【选型】探讨13001三极管不可用8050三极管代换的原因

时间： 2021-09-07 来源：合科泰半导体

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有客户询问到用8050三极管来替换13001三极管。很多客户对元器件不够了解，随意替换肯定会出问题的，今天合科泰半导体就为您详细介绍一下！

首先要了解的就是13001三极管的具体参数和用途：
13001是小功率高压高速开关三极管，最典型应用就是荧光灯电子镇流器。TO-92封装图及管脚排列说明：

封装TO-92的13001主要参数：

集电极-基极最高耐压VCBO=500V
集电极-发射极最高耐压VCEO=400V
发射极-基极最高耐压VEBO=9V
集电极电流IC=0.3A
耗散功率PC=7W
结温 Tj=150℃
贮藏温度 TSTG=-5〜150℃
直流放大系数HFE=8〜40

还有一种13001是硅NPN型小功率开关三极管，主要应用于节能灯电子镇流器、手机充电器等开关电源电路。具有击穿电压高、反向漏电流小、开关速度快、饱和压降低、高温性能好等特点。TO-251封装的管脚图和引脚排列：

1脚：基极； 2脚：集电极； 3脚：发射极

TO-251封装13001 的主要参数：

集电极最大耗散功率PCM=1.2W(Tamb=25℃)
集电极最大允许电流ICM=0.2A
集电极-基极反向击穿电压BVCBO=600V
集电极-发射极反向击穿电压BVCEO=400V
发射极-基极反向击穿电压BVEBO=7V
结温 Tj=150℃
贮藏温度 TSTG=-5〜150℃
直流放大系数HFE=8〜40

了解完13001，咋们再看看8050三极管的参数：

只需要看集电极-发射极反向击穿电压这一个参数就可以知道，13001和8050不是同一个系列的三极管，完全谈不上替换。

如果要替换13001，只要满足是同一系列三极管，参数相差不多，或者13001系列的其他型号，比如13002、13003等参数大于13001的三极管。

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合科泰电子提供以下参数选型：集电极基极电压VCBO(V)：20~900V、集电极-发射极电压VCEO(V)：12~800V、集电极电流Ic(mA)：20~6000mA、放大倍数（最小）HFE（MIN）：10~10K、放大倍数（最大）HFE（MAX）：40~3200、耗散功率PD(mW)：100~2000mW等

产品型号	品类	封装形式	沟道类型	集电极基极电压VCBO(V)	集电极-发射极电压VCEO(V)	发射极-基极电压VEBO(V)	集电极电流Ic(mA)	放大倍数（最小）HFE（MIN）	放大倍数（最大）HFE（MAX）	耗散功率PD(mW)
2SC1162	NPN晶体管	TO-126	NPN	35	35	5	2500	60	320	750

选型表 - 合科泰电子立即选型

合科泰电子 P沟道MOSFET选型表

合科泰电子提供P沟道MOSFET以下参数选型，漏源电压-60V~-8V，连续漏极电流-60A~-0.13A

产品型号	品类	封装形式	沟道类型	漏源电压 VDS(V)	栅源电压 VGS±(V)	连续漏极电流 ID(A)	漏源导通电阻 RDS(ON)(Ω)	栅极阈值电压(最小) VGS(th)(V)	棚极阈值电压(最大) VGS(th)(V)	耗散功率 PD(mW)
9435	P沟道MOSFET	S0P-8	p	-30	-20	-5	0.053	-1	-3	2500

选型表 - 合科泰电子立即选型

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【经验】临界导通模式PFC控制器EG6562和高压LLC谐振控制器EG6599用在桌面级手机充电器上的三点注意事项

近年来，随着手机市场的日渐火热，相关配件也层出不穷，为了给手机提供更快、更好的充电效果，提高手机续航能力，支持多个手机同时快充的桌面级手机充电器应运而生。在设计这些充电器的电源部分时，人们常常会采用EG6562+EG6599的经典PFC+LLC电路以提高稳定性，本文针对临界导通模式PFC控制器EG6562和高压LLC谐振控制器EG6599电路进行分析，助力充电器设计。

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合科泰电子PNP晶体管选型表

合科泰电子提供以下参数选型：集电极基极电压VCBO(V)：-400~-20V，集电极-发射极电压VCEO(V)：-400~-20V，集电极电流Ic(mA)：-6000~50mA，放大倍数（最小）HFE（MIN）：10~1000，放大倍数（最大）HFE（MAX）：50~1000，耗散功率PD(mW)：150~2000mW等

产品型号	品类	封装形式	沟道类型	集电极基极电压VCBO(V)	集电极-发射极电压VCEO(V)	发射极-基极电压VEBO(V)	集电极电流Ic(mA)	放大倍数（最小）HFE（MIN）	放大倍数（最大）HFE（MAX）	耗散功率PD(mW)
2SA1015	PNP晶体管	SOT-23	PNP	-50	-50	-5	-150	130	400	200

选型表 - 合科泰电子立即选型

合科泰电子 N沟道 MOSFET选型表

合科泰电子提供N沟道MOSFET以下参数选型，漏源电压16V~100V，连续漏极电流0.1A~150A

产品型号	品类	封装形式	沟道类型	漏源电压 VDS(V)	栅源电压 VGS±(V)	连续漏极电流 ID(A)	漏源导通电阻 RDS(ON)(Ω)	栅极阈值电压(最小) VGS(th)(V)	棚极阈值电压(最大) VGS(th)(V)	耗散功率 PD(mW)
2N7002	N沟道MOSFET	SOT-23	N	60	20	0.115	5	1	2.5	150

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快充充电器可以显著缩短设备的充电时间，提高使用效率。由于快充充电器可以在短时间内完成充电，因此可以减少设备在充电状态下的能耗，降低碳排放。快充充电器支持多种设备和多种充电协议，可以满足不同用户的需求。快充充电器会用到二极管、三极管和MOS、IC等产品，本文合科泰电子带大家了解下快充产品用到的那些元器件。