供N沟道MOSFET以下参数选型，漏源电压16V~100V，连续漏极电流0.1A~150A

产品型号	品类	封装形式	沟道类型	漏源电压 VDS(V)	栅源电压 VGS±(V)	连续漏极电流 ID(A)	漏源导通电阻 RDS(ON)(Ω)	栅极阈值电压(最小) VGS(th)(V)	棚极阈值电压(最大) VGS(th)(V)	耗散功率 PD(mW)
2N7002	N沟道MOSFET	SOT-23	N	60	20	0.115	5	1	2.5	150